[Росдистант] Основы микроэлектроники (тесты, вопросы, ответы)
Тольяттинский государственный университет (Росдистант), ТГУ. Основы микроэлектроники (8263, 11774). Промежуточные и итоговый тест. Ответы на вопросы.
Для Росдистант имеются и другие готовые работы. Пишем уникальные работы под заказ. Помогаем с прохождением онлайн-тестов. Пишите, пожалуйста, в личку (Евгений).
ИТОГОВЫЙ ТЕСТ (в базе более 80 вопросов)
Для схем ТТЛШ напряжение логического нуля составляет
Выберите один ответ:
0,4 В
2,4 В
-0,8 В
0,05 В
Предельная частота вращения управляющего поля в приборах на цилиндрических магнитных доменах составляет
Выберите один ответ:
1 мГц
100 мГц
10 мГц
100 кГц
Для схем ДТЛ напряжение логического нуля составляет
Выберите один ответ:
0,05 В
2,4 В
-0,8 В
0,4 В
Для схем КМОП-логики напряжение логического нуля составляет
Выберите один ответ:
0,05 В
2,4 В
-0,8 В
0,4 В
Плотность дефектов кристаллической структуры меньше в кристалле
Выберите один ответ:
арсенида галлия
кремния
арсенида галлия-алюминия
воды
При диодном включении транзистора наименьший обратный ток обеспечивают схемы
Выберите один или несколько ответов:
БЭ-К
Б-ЭК
Б-Э
БК-Э
Б-К
Кремниевый n-p-n биполярный транзистор по сравнению с горизонтальным p-n-р биполярным транзистором имеет
Выберите один ответ:
меньшую занимаемую на кристалле площадь
больше коэффициент передачи тока
больше стоимость
меньше плотность дефектов структуры
Длительное хранение информации без регенерации может быть реализовано на основе
Выберите один ответ:
приборов на продольных акустических волнах
приборов с зарядовой связью
приборов на поверхностных акустических волнах
приборов на цилиндрических магнитных доменах
Укажите среднее время задержки распространения сигнала в ТТЛШ.
Выберите один ответ:
1 мкс
10 нс
2 нс
100 НС
Это схема
Выберите один ответ:
генератора
усилителя напряжения
источника стабильного тока
сдвига уровня напряжения
усилителя переменного тока
Какой материал является для кремния донором?
Выберите один ответ:
Мышьяк
Бор
Селен
Алюминий
ЕАРROM обладают возможностью
Выберите один ответ:
хранения аналоговой информации
занесения в в него информации после изготовления
многократного электрического программирования
занесения в в него информации при изготовлении
Укажите материалы для ферромагнитной пленки в приборах на цилиндрических магнитных доменах.
Выберите один или несколько ответов:
R3Fe5O12
Пермаллой
Галлий-гадолиниевый гранат
Fe2O3
Fe3O4
Программируемые постоянные запоминающие устройства обеспечивают режим
Выберите один ответ:
хранения двоичной информации
усиления сигнала
хранения аналоговой информации
преобразования сигнала
Какие материалы являются для кремния донорными?
Выберите один или несколько ответов:
Мышьяк
Бор
Алюминий
Фосфор
На рисунке представлен инвертор
Выберите один ответ:
ЭСЛ
ТТЛ
ДТЛ
РТЛ
малосигнальной ТТЛ
Технологическая операция, позволяющая получить нелегированный монокристалл поверх легированного, называется
Выберите один ответ:
окислением
ионным легированием
диффузией
эпитаксией
Выберите логический элемент, выполняющий функцию 3И-НЕ.
Выберите один ответ:
В
А
Д
Г
Б
У какого из транзисторов меньше коэффициент передачи тока?
Выберите один ответ:
Для схем ТТЛ напряжение логического нуля составляет
Выберите один ответ:
-0,8 В
0,05 В
0,4 В
2,4 В
Из какого материала выполнена указанная область транзистора с плавающим затвором?
Выберите один ответ:
Si3N4
SiO2
SiH4
Al
Наименьшее быстродействие из перечисленных имеют логические элементы
Выберите один ответ:
ЭСЛ
РТЛ
ДТЛ
малосигнальной ТТЛ
Минимальная тактовая частота приборов с зарядовой связью составляет
Выберите один ответ:
30-300 Гц
30-300 кГц
30-300 мГц
0
Среднее время задержки распространения сигнала в КМОП-логике составляет
Выберите один ответ:
2 нс
1 мкс
20 нс
100 НС
Для осаждения пленок поликристаллического кремния используется операция
Выберите один ответ:
SiH4 + 02 = SiO2 + Н2
SiO2 = Si + O2
SiN4 + NH3 = Si3N4 + H2
SiH4 = Si + H2
На рисунке изображена схема
Выберите один ответ:
элемента 2И-НЕ высокопороговой ДТЛ
элемента 2ИЛИ-НЕ
инвертора
элемента 2И-НЕ ДТЛ
Укажите условия возникновения автоколебаний в электронном устройстве.
Выберите один или несколько ответов:
Петлевой сдвиг фаз кратен нулю
Наличие обратной связи
Петлевой коэффициент усиления больше единицы
Отсутствие обратной связи
Выберите логический элемент, выполняющий функцию 3ИЛИ.
Выберите один ответ:
А
Д
Б
Г
В
Репрограммируемые постоянные запоминающие устройства обеспечивают режимы
Выберите один ответ:
преобразования сигнала
однократной записи двоичной информации
усиления сигнала
хранения аналоговой информации
Репрограммируемые постоянные запоминающие устройства обеспечивают режимы
Выберите один или несколько ответов:
«стирания» информации
многократной записи двоичной информации
хранения двоичной информации
хранения аналоговой информации
считывания двоичной информации
Это схема
Выберите один ответ:
усилителя переменного тока
сдвига уровня напряжения
источника стабильного тока
усилителя напряжения
генератора
Легирование слоя n-типа под областью коллектора нужно для
Выберите один ответ:
повышения подвижности электронов
удешевления транзистора
уменьшения сопротивления коллектор-эмиттер при насыщении транзистора
повышения быстродействия транзистора
Для схем ТТЛ напряжение логического нуля составляет
Выберите один ответ:
0,4 В
0,05 В
-0,8 В
2,4 В
Какое действие приводит к повышению быстродействия логических элементов?
Выберите один ответ:
Увеличение напряжения питания
Увеличение частоты следования входных сигналов
Уменьшение логического перепада
Увеличение размеров транзисторов
Ширина металлических штырей и полосок в приборах на поверхностных акустических волнах при частоте 10 гГц составляет
Выберите один ответ:
5 мкм
50 нм
500 нм
50 мкм
Меньшее напряжение пробоя у схем
Выберите один или несколько ответов:
Б-Э
БЭ-К
Б-ЭК
БК-Э
Б-К
У какого из транзисторов больше коэффициент передачи тока?
Выберите один ответ:
Приборы на цилиндрических магнитных доменах могут использоваться
Выберите один или несколько ответов:
для хранения информации при отсутствии питания
в качестве регистров сдвига
для хранения информации
в качестве источников магнитного поля
Приборы с зарядовой связью создаются на основе материала
Выберите один ответ:
InSb
GaAs
зарядов
Si
На рисунке изображена схема
Выберите один ответ:
повторителя
элемента 2ИЛИ-НЕ
инвертора
элемента 2И-НЕ
При каких видах экспонирования размеры рисунка на фотошаблоне могут превышать размеры рисунка на кристалле?
Выберите один или несколько ответов:
Контактном
Электронно-лучевом
Рентгеновском
Проекционном
Оптическом
Это схема
Выберите один ответ:
источника стабильного тока
усилителя напряжения
усилителя переменного тока
сдвига уровня напряжения
генератора
Динамические запоминающие устройства по сравнению со статическими
Выберите один ответ:
требуют занесения в в него информации при изготовлении
требуют периодического восстановления состояния элементов памяти
энергозависимые
обладают большим быстродействием
Время считывания для запоминающего устройства - это
Выберите один ответ:
интервал от момента сигнала чтения до момента появления слова на выходе ЗУ
интервал после появления сигнала чтения, достаточный для установления ячейки в состояние, задаваемое входным словом
максимально допустимый интервал между последовательными чтениями или записями
минимально допустимый интервал между последовательными чтениями или записями
Укажите входное сопротивление неинвертирующего масштабного усилителя.
Выберите один ответ:
R2
Rвх = RвхОУ(1 + КОУR1/(R1 + R2))
R1
Rвх = RвхОУ/(1 + КОУR1/(R1 + R2))
Какое действие может привести к повышению работы переключения логических элементов?
Выберите один ответ:
Уменьшение логического перепада
Уменьшение размеров элементов
Увеличение логического перепада
Переход с кремния на арсенид галлия
Технологические операции, позволяющие получить p-n-переход, называются
Выберите один или несколько ответов:
эпитаксией
окислением
ионным легированием
диффузией
Укажите матрицу запоминающих ячеек с пословной адресацией.
Выберите один ответ:
Обе
Б
Не приведена
А
При входном напряжении 1,5 В транзистор VT4 в схеме работает в режиме
Выберите один ответ:
насыщения
инверсном активном
прямом активном
отсечки
Какой из приведенных транзисторов менее быстродействующий?
Выберите один ответ:
Сравнение некорректно
Оба одинаковы
Время записи у запоминающего устройства - это
Выберите один ответ:
минимально допустимый интервал между последовательными чтениями или записями
максимально допустимый интервал между последовательными чтениями или записями
интервал между моментами появления сигнала чтения и слова на выходе
интервал после появления сигнала чтения, достаточный для установления ячейки в состояние, задаваемое входным словом
Технологическая операция, позволяющая получить сразу два p-n-перехода по глубине кристалла, называется
Выберите один ответ:
окислением
диффузией
эпитаксией
ионным легированием
Какие материалы являются для кремния акцепторами?
Выберите один или несколько ответов:
Алюминий
Бор
Мышьяк
Фосфор
Укажите особенности технологии изоляции диффузией к подложке.
Выберите один или несколько ответов:
Позволяет создавать резисторы
Позволяет изолировать транзисторы на кристалле друг от друга
Обеспечивает самосовмещение областей
Позволяет создавать транзисторы
Наиболее простая
Емкость запоминающего устройства - это
Выберите один ответ:
число адресов слов
число адресов в накопителе
максимально возможный объем хранимой информации
число бит памяти в накопителе
ЕЕРROM обладают возможностью
Выберите один ответ:
многократного электрического программирования
занесения в в него информации после изготовления
хранения аналоговой информации
занесения в в него информации при изготовлении
Для схем ТТЛШ напряжение логического нуля составляет
Выберите один ответ:
0,05 В
0,4 В
-0,8 В
2,4 В
Для схем КMOП малой степени интеграции напряжение логической единицы составляет
Выберите один ответ:
0,4 В
-0,8 В
0,05 В
2,4 В
Коэффициент объединения по входу - это
Выберите один ответ:
число входов, которое одновременно может быть подключено к одному выходу в логическом элементе данного типа без смещения рабочей точки внутрь логического перепада
число входов, реализующих в одном логическом элементе одну логическую функцию
максимальный выходной ток логического элемента
предельно допустимый выходной ток логического элемента
При входном напряжении 1 В транзистор VT4 в схеме работает в режиме
Выберите один ответ:
прямом активном
инверсном активном
отсечки
насыщения
При литографии какого вида размеры рисунка на фотошаблоне не могут превышать размеры рисунка на кристалле?
Выберите один ответ:
Ультрафиолетовым светом
Оптической
Контактной
Электронно-лучевой
Укажите характеристики аналоговых электронных устройств.
Выберите один или несколько ответов:
Использование исключительно транзисторных структур
Схемотехническая простота
Неуниверсальность, специфичногсть
Непосредственная связь каскадов
Широкое применение обратных связей
Во входных каскадах операционных усилителей для повышения коэффициента усиления применяются транзисторы
Выберите один ответ:
МОП
juntion fet
обычные биполярные
супер-бета
Оперативные запоминающие устройства обеспечивают режимы
Выберите один ответ:
хранения двоичной информации
хранения аналоговой информации
усиления сигнала
преобразования сигнала
ЕАРROM обладают возможностью
Выберите один ответ:
многократного электрического программирования
занесения в в него информации после изготовления
хранения аналоговой информации
занесения в в него информации при изготовлении
Предельное значение частоты ультразвуковых волн в приборах на поверхностных акустических волнах
Выберите один ответ:
1 рад/с
1*103 1/с
1*108 рад/с
1*1013 1/с
Помехозащищенность МЕП-логики составляет
Выберите один ответ:
50 мВ
1,4 В
200 мВ
1 В
Отметьте, на каких рисунках показаны элементы n-МОП-логики.
Выберите один или несколько ответов:
На рисунке Б
На рисунке В
На рисунке А
На рисунке Г
При входном напряжении 0,1 В транзистор VT4 в схеме работает в режиме
Выберите один ответ:
отсечки
прямом активном
насыщения
инверсном активном
Приборы с зарядовой связью могут использоваться
Выберите один или несколько ответов:
для хранения информации при отсутствии питания
в качестве регистров сдвига
для хранения информации в двоичном коде
для хранения аналоговой информации
Кремниевый МОП-транзистор с каналом n-типа по сравнению таким же с каналом р-типа имеет
Выберите один ответ:
меньше плотность дефектов структуры
меньше быстродействие
больше стоимость
больше быстродействие
Выберите логический элемент, выполняющий функцию 2И.
Выберите один ответ:
А
В
Д
Г
Б
Технологические операции, позволяющие получить легированный монокристалл поверх нелегированного, называются
Выберите один или несколько ответов:
окислением
ионным легированием
диффузией
литографией
Это схема
Выберите один или несколько ответов:
усилителя напряжения
сдвига уровня напряжения
источника стабильного тока
дифференциального усилителя
У какой из приведенных схем источников тока температурная стабильность выше?
Выберите один ответ:
Сравнение некорректно
У приведенных схем температурная стабильность одинакова
Вариант «в»
Вариант «б»
Наибольшая нагрузочная способность у логических элементов
Выберите один ответ:
ТТЛШ
ТТЛ
КМОП
МЕП-логики
Укажите технологическую схему диффузионного резистора
Выберите один ответ:
Это структурная схема
Выберите один ответ:
динамического ОЗУ
статического ОЗУ
РПЗУ
МПЗУ
В базовом слое можно создать резистор сопротивлением
Выберите один ответ:
10-100 Ом
10-100 Ом
10-100 кОм
10-100 мОм
На рисунке представлена схема изоляции транзистора
Выберите один ответ:
диэлектриком
коллекторной диффузией
применением непроводящей подложки
диффузией к подложке
Из какого материала выполнена указанная область транзистора с плавающим затвором?
Выберите один ответ:
Si3N4
Al
SiO2
SiH4
Это многополосковая структура для
Выберите один ответ:
разветвления ПАВ
отражения ПАВ
приема ПАВ
фокусировки ПАВ
Статическая потребляемая мощность одного элемента минимальна
Выберите один ответ:
в ДТЛ
в малосигнальной ТТЛ
в МЕП-логике
в КМОП-логике
Динамическая нагрузка каскада позволяет
Выберите один или несколько ответов:
повысить степень интеграции
снизить стоимость компонента
пропускать больший ток по большому сопротивлению при низком напряжении
увеличить коэффициент усиления каскада
повысить быстродействие
Укажите запоминающую ячейку динамического ОЗУ.
Выберите один ответ:
В кремнии подвижность электронов
Выберите один или несколько ответов:
меньше, чем в GaAs
меньше, чем подвижность дырок
больше, чем подвижность дырок
больше, чем в GaAs
Электронные устройства, все элементы и межэлементные соединения которых выполнены в объеме или на поверхности монокристалла полупроводника, называются
Выберите один ответ:
микросхемами
макроэлементами
полупроводниковыми
гибридными
На рисунке изображена схема
Выберите один ответ:
элемента 2ИЛИ-НЕ
инвертора
элемента 2И-НЕ высокопороговой ДТЛ
элемента 2И-НЕ ДТЛ
Толщина ферромагнитной пленки в приборах на цилиндрических магнитных доменах составляет
Выберите один ответ:
1 нм
1 мм
1 см
1 мкм
Укажите входное сопротивление схемы.
Выберите один ответ:
Rвх = RвхОУ/(1 + КОУR1/(R1 + R2))
Rвх = RвхОУ/(1 + КОУR1/R2)
Rвх = RвхОУ(1 + КОУR1/R2)
R1
Укажите особенность технологии изоляции применением перехода металл-полупроводник.
Выберите один ответ:
Позволяет изолировать затвор от канала полевого транзистора
Исключает появление паразитного транзистора
Наиболее дешевая
Позволяет изолировать транзисторы на кристалле друг от друга
Это схема
Выберите один ответ:
усилителя переменного тока
источника стабильного тока
усилителя напряжения
сдвига уровня напряжения
генератора
Аналоговые электронные устройства предназначены для обработки
Выберите один ответ:
сигналов, изменяющихся по закону дискретной функции
только слабых сигналов
импульсных сигналов
сигналов, изменяющихся по закону непрерывной функции
---
ПРОМЕЖУТОЧНЫЕ ТЕСТЫ 1-5
Что такое эпитаксия?
Выберите один ответ:
Создание тонкой пленки кремния
Наращивание атомов кремния на поверхность монокристаллической кремниевой пластины
Превращение поликристалла в монокристалл
Создание легированного полупроводника
Для чего коллекторная n-область под алюминиевым выводом n-p-n-транзистора дополнительно легируется?
Выберите один ответ:
Для устранения выпрямляющего перехода между коллектором и его выводом
Для уменьшения напряжения насыщения транзистора
Для уменьшения объемного сопротивления коллектора
Для повышения быстродействия транзистора
Для осаждения пленок нитрида кремния используется операция
Выберите один ответ:
SiO2 = Si + O2
SiH4 + 02 = SiO2+ Н2
SiH4 = Si+ H2
SiN4 + NH3 = Si3N4 + H2
Для осаждения пленок диоксида кремния используется операция
Выберите один ответ:
SiN4 + NH3 = Si3N4 + H2
SiH4 + 02 = SiO2 + Н2
SiH4 = Si + H2
SiO2 = Si + O2
Укажите методы, применяющиеся при изготовлении фотошаблонов.
Выберите один или несколько ответов:
Метод фотонабора
Механическое вырезание увеличенного рисунка оригинала
Метод генерирования изображений
Механическое вырезание уменьшенного рисунка оригинала
Почему не применяются транзисторы на основе арсенида галлия p-типа?
Выберите один или несколько ответов:
Подвижность дырок в арсениде галлия много меньше подвижности электронов
Такие транзисторы имеют меньшее быстродействие по сравнению с транзисторами на основе арсенида галлия n-типа
Плотность дефектов кристаллической структуры в арсениде галлия меньше, чем в кремнии
Они дороже транзисторов на основе арсенида галлия n-типа
Гибридные электронные устройства
Выберите один ответ:
выполнены исключительно из диэлектриков
выполнены по тонкопленочной технологии
содержат пленочные пассивные элементы и навесные компоненты
выполнены исключительно из полупроводников
Материал проводника: должен
Выберите один или несколько ответов:
быть механически прочным
не повреждаться при изменениях температуры из-за различия коэффициентов расширения
иметь высокое удельное сопротивление
не образовывать химических соединений с кремнием
Полупроводниковые электронные устройства
Выберите один ответ:
выполнены по толстопленочной технологии
содержат тонкопленочные пассивные элементы и навесные компоненты
имеют элементы и межэлементные соединения, выполненные в объеме или на поверхности полупроводника
выполнены исключительно из полупроводников
Удельное электрическое сопротивление больше у полупроводника
Выберите один ответ:
арсенида галлия
кремния
стали
алюминия
Что такое скрайбирование ?
Выберите один ответ:
Разламывание кремниевых пластин на кристаллы
Создание насечек на поверхности кремниевых пластин
Создание тонкой пленки нитрида кремния
Создание легированного полупроводника
Чем характеризуется технологическая операция эпитаксии?
Выберите один или несколько ответов:
Нужна для создания тонкой пленки кремния
Создает легированный полупроводник
Наращивает атомы кремния на поверхность монокристаллической кремниевой пластины
Подходит для выращивания монокристалла
Удельное электрическое сопротивление алюминия составляет
Выберите один ответ:
2 * 10-8 Ом*см
2,6 * 10-6 Ом*см
20 * 10-6 Ом*см
2 * 10-6 Ом*см
Расположите последовательность технологических операций при литографии в правильном порядке.
Выполняется операция легирования
Фоторезист подвергается воздействию света через фотошаблон
Фоторезист наносится на поверхность подложки
Методом травления создается защитная маска
Выберите...
4
3
1
2Цифровые электронные устройства предназначены для обработки
Выберите один ответ:
импульсных сигналов
сигналов, изменяющихся по закону дискретной функции
сигналов, изменяющихся по закону непрерывной функции
только слабых сигналов
Ситал - это
Выберите один ответ:
сплав кремний-тантал
кристаллическое стекло
сплав кремний-талий
кремний-металлическое соединение
Укажите особенности изопланарной технологии.
Выберите один или несколько ответов:
Обеспечивает самосовмещение областей
Позволяет создавать резисторы
Позволяет создавать транзисторы
Позволяет изолировать транзисторы на кристалле друг от друга
Наиболее простая
При гибридной технологии возможно получать катушки с индуктивностью
Выберите один ответ:
до 10 мГн
до 10 нГн
до 10 Гн
до 10 мкГн
Какие применяются способы изоляции транзисторов на кристалле друг от друга?
Выберите один или несколько ответов:
p-n-переходом
Переходом металл-полупроводник
Коллекторной диффузией
Диффузией к подложке
Диэлектриком
Укажите технологическую схему интегрального МОП-конденсатора.
Выберите один ответ:
Изопланарная технология обеспечивает
Выберите один или несколько ответов:
формирование переходов металл-полупроводник
изоляцию транзисторов на кристалле друг от друга p-n-переходом
изоляцию транзисторов на кристалле друг от друга диэлектриком
диффузию к подложке
самосовмещение областей
При какой технологии изоляции паразитный транзистор не появляется?
Выберите один ответ:
Диффузии к коллектору
Диэлектрика
Изопланарной
Диффузии к подложке
При изопланарной технологии
Выберите один или несколько ответов:
диффузия не применяется
формируются переходы металл-полупроводник
обеспечивается самосовмещение областей
обеспечивается изоляция транзисторов на кристалле друг от друга p-n- переходом и диэлектриком
Наименьшее прямое напряжение обеспечивает схема
Выберите один ответ:
Б-ЭК
БК-Э
БЭ-К
Б-К
Б-Э
Укажите технологическую схему стабилитрона с барьером Шоттки.
Выберите один ответ:
На рисунке
представлена схема изоляции транзистора
Выберите один ответ:
диффузией к подложке
диэлектриком
коллекторной диффузией
применением непроводящей подложки
В каких схемах диодного включения транзисторы работают в обратном активном режиме?
Выберите один ответ:
БК-Э
Б-ЭК
Б-Э
БЭ-К
Б-К
На рисунке
представлена технологическая схема
Выберите один ответ:
биполярного транзистора
интегрального температурно-компенсированного стабилитрона
стабилитрона с барьером Шоттки
полевого транзистора
диода
На рисунке
представлена схема изоляции транзистора
Выберите один ответ:
применением непроводящей подложки
коллекторной диффузией
диэлектриком
диффузией к подложке
Почему рационально изготовление GaAs-транзисторов с каналом n-типа?
Выберите один или несколько ответов:
Подвижность электронов в GaAs больше, чем у дырок
Подвижность дырок в GaAs такая же, как в кремнии, а плотность дефектов кристаллической структуры больше
GaAs - это материал с большой шириной запрещенной зоны
Подвижность электронов в GaAs меньше, чем у дырок
GaAs-транзистор с каналом р-типа по сравнению с GaAs-транзистором с каналом n-типа
Выберите один ответ:
имеет меньше плотность дефектов структуры
имеет меньше быстродействие
требует специальной операции для изоляции транзисторов друг от друга
имеет больше быстродействие
Почему нерационально изготовление GaAs-транзисторов с каналом р-типа?
Выберите один ответ:
Подвижность дырок в GaAs такая же, как в кремнии, а плотность дефектов кристаллической структуры больше
GaAs - это материал с большой шириной запрещенной зоны
Подвижность дырок в GaAs больше, чем у электронов
Подвижность электронов в GaAs меньше, чем у дырок
Перекомпенсация дырок неосновными электронами под областью диоксида, изолирующего транзисторы при изопланарной технологии, возникает
Выберите один ответ:
из-за дефектов кристаллической структуры
из-за притяжения электронов к границе кремний-диоксид
из-за соединений кремния
случайно
Почему нерационально изготовление GaAs-транзисторов с каналом р-типа?
Выберите один или несколько ответов:
Подвижность электронов в GaAs меньше, чем у дырок
Подвижность дырок в GaAs меньше, чем у электронов
GaAs - это материал с большой шириной запрещенной зоны
Подвижность дырок в GaAs такая же, как в кремнии, а плотность дефектов кристаллической структуры больше
n-p-n-транзистор с сильнолегированным слоем под областью коллектора
Выберите один или несколько ответов:
имеет больше напряжение коллектор-эмиттер насыщения
более быстродействующий
подходит для создания логических элементов с логическими уровнями стандарта ТТЛ
имеет меньше напряжение коллектор-эмиттер насыщения
Укажите, где МНОП-транзистор.
Выберите один ответ:
GaAs-транзистор с каналом n-типа по сравнению с GaAs-транзистором с каналом р-типа
Выберите один ответ:
имеет больше быстродействие
требует специальной операции для изоляции транзисторов друг от друга
имеет меньше быстродействие
имеет меньше плотность дефектов структуры
Какие из показанных транзисторов биполярные?
Выберите один или несколько ответов:
GaAs-транзистор с каналом
n
-типа по сравнению с кремниевым имеет
Выберите один ответ:
больше площадь, занимаемую на кристалле
меньше быстродействие
быстродействие
больше плотность дефектов структуры
Укажите, где МОП-транзистор с плавающим затвором.
Выберите один ответ:
Какие из показанных транзисторов имеют p-n-p-структуру?
Выберите один ответ:
Укажите МОП-транзистор с плавающим затвором.
Выберите один ответ:
Укажите, где МНОП-транзистор.
Выберите один ответ:
У какого из транзисторов больше напряжение коллектор-эмиттер насыщения?
Выберите один ответ:
Какое высказывание не относится к аналоговым электронным устройствам?
Выберите один ответ:
Непосредственная связь каскадов
Обработка сигналов, изменяющихся по законам дискретной функции
Схемотехническая избыточность
Широкое использование транзисторных структур
Широкое применение обратных связей
Это схема
Выберите один ответ:
сдвига уровня напряжения
дифференциального усилителя
генератора
источника стабильного тока
Это схема
Выберите один ответ:
сдвига уровня напряжения
усилителя переменного тока
замещения каскада усиления напряжения на биполярном транзисторе
источника стабильного тока
усилителя напряжения
Какая из схем преобразователей уровня напряжения обладает большей температурной стабильностью?
Выберите один ответ:
В
Сравнение некорректно
Схемы имеют одинаковую стабильность
Б
Укажите выражение для тока приведенного источника стабильного тока.
Выберите один ответ:
Укажите характеристики аналоговых электронных устройств.
Выберите один или несколько ответов:
Передаточная
Амплитудная
Фазочастотная
Амплитудно-частотная
При какой технологии изоляции паразитный транзистор отсутствует?
Выберите один ответ:
Изопланарной
На диэлектрической подложке
Диффузией к коллектору
Диффузией к подложке
p-n-переходом
Укажите схему Дарлингтона.
Выберите один ответ:
Чем характеризуются аналоговые электронные устройства?
Выберите один или несколько ответов:
Многофункциональностью
Широким использованием транзисторных структур
Схемотехнической избыточностью
Широким применением обратных связей
Универсальностью
Непосредственной связью каскадов
Укажите схему Шиклаи.
Выберите один ответ:
Схемы Шиклаи здесь нет
Паразитный транзистор, возникающий из-за необходимости технологии изоляции, приводит
Выберите один или несколько ответов:
к увеличению базового тока основного транзистора, если он находится в режиме отсечки
к увеличению коллекторного тока основного транзистора, если он находится в режиме насыщения
к увеличению емкости коллектора
к увеличению базового тока основного транзистора, если он находится в активном режиме
к увеличению базового тока основного транзистора, если он находится в режиме насыщения
Паразитный транзистор не появляется при изоляции с использованием
Выберите один ответ:
изопланарной технологии
диффузии к коллектору
диэлектрической подложки
диффузии к подложке
Паразитный транзистор, возникающий из-за необходимости технологии изоляции, приводит
Выберите один ответ:
к увеличению коллекторного тока основного транзистора, если он находится в режиме насыщения
к увеличению базового тока основного транзистора, если он находится в режиме отсечки
к увеличению базового тока основного транзистора, если он находится в активном режиме
к увеличению емкости коллектора
Паразитный транзистор, возникающий из-за необходимости технологии изоляции, приводит
Выберите один ответ:
к увеличению базового тока основного транзистора, если он находится в режиме насыщения
к увеличению коллекторного тока основного транзистора, если он находится в режиме насыщения
к увеличению базового тока основного транзистора, если он находится в активном режиме
к увеличению базового тока основного транзистора, если он находится в режиме отсечки
У какой из приведенных схем источников тока температурная стабильность выше?
Выберите один ответ:
А
Б
У приведенных схем температурная стабильность одинакова
Сравнение некорректно
В операционных усилителях смещение рабочей точки усилителя напряжения
Выберите один ответ:
задается подключением базы транзистора к источнику питания
задает входной каскад
задается включением резистора в цепь эмиттера
задает выходной каскад
На рисунках к операционным усилителям
источник сигнала подключен
Выберите один или несколько ответов:
а – дифференциально
б – синфазно
а – синфазно
б – дифференциально
Это
схема
Выберите один или несколько ответов:
дифференциального каскада операционного усилителя с низким входным сопротивлением
дифференциального каскада операционного усилителя с нагрузкой типа «токовое зеркало»
логического элемента малосигнальной ЭСЛ
дифференциального каскада операционного усилителя с низким коэффициентом усиления
Это
схема
Выберите один или несколько ответов:
дифференциального каскада операционного усилителя с высоким входным сопротивлением
дифференциального каскада операционного усилителя с нагрузкой типа «токовое зеркало»
логического элемента малосигнальной ЭСЛ
логического элемента ЭСЛ
В схемах масштабных усилителей источник сигнала подключен к операционному усилителю
Выберите один ответ:
параллельно
дифференциально
комбинировано
синфазно
Схема Миллера
Выберите один ответ:
обеспечивает интегрирование сигнала
не обеспечивает усиление по току
не обеспечивает усиления по напряжению
обеспечивает дифференцирование сигнала
Как выглядит передаточная характеристика для регенеративного компаратора, приведенного на рисунке?
Выберите один ответ:
Во входных каскадах операционных усилителей применяются транзисторы
Выберите один или несколько ответов:
обычные биполярные
многоэмиттерные
juntion fet
супер-бета
Укажите условия возникновения автоколебаний в электронном устройстве.
Выберите один или несколько ответов:
Наличие обратной связи
Петлевой сдвиг фаз кратен нулю
Петлевой коэффициент усиления больше единицы
Петлевой коэффициент усиления больше нуля
Повышение входного сопротивления операционного усилителя достигается применением
Выберите один или несколько ответов:
униполярных транзисторов в схеме входного дифференциального каскада
включения последовательно со входом резистора
динамической нагрузки типа «токовое зеркало» у дифференциального каскада
однофазной схемы дифференциального каскада
Интегратор Миллера реализует
Выберите один или несколько ответов:
усиление по току
коррекцию АЧХ
усиление по напряжению
дифференцирование сигнала
интегрирование сигнала
Резистор R3 в схеме
Выберите один ответ:
уменьшает изменение напряжения смещения нуля при изменениях температуры
является стандартным для включения ОУ
обеспечивает защиту ОУ, работающего в режиме компаратора
обеспечивает защиту ОУ при коротком замыкании нагрузки
Схема интегратора Миллера
Выберите один ответ:
не обеспечивает усиление по току
обеспечивает дифференцирование сигнала
не обеспечивает усиление по напряжению
реализует коррекцию АЧХ
Резистор R3 в схеме
Выберите один ответ:
корректирует напряжение питания ОУ
нужен для балансировки ОУ
обеспечивает защиту ОУ при коротком замыкании нагрузки
уменьшает изменение напряжения смещения нуля при изменениях температуры
Резистор R6 в схеме
Выберите один ответ:
уменьшает изменение напряжения смещения нуля при изменениях температуры
нужен для балансировки ОУ
корректирует напряжение питания ОУ
обеспечивает защиту ОУ при коротком замыкании нагрузки
---
ПРОМЕЖУТОЧНЫЕ ТЕСТЫ 6-10
Нагрузочная способность - это
Выберите один ответ:
минимальное сопротивление нагрузки логического элемента
максимальный выходной ток логического элемента
предельно допустимый выходной ток логического элемента
число входов, которое одновременно может быть подключено к одному выходу в логическом элементе данного типа без смещения рабочей точки внутрь логического перепада
Сопоставьте рисунок и функцию, которую выполняет логический элемент, изображенный на нем.
В
Б
А
Д
Выберите...
3ИЛИ
3И-НЕ
4ИЛИ-НЕ
И
НЕ
Пороговые напряжения определяются на передаточной характеристиками по точкам
Выберите один ответ:
в которых коэффициент передачи по напряжению равен -3дВ
в которых коэффициент передачи по напряжению равен нулю
в которых дифференциальный коэффициент передачи по напряжению равен единице
границ питающего напряжения
Для схем РТЛ напряжение логической единицы составляет
Выберите один ответ:
-0,8 В
0,4 В
0,05 В
2,4 В
На рисунке изображены характеристики
Выберите один или несколько ответов:
ДТЛ
КМОП-логики
высокопороговой ДТЛ
РТЛ
Среднее время задержки распространения сигнала в логическом элементе в случае входного сигнала прямоугольной формы определяется по формуле
Выберите один ответ:
tзд р ср = t1,0зд р + t0,1зд р
tзд р ср = 0,5(t1,0зд р + t0,1зд р)
tзд р ср = 0,5(t1,0зд + t1,0 + t0,1зд + t0,1)
tзд р ср = t1,0зд + t1,0 + t0,1зд + t0,1
Логический перепад - это
Выберите один ответ:
разница в быстродействии логических элементов
диапазон напряжений между верхней границей напряжения логического нуля и нижней границей напряжения логической единицы
переход элемента из состояния логической единицы в состояние логического нуля
переход элемента из состояния логического нуля в состояние логической единицы
Чем характеризуются цифровые электронные устройства?
Выберите один или несколько ответов:
Широким использованием транзисторных структур
Схемотехнической избыточностью
Нечувствительностью к разбросу параметров элементов
Широким применением обратных связей
Непосредственной связью каскадов
Возможно ли в РТЛ построение элемента конъюнкции? Дать наиболее точный ответ.
Выберите один ответ:
Да
Нет
Да, при ограниченном числе входов
Да, при возможности выравнивания уровней сигналов на входах
На рисунке изображена схема
Выберите один ответ:
элемента И-НЕ ДТЛ
элемента ИЛИ-НЕ
элемента И-НЕ ДТЛ
инвертора высокопороговой ДТЛ
Помехозащищенность логического элемента определяется как
Выберите один ответ:
минимальная разность между пороговым напряжением и соответствующей границей питающего напряжения
разность напряжений, при которых дифференциальный коэффициент передачи по напряжению равен единице
минимальная разность между пороговым напряжением и соответствующей ему границей логического перепада
граница питающего напряжения
Среднее время задержки распространения сигнала в логическом элементе в случае входного сигнала не прямоугольной формы определяется по формуле
Выберите один ответ:
tзд р ср = t1,0зд р + t0,1зд р
tзд р ср = 0,5(t1,0зд р + t0,1зд р)
tзд р ср = 0,5(t1,0зд + t1,0 + t0,1зд + t0,1)
tзд р ср = t1,0зд + t1,0 + t0,1зд + t0,1
Какое действие приводит к повышению быстродействия логических элементов?
Выберите один ответ:
Увеличение напряжения питания
Увеличение размеров транзисторов
Увеличение частоты следования входных сигналов
Переход от ключевого к активному режиму работы транзисторов
Какое действие приводит к понижению помехозащищенности логических элементов?
Выберите один ответ:
Переход от активного к ключевому режиму работы транзисторов
Уменьшение логического перепада
Переход с арсенида галлия на кремний
Уменьшение размеров элементов
Чем характеризуются цифровые электронные устройства?
Выберите один или несколько ответов:
Схемотехнической простотой
Непосредственной связью каскадов
Схемотехнической избыточностью
Широким использованием транзисторных структур
Широким применением обратных связей
При входном напряжении 1 В транзистор VT2 в схеме работает в режиме
Выберите один ответ:
инверсном активном
отсечки
насыщения
прямом активном
Помехозащищенность малосигнальной ТТЛ -
Выберите один ответ:
1,4 В
50 мВ
300 мВ
1 В
При входном напряжении 1 В транзистор VT1 в схеме работает в режиме
Выберите один ответ:
отсечки
насыщения
прямом активном
инверсном активном
При входном напряжении 0,1 В транзистор VT1 в схеме работает в режиме
Выберите один ответ:
прямом активном
инверсном активном
отсечки
насыщения
Показанный на рисунке элемент реализует
Выберите один или несколько ответов:
логическую функцию ИЛИ-НЕ
функцию фильтра высоких частот
логическую функцию И-НЕ
логическую функцию 4И-НЕ
усиление низких частот
При входном напряжении 0,7-0,75 В транзистор VT2 в схеме работает в режиме
Выберите один ответ:
прямом активном
инверсном активном
насыщения
отсечки
Диод VD в схеме нужен
Выберите один ответ:
для предотвращения короткого замыкания нагрузки
для снижения выходного напряжения
при логическом нуле на входе
для предотвращения одновременного открывания транзисторов VT3, VT4
Показанный на рисунке элемент реализует
Выберите один или несколько ответов:
логическую функцию И-НЕ
усиление низких частот
функцию фильтра высоких частот
логическую функцию 4И
логическую функцию ИЛИ-НЕ
На рисунке представлен инвертор
Выберите один ответ:
ЭСЛ
РТЛ
ДТЛ
малосигнальной ТТЛ
ТТЛ
При входном напряжении 1,5 В транзисторы в схеме
работают в режимах
VT2
Выберите...
Насыщение
Активный инверсный
Отсечка
VT4
Выберите...
Насыщение
Активный инверсный
Отсечка
VT3
Выберите...
Насыщение
Активный инверсный
Отсечка
VT1
Выберите...
Насыщение
Активный инверсный
Отсечка
Отметьте верные высказывания применительно к схеме, показанной на рисунке.
Выберите один или несколько ответов:
На рисунке показана схема элемента И-НЕ
Если на всех входах логического элемента присутствуют логические нули, то транзистор VT2 в отсечке
Диод VD защищает транзистор VT3 от обратного тока
На рисунке показана схема элемента ИЛИ-НЕ
На рисунке изображены характеристики
Выберите один ответ:
ТТЛ малой степени интеграции
малосигнальной ТТЛ
высокопороговой ДТЛ
ДТЛ
Помехозащищенность ТТЛ -
Выберите один ответ:
1 В
50 мВ
300 мВ
1,4 В
При входном напряжении 0,1 В транзистор VT2 в схеме работает в режиме
Выберите один ответ:
прямом активном
насыщения
отсечки
инверсном активном
Для схем ТТЛ напряжение логической единицы составляет
Выберите один ответ:
2,4 В
0,4 В
0,05 В
-0,8 В
Нагрузочная способность какого из инверторов выше?
Выберите один ответ:
Выберите, на каком рисунке показана схема элемента И-НЕ.
Выберите один ответ:
На рисунке Б
Ни на одном
На обоих рисунках
На рисунке А
Для логики с инжекционным питанием напряжение логического нуля составляет
Выберите один ответ:
0,6 В
2,4 В
0,1 В
0,4 В
Наименьшую степень интеграции из перечисленных имеют микросхемы
Выберите один ответ:
КМОП
с инжекционным питанием
р-МОП
ТТЛ
Наибольшую степень интеграции из перечисленных имеют микросхемы
Выберите один ответ:
с инжекционным питанием
ТТЛ
высокопороговой ДТЛ
КМОП
У элемента И2Л при увеличении тока инжектора
Выберите один или несколько ответов:
время задержки распространения растет
помехозащищенность не меняется
напряжение логической единицы растет
время задержки распространения уменьшается
Для схем n-MOП напряжение логического нуля составляет
Выберите один ответ:
0,05 В
0,4 В
-0,8 В
2,4 В
Наибольшее энергопотребление из перечисленных имеют логические элементы
Выберите один ответ:
высокопороговой ДТЛ
с инжекционным питанием
ТТЛ
КМОП
Наименьшее быстродействие из перечисленных имеют логические элементы
Выберите один ответ:
КМОП
МЕП-логики
ТТЛ
высокопороговой ДТЛ
Наименьшее энергопотребление из перечисленных имеют логические элементы
Выберите один ответ:
ТТЛШ
КМОП
ДТЛ
с инжекционным питанием
Среднее время задержки распространения сигнала в р-МОП логике составляет
Выберите один ответ:
100 НС
20 нс
2 нс
1 мкс
Укажите помехозащищенность И2Л.
Выберите один ответ:
1,4 В
50 мВ
1 В
300 мВ
У элемента И2Л при уменьшении тока инжектора
Выберите один или несколько ответов:
помехозащищенность не меняется
время задержки распространения растет
время задержки распространения уменьшается
работа переключения уменьшается
У схемы ЭСЛ с усилителями тока, подключенными к выходам, напряжение логического нуля составляет
Выберите один ответ:
2,4 В
-1,6 В
0,4 В
-0,8 В
Какой из транзисторов выполнен по технологии интегральной инжекционной логики?
Выберите один ответ:
Хранение информации с обязательной периодической ее регенерацией может быть реализовано на основе
Выберите один или несколько ответов:
приборов с зарядовой связью
бистабильных ячеек
приборов на поверхностных акустических волнах
приборов на цилиндрических магнитных доменах
Это
Выберите один ответ:
многополосковая структура для разветвления ПАВ
многополосковая структура для фокусировки ПАВ
многополосковая структура для отражения ПАВ
многополосковая структура для приема ПАВ
Длительное хранение информации может быть реализовано на основе
Выберите один или несколько ответов:
приборов на поверхностных акустических волнах
приборов на продольных акустических волнах
приборов с зарядовой связью
приборов на цилиндрических магнитных доменах
Длительное хранение информации без регенерации может быть реализовано на основе
Выберите один или несколько ответов:
приборов на поверхностных акустических волнах
приборов на цилиндрических магнитных доменах
приборов с зарядовой связью
бистабильных ячеек
транзисторов с плавающим затвором
Длительное хранение информации без регенерации может быть реализовано на основе
Выберите один ответ:
приборов на продольных акустических волнах
приборов на поверхностных акустических волнах
транзисторов с плавающим затвором
приборов с зарядовой связью
Функциональная электроника отличается от схемотехнической
Выберите один ответ:
наличием питания
использованием нетранзисторных явлений
хранением информации без электропитания
наличием обратных связей
Плотность записи информации в приборах на цилиндрических магнитных доменах
Выберите один ответ:
107-108 бит/мм
10-102 бит/мм
104-105 бит/мм
102-105 бит/мм
В приборах с зарядовой связью в потенциальных ямах накапливаются
Выберите один ответ:
дырки
электроны
вода
ионы
Скорость звука в пьезокристалле составляет
Выберите один ответ:
1*1013 м/с
1*103 мм/с
1*103 м/с
1*103 км/с
Длительное хранение информации может быть реализовано на основе
Выберите один или несколько ответов:
бистабильных ячеек
приборов с зарядовой связью
приборов на поверхностных акустических волнах
приборов на продольных акустических волнах
Прямой пьезоэлектрический эффект - это
Выберите один ответ:
преобразование магнитного сигнала в электрический
преобразование акустического сигнала в механический
преобразование акустического сигнала в электрический
преобразование электрического сигнала в акустический
Хранение информации с обязательной периодической ее регенерацией может быть реализовано на основе
Выберите один или несколько ответов:
приборов с зарядовой связью
приборов на цилиндрических магнитных доменах
электрических конденсаторов
бистабильных ячеек
Функциональная электроника отличается от схемотехнической
Выберите один ответ:
использованием различных физических явлений в средах
отсутствием электропитания
наличием обратных связей
хранением информации без электропитания
Способны хранить информацию как в цифровой, так и в аналоговой форме
Выберите один ответ:
ПЗУ
ОЗУ
ПЗС
приборы на основе ЦМД
Магниторезистивный эффект - это
Выберите один ответ:
преобразование акустического сигнала в электрический
преобразование электрического сигнала в магнитный
изменение индуктивности при изменении электрического поля
изменение сопротивления при изменении магнитного поля
Ячейка РПЗУ
Выберите один ответ:
Скорости записи и считывания неодинаковы
Выберите один или несколько ответов:
в статических ОЗУ
динамических ОЗУ
РПЗУ
ППЗУ
Укажите запоминающую ячейку статического ОЗУ.
Выберите один ответ:
Здесь нет запоминающих ячеек
Обе схемы
ЕЕРROM обладают возможностью
Выберите один ответ:
занесения в в него информации при изготовлении
хранения аналоговой информации
занесения в в него информации после изготовления
избирательного стирания информации в любом отдельном элементе памяти
Какой из показанных транзисторов выполнен по технологии JunctionFET?
Выберите один ответ:
Флэш-память построена на основе
Выберите один ответ:
РПЗУ
ОЗУ
МПЗУ
статических ОЗУ
Для повышения быстродействия в импульсном (ключевом) режиме работы в биполярных транзисторах применяют
Выберите один или несколько ответов:
уменьшение размеров транзисторов
активный режим
легирование кремния золотом
переходы Шоттки
ЕЕРROM обладают возможностью
Выберите один или несколько ответов:
занесения в него информации при изготовлении
многократного электрического программирования
хранения аналоговой информации
избирательного стирания информации в любом отдельном элементе памяти
Ширина выборки - это
Выберите один ответ:
число слов памяти в накопителе
число бит памяти в накопителе
число разрядов в слове
число адресов слов
Энергонезависимое хранение информации может быть реализовано на основе
Выберите один или несколько ответов:
приборов на поверхностных акустических волнах
транзисторов с плавающим затвором
бистабильных ячеек
приборов с зарядовой связью
МНОП-транзисторов
ПЗУ (ROM) обладают возможностью
Выберите один ответ:
электрического стирания информации
однократного электрического программирования
воспроизведения информации, заносимой в него при изготовлении
многократного электрического программирования
Скорости записи и считывания одинаковы
Выберите один или несколько ответов:
МПЗУ
в статических ОЗУ
динамических ОЗУ
РПЗУ
Энергонезависимое хранение информации может быть реализовано на основе
Выберите один или несколько ответов:
МНОП-транзисторов
МПЗУ
транзисторов с плавающим затвором
бистабильных ячеек
ОЗУ
Стирание информации ультрафиолетом реализуется
Выберите один ответ:
в ППЗУ
в РПЗУ
в ПЗУ
в ОЗУ
Принцип действия основан на туннелировании зарядов у микросхем
Выберите один ответ:
ЛИПЗ МОП РПЗУ
ППЗУ
ОЗУ
РПЗУ с электрическим стиранием
