💯 Силовая электроника.ти (ответы на тест Синергия / МТИ / МосАП, октябрь 2022)

Силовая электроника

• ответы на 82 вопроса
• результат 87...100 баллов из 100 (итоговая оценка "Хорошо"..."Отлично")
• вопросы отсортированы по алфавиту

Силовая электроника.ти

1. Учебные материалы

Биполярный транзистор с изолированным затвором IGBT сочетает особенности

Тип ответа: Множественный выбор

• полевого транзистора с горизонтальным каналом
• униполярного транзистора
• полевого транзистора с вертикальным каналом
• биполярного транзистора

Быстродействие IGBT транзистора

Тип ответа: Множественный выбор

• выше быстродействия полевых транзисторов
• ниже быстродействия полевых транзисторов
• выше быстродействия биполярных транзисторов
• ниже быстродействия биполярных транзисторов

В асинхронной одноканальной системе управления 3-х фазным выпрямителем частота задающего генератора (ЗГ)

Тип ответа: Одиночный выбор

• в шесть раз превышает частоты питающей сети
• в три раза меньше частоты питающей сети
• равна частоте питающей сети
• в три раза превышает частоту питающей сети

В инверсном режиме работы силового биполярного транзистора p-n-p-типа переходы смещаются

Тип ответа: Множественный выбор

• коллектор-база - в обратном направлении
• эмиттер-база - в прямом направлении
• коллектор-база - в прямом направлении
• эмиттер-база - в обратном направлении

В МОП-транзисторе управляющее напряжение, регулирующее ширину проводящего канала, подается на

Тип ответа: Одиночный выбор

• исток
• подложку
• затвор
• сток

В режиме отсечки биполярный транзистор можно заменить

Тип ответа: Одиночный выбор

• замкнутым ключом
• источником тока коллектора, управляемого током базы
• источником тока эмиттера, управляемого током базы
• разомкнутым ключом

В силовых инверторах с GTO ключами и двигательной нагрузкой энергия, запасаемая в паразитных и ограничивающих анодных индуктивностях,

Тип ответа: Множественный выбор

• прямо пропорциональна величине паразитной индуктивности
• прямо пропорциональна квадрату величины анодного тока
• обратно пропорциональна величине паразитной индуктивности
• обратно пропорциональна квадрату величины анодного тока

В силовых приборах на основе многослойных p-n-переходов с неполной управляемостью

Тип ответа: Множественный выбор

• включение осуществляется при спаде тока через прибор до нуля
• выключение осуществляется сигналом управления
• включение осуществляется сигналом управления
• выключение – при спаде тока через прибор до нуля

В системе управления инвертором автономного типа с 2-х ступенчатой коммутацией частота на выходе задающего генератора (ЗГ)

Тип ответа: Одиночный выбор

• в четыре раза меньшей выходной частоты инвертора
• в два раза превышает выходную частоту инвертора
• в четыре раза превышает выходную частоту инвертора
• в два раза меньшей выходной частоты инвертора

В структуре биполярного транзистора крайний слой, принимающий заряды, называется

Тип ответа: Одиночный выбор

• база
• коллектор
• подложка
• эмиттер

В структурной схеме, реализующей вертикальный способ управления, содержится

Тип ответа: Множественный выбор

• фазосдвигающее устройство (ФСУ)
• нуль-орган (НО)
• генератор пилообразного напряжения (ГПН)
• компаратор (К)

В схеме ФИУ комплементарные транзисторы используют в основном для

Тип ответа: Одиночный выбор

• увеличения мощности, потребляемой ФИУ
• повышения частотных характеристик ФИУ
• снижения частотных характеристик ФИУ
• снижения мощности, потребляемой ФИУ

Величина заряда обратного восстановления силового диода

Тип ответа: Одиночный выбор

• прямо пропорциональна амплитуде входного сигнала
• прямо пропорциональна частоте коммутации
• обратно пропорциональна мощности потерь обратного восстановления
• прямо пропорциональна энергии обратного восстановления

Время восстановления обратного сопротивления для диодов общего назначения достигает:

Тип ответа: Одиночный выбор

• от 25 до 100 мкс
• от 1 до 5 мкс
• от 25 до 100 нс
• от 1 до 5 нс

Входной ток оптронов в импульсном режиме составляет

Тип ответа: Одиночный выбор

• порядка 0,1 А
• порядка 0,5 А
• порядка 0,3 А
• порядка 0,2 А

Входной ток оптронов в статическом режиме составляет

Тип ответа: Одиночный выбор

• от 10 до 20 А
• от 20 до 40 мА
• от 10 до 20 мА
• от 20 до 40 А

Диоды общего назначения на основе p-n-перехода характеризуются

Тип ответа: Одиночный выбор

• высокими значениями обратного напряжения и прямого тока
• высокими значениями прямого напряжения и прямого тока
• низкими значениями обратного напряжения и прямого тока
• низкими значениями обратного напряжения и обратного тока

