Расчет основных параметров фоторезистора
Антиплагиат
Не указан
Размещена
2 Апр 2013
в 18:39
ВУЗ
ННГУ им. Лобачевского
Курс
5 курс
Стоимость
1 000 ₽
Демо-файлы
1
Пояснение к курсовой работе
Файлы работы
1
Каждая работа проверяется на плагиат, на момент публикации
уникальность составляет не менее 40% по системе проверки eTXT.
курсовая ФР
Описание
Главным заданием курсовой работы является расчет основных параметров фоторезистора.
Расчет фоторезистора ФС-К1:
Задано:
Параметры регистрируемого излучения: длинноволновая граница поглощения λ_гр=0,5 мкм, плотность потока излучения Р/А [Вт/〖см〗^2].
Геометрические размеры фоточувствительного элемента: площадь поверхности А = 28 〖мм〗^2.
Электрические параметры фоторезистора: темновое сопротивление R_т=〖10〗^7 Ом, рабочее напряжение U = 400 В.
Также известны следующие параметры:
Мощность рассеяния Р = 0,2 Вт
Удельная чувствительность K_0=6000мкА/В
Кратность изменения сопротивления R_c/R_т =140
Нужно определить:
Тип полупроводникового материала и его электрические параметры: σ, ρ.
Геометрические размеры фоточувствительного элемента: w, l, d.
Световые параметры фоторезистора: I_ф, S_i.
Расчет фоторезистора ФС-К1:
Задано:
Параметры регистрируемого излучения: длинноволновая граница поглощения λ_гр=0,5 мкм, плотность потока излучения Р/А [Вт/〖см〗^2].
Геометрические размеры фоточувствительного элемента: площадь поверхности А = 28 〖мм〗^2.
Электрические параметры фоторезистора: темновое сопротивление R_т=〖10〗^7 Ом, рабочее напряжение U = 400 В.
Также известны следующие параметры:
Мощность рассеяния Р = 0,2 Вт
Удельная чувствительность K_0=6000мкА/В
Кратность изменения сопротивления R_c/R_т =140
Нужно определить:
Тип полупроводникового материала и его электрические параметры: σ, ρ.
Геометрические размеры фоточувствительного элемента: w, l, d.
Световые параметры фоторезистора: I_ф, S_i.
Вам подходит эта работа?
Похожие работы
Другие работы автора
500 ₽
300 ₽
300 ₽
Предыдущая работа
Следующая работа