Шириной запрещенной зоны в полупроводниках считается область, разделяющая валентную зону от зоны проводимости, которая характеризуется энергией Eg. Рассмотрим действие света на полупроводник. При прохождении света в глубь полупроводника электроны валентной зоны поглощают кванты света и переходят в зону проводимости, если энергия квантов hν>Eg.Следовательно, интенсивность света уменьшается по мере проникновения света в глубь полупроводника. Поскольку в идеальном полупроводнике нет энергетических уровней в запрещенной зоне, такой полупроводник должен быть прозрачен для света, энергия кванта которого меньше критического значения hν=Eg, при условии, что поглощение квантов света обусловлено только перебросом электронов из валентной зоны в зону проводимости. Такое поглощение называется собственным; величина νкр определяет край собственного поглощения.