Основы микроэлектроники [лр1-4] Росдистант , Вариант 4

Основы микроэлектроники [росдистант]

Лабораторная работа 1 [вариант 4]

Исследование масштабных усилителей по постоянному току

Лекция 4. Элементы и каскады аналоговых электронных устройств

Задание 1.1

Исследовать по постоянному току работу активного элемента масштабного (масштабируемого) усилителя. Построить амплитудные характеристики операционного усилителя для дифференциального и синфазного сигналов.

Задание 1.2

Исследовать по постоянному току работу масштабного усилителя. Построить амплитудные характеристики неинвертирующего и инвертирующего масштабных усилителей при различной нагрузке.

Объектом исследования являются масштабные усилители, собранные на аналоговой микросхеме – операционном усилителе.

Есть замечания преподавателя - поэтому цена ниже!!!

Лабораторная работа 2 [Вариант 4]

Исследование масштабных усилителей по переменному току

Лекция 4. Элементы и каскады аналоговых электронных устройств

Задание 2.1

Исследовать влияние параметров отрицательной обратной связи на частотные характеристики масштабных усилителей. Построить амплитудно-частотные характеристики (АЧХ) инвертирующего масштабного усилителя. Построить АЧХ неинвертирующего масштабного усилителя.

Задание 2.2

Исследовать амплитудно-частотные характеристики неинвертирующего масштабного усилителя при введении конденсаторов в цепь отрицательной обратной связи.

Для выполнения заданий необходимо предварительное изучение следующих вопросов:

– влияние отрицательной обратной связи на коэффициент усиления, полосу пропускания и другие показатели усилителя;

– руководство пользователя программы Micro-CAP.

Лабораторная работа 3 [вариант 4]

Генераторы импульсов прямоугольной формы

Лекция 5. Операционные усилители

Задание 3.1

Исследовать рабочий процесс автогенератора – мультивибратора на операционном усилителе.

Задание 3.2

Исследовать рабочий процесс ждущего генератора – одновибратора на операционном усилителе.

Для выполнения заданий необходимо предварительное изучение следующих вопросов:

– влияние положительной обратной связи на рабочий процесс усилителя;

– руководство пользователя программы Micro-CAP.

Лабораторная работа 4 [вариант 4]

Исследование микросхем транзисторно-транзисторной логики

Лекция 7. Базовые логические элементы транзисторно-транзисторной логики

Задание 4.1

Исследовать статические характеристики логических микросхем транзисторно-транзисторной логики (ТТЛ).

Задание 4.2

Исследовать динамические характеристики логических микросхем транзисторно-транзисторной логики.

Для выполнения заданий необходимо предварительное изучение принципа действия и характеристик логических микросхем ТТЛ.

Объектом исследований является инвертор ТТЛ, схема которого представлена на рис. 4.1.

Рис. 4.1. Схема инвертора ТТЛ малой степени интеграции

Параметры сопротивлений указаны на рис. 4.1. Диод любой кремниевый, можно использовать один из переходов транзистора. Все транзисторы, кроме VT1, одинаковые, варианты их представлены в таблице 4.1. Транзистор VT1 выбрать типа «$GENERIC_N» и установить ему коэффициент передачи тока BF, равный единице. Номер варианта соответствует номеру студента в списке группы.