Получение маскирующих покрытий в планарной технологии

Все методы нанесения маскирующих покрытий можно разделить на две группы [1].
1.Методы, в которых образование пленок происходит за счет окисления самой кремниевой подложки (термическое и анодное окисление).
2. Методы, в которых происходит осаждение маскирующих покрытий из внешней фазы на любые подложки (пиролитическое осаждение, плазмен¬ное анодирование и т.д.).
В планарной технологии наиболее распространенным является метод высокотемпературного окисления. Особенно широкое распространение получили методы окисления кремния в сухом, влажном кислороде и парах воды. Термически выращенный окисел Si02 обладает наилучшими маскирующими свойствами и высокими электрическими качествами.