Для ограничения напряжения на затворе полевого транзистора параллельно выходному узлу драйвера включают

Тип ответа: Множественный выбор

• шунтирующий высокочастотный конденсатор небольшой емкости
• быстродействующий диод
• низкочастотный диод
• шунтирующий низкочастотный конденсатор большой емкости

Для систем питания двигателей постоянного тока от сети переменного тока эффективно используют

Тип ответа: Множественный выбор

• симисторы (триаки)
• однооперационные тиристоры
• МОП-транзисторы
• биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

Допустимый ток тиристора в относительных единицах с ростом температуры окружающей среды

Тип ответа: Одиночный выбор

• уменьшается до нуля
• возрастает
• не изменяется вообще
• вначале уменьшается, а потом увеличивается

Достоинства БСИТ по сравнению с СИТ

Тип ответа: Множественный выбор

• напряжение отсечки равно нулю
• напряжение отсечки имеет отрицательное значение
• при отсутствии напряжения на затворе БСИТ находится в закрытом состоянии
• при отсутствии напряжения на затворе БСИТ находится в открытом состоянии

Если при работе запираемых тиристоров скорость нарастания тока di/dt превышает предельно установленный уровень, то

Тип ответа: Множественный выбор

• улучшаются частотные и динамические свойства прибора
• снижается мощность потерь
• ухудшаются частотные и динамические свойства прибора
• возрастает мощность потерь

Идеальный диод переходит в замкнутое состояние, если

Тип ответа: Одиночный выбор

• напряжение на аноде меньше, чем напряжение на катоде
• напряжение на аноде равно напряжению на катоде
• напряжение на аноде больше, чем напряжение на катоде
• напряжения на аноде и катоде отсутствуют

К аппаратам высокого напряжения, предназначенным для компенсации реактивной мощности, относятся

Тип ответа: Одиночный выбор

• разъединители и отделители
• ограничители перенапряжений
• шунтирующие реакторы
• разделительные трансформаторы

К недостаткам МОП-транзисторов относится

Тип ответа: Множественный выбор

• малое значение входной емкости
• большое значение входной емкости
• повышенное сопротивление в проводящем состоянии
• очень низкое сопротивление в проводящем состоянии

К недостаткам оптронной развязки в ФИУ не относится

Тип ответа: Одиночный выбор

• низкий коэффициент передачи тока
• температурная нестабильность параметров
• большая задержка передачи сигналов
• потенциальная развязки информационного сигнала

К новым типам комбинированных транзисторов относятся

Тип ответа: Множественный выбор

• транзисторы со статической индукцией
• биполярные транзисторы с изолированным затвором
• симистор
• полевой тиристор МСТ

К основным достоинствам однотактных схем импульсных преобразователей относятся

Тип ответа: Множественный выбор

• симметричный режим работы трансформатора
• малое количество силовых ключей
• простота реализации схем управления
• интеллектуальная система управления

К основным проблемам прямого управления силовым полевым транзистором в импульсных источниках питания относятся

Тип ответа: Множественный выбор

• высокий уровень выходного тока драйвера
• низкая рассеиваемая мощность в драйвере
• ограниченный выходной ток драйвера
• оптимизация разводки печатной платы

К основным статическим параметрам полевых транзисторов с изолированным затвором не относятся

Тип ответа: Множественный выбор

• энергия потерь при выключении
• максимально допустимое напряжение затвор-исток
• выходная емкость
• максимально допустимый ток стока

К основным статическим параметрам полевых транзисторов с изолированным затвором относятся:

Тип ответа: Множественный выбор

• входная емкость
• энергия потерь при включении
• максимально допустимый ток стока
• крутизна передаточной характеристики

К предельно допустимым параметрам силового диода относится

Тип ответа: Одиночный выбор

• импульсное обратное напряжение
• напряжение пробоя
• время нарастания прямого тока
• динамическое сопротивление

К проблемам использования трансформаторных ФИУ для управления силовыми ключами с изолированным затвором не относятся

Тип ответа: Множественный выбор

• зависимость амплитуды импульса управления от скважности
• независимость стабильности времени выключения от длительности прямого сигнала
• зависимость стабильности времени выключения от длительности прямого сигнала
• независимость амплитуды импульса управления от скважности

К функциям системы управления силовым электронным устройством относятся

Тип ