Ответы на тест / ТПУ / Электроника 1.1 / 19 вопросов / Итоговое тестирование по Модулю 1

В файле собраны ответы к тесту из курса ТПУ / Электроника 1.1 (Итоговое тестирование по Модулю 1).

В итоговом тестировании - все правильные ответы (смотрите демо-файл).

После покупки Вы получите файл, где будет 19 вопросов с ответами. Верный ответ выделен по тексту.

В демо-файлах представлен пример, как выделены ответы.

Все набрано в Word, можно искать с помощью поиска.

Ниже список вопросов, которые представлены в файле.

Итоговое тестирование по Модулю 1

Вопрос 1

Для полевого МДП-транзистора с индуцированным n-каналом, включенным по схеме с общим истоком, какой должна быть полярность напряжения на затворе   и на стоке 

Выберите один ответ:

a.

b.

c.

d.

Вопрос 2

Установите последовательность образования p-n-перехода

баланс токов в равновесном состоянии         

рекомбинация             

дрейфовый ток            

поле потенциального барьера            

диффузионный ток     

нескомпенсированные заряды ионов примеси         

Вопрос 3

Установите последовательность явления лавинного пробоя p-n-перехода

большая напряженность электрического поля в p-n-переходе          

лавинное умножение

ускоренное движение неосновных носителей заряда           

ударная ионизация     

образование пар носителей заряда «электрон - дырка»       

Вопрос 4

Установите последовательность образования невыпрямляющего электрического перехода на основе контакта «металл – полупроводник»

накопление основных носителей заряда вблизи границы раздела  

возникновение слоя с малым сопротивлением         

выход электронов из полупроводника в металл        

Вопрос 5

В каком случае разрешенный энергетический уровень расщепляется на большое количество подуровней?

Выберите один ответ:

a.

если атом находится в кристалле

b.

если атом имеет несколько электронов;

c.

если атом входит в состав молекулы;

Вопрос 6

Какие факторы создают собственную электропроводность кристалла?

Выберите один ответ:

a.

повышение температуры;

b.

ультрафиолетовое облучение;

c.

радиация;

d.

все перечисленные выше

Вопрос 7

Почему с увеличением температуры увеличивается проводимость полупроводникового кристалла?

Выберите один ответ:

a.

увеличивается ширина зоны проводимости

b.

увеличивается длина свободного пробега;

c.

увеличивается количество пар свободных носителей заряда;

Вопрос 8

Как ведет себя уровень Ферми при введении в полупроводник акцепторной примеси

Выберите один ответ:

a.

смещается к валентной зоне;

b.

не изменяет свое положение

c.

смещается к зоне проводимости;

Вопрос 9

Вероятность заполнения электроном энергетического уровня W при температуре T определяется

Выберите один ответ:

a.

b.

c.

d.

Вопрос 10

От чего зависит значение примесной электропроводности кристалла?

Выберите один ответ:

a.

от количества примеси;

b.

от материала примеси;

c.

от того и другого

Вопрос 11

К какому типу относятся:

а) кристалл германия с примесью сурьмы (V);

б) кристалл кремния с примесью бора (III)?

Выберите один ответ:

a.

а) к p-типу, б) к n-типу;

b.

а) к n-типу, б) к p-типу;

c.

а), б) к n-типу;

d.

а), б) к p-типу

Вопрос 12

При создании полупроводниковых приборов применяются

Выберите один или несколько ответов:

a.

вентильное свойство;

b.

тепловой пробой;

c.

поверхностный пробой

d.

емкостное свойство;

Вопрос 13

Электрические пробои

Выберите один или несколько ответов:

a.

туннельный;

b.

лавинный;

c.

тепловой;

Вопрос 14

Инжекция носителей заряда происходит при

Выберите один ответ:

a.

прямом напряжении и уменьшении высоты потенциального барьера;

b.

прямом напряжении и увеличении высоты потенциального барьера.

c.

обратном напряжении и увеличении высоты потенциального барьера;

d.

обратном напряжении и уменьшении высоты потенциального барьера;

Вопрос 15

Выражение вольт-амперной характеристики p-n-перехода

Выберите один ответ:

a.

b.

c.

d.

Вопрос 16

Контакт «металл - полупроводник», не обладающий выпрямляющим свойством

Выберите один или несколько ответов:

a.

полупроводник n-типа, 

b.

полупроводник p-типа, 

c.

полупроводник n-типа, 

d.

полупроводник p-типа, 

Вопрос 17

Туннельный пробой происходит

Выберите один ответ:

a.

в широких p-n-переходах, при малой напряженности электрического поля.

b.

в тонких p-n-переходах, при большой напряженности электрического поля;

c.

в тонких p-n-переходах, при малой напряженности электрического поля;

d.

в широких p-n-переходах, при большой напряженности электрического поля;

Вопрос 18

Лавинный пробой происходит

Выберите один ответ:

a.

в широких p-n-переходах, при большой напряженности электрического поля;

b.

в тонких p-n-переходах, при малой напряженности электрического поля;

c.

в широких p-n-переходах, при малой напряженности электрического поля.

d.

в тонких p-n-переходах, при большой напряженности электрического поля;

Вопрос 19

Чему равен коэффициент лавинного умножения? Если к кремниевому p-n-переходу приложено напряжение , напряжение лавинного пробоя .

Итоговое тестирование по Модулю 1

Вопрос 1

Для полевого МДП-транзистора с индуцированным n-каналом, включенным по схеме с общим истоком, какой должна быть полярность напряжения на затворе   и на стоке 

Выберите один ответ:

a.

b.

c.

d.

Вопрос 2

Установите последовательность образования p-n-перехода

баланс токов в равновесном состоянии         

рекомбинация             

дрейфовый ток            

поле потенциального барьера            

диффузионный ток     

нескомпенсированные заряды ионов примеси         

Вопрос 3

Установите последовательность явления лавинного пробоя p-n-перехода

большая напряженность электрического поля в p-n-переходе          

лавинное умножение

ускоренное движение неосновных носителей заряда           

ударная ионизация     

образование пар носителей заряда «электрон - дырка»       

Вопрос 4

Установите последовательность образования невыпрямляющего электрического перехода на основе контакта «металл – полупроводник»

накопление основных носителей заряда вблизи границы раздела  

возникновение слоя с малым сопротивлением         

выход электронов из полупроводника в металл        

Вопрос 5

В каком случае разрешенный энергетический уровень расщепляется на большое количество подуровней?

Выберите один ответ:

a.

если атом находится в кристалле

b.

если атом имеет несколько электронов;

c.

если атом входит в состав молекулы;

Вопрос 6

Какие факторы создают собственную электропроводность кристалла?

Выберите один ответ:

a.

повышение температуры;

b.

ультрафиолетовое облучение;

c.

радиация;

d.

все перечисленные выше

Вопрос 7

Почему с увеличением температуры увеличивается проводимость полупроводникового кристалла?

Выберите один ответ:

a.

увеличивается ширина зоны проводимости

b.

увеличивается длина свободного пробега;

c.

увеличивается количество пар свободных носителей заряда;

Вопрос 8

Как ведет себя уровень Ферми при введении в полупроводник акцепторной примеси

Выберите один ответ:

a.

смещается к валентной зоне;

b.

не изменяет свое положение

c.

смещается к зоне проводимости;

Вопрос 9

Вероятность заполнения электроном энергетического уровня W при температуре T определяется

Выберите один ответ:

a.

b.

c.

d.

Вопрос 10

От чего зависит значение примесной электропроводности кристалла?

Выберите один ответ:

a.

от количества примеси;

b.

от материала примеси;

c.

от того и другого

Вопрос 11

К какому типу относятся:

а) кристалл германия с примесью сурьмы (V);

б) кристалл кремния с примесью бора (III)?

Выберите один ответ:

a.

а) к p-типу, б) к n-типу;

b.

а) к n-типу, б) к p-типу;

c.

а), б) к n-типу;

d.

а), б) к p-типу

Вопрос 12

При создании полупроводниковых приборов применяются

Выберите один или несколько ответов:

a.

вентильное свойство;

b.

тепловой пробой;

c.

поверхностный пробой

d.

емкостное свойство;

Вопрос 13

Электрические пробои

Выберите один или несколько ответов:

a.

туннельный;

b.

лавинный;

c.

тепловой;

Вопрос 14

Инжекция носителей заряда происходит при

Выберите один ответ:

a.

прямом напряжении и уменьшении высоты потенциального барьера;

b.

прямом напряжении и увеличении высоты потенциального барьера.

c.

обратном напряжении и увеличении высоты потенциального барьера;

d.

обратном напряжении и уменьшении высоты потенциального барьера;

Вопрос 15

Выражение вольт-амперной характеристики p-n-перехода

Выберите один ответ:

a.

b.

c.

d.

Вопрос 16

Контакт «металл - полупроводник», не обладающий выпрямляющим свойством

Выберите один или несколько ответов:

a.

полупроводник n-типа, 

b.

полупроводник p-типа, 

c.

полупроводник n-типа, 

d.

полупроводник p-типа, 

Вопрос 17

Туннельный пробой происходит

Выберите один ответ:

a.

в широких p-n-переходах, при малой напряженности электрического поля.

b.

в тонких p-n-переходах, при большой напряженности электрического поля;

c.

в тонких p-n-переходах, при малой напряженности электрического поля;

d.

в широких p-n-переходах, при большой напряженности электрического поля;

Вопрос 18

Лавинный пробой происходит

Выберите один ответ:

a.

в широких p-n-переходах, при большой напряженности электрического поля;

b.

в тонких p-n-переходах, при малой напряженности электрического поля;

c.

в широких p-n-переходах, при малой напряженности электрического поля.

d.

в тонких p-n-переходах, при большой напряженности электрического поля;

Вопрос 19

Чему равен коэффициент лавинного умножения? Если к кремниевому p-n-переходу приложено напряжение , напряжение лавинного пробоя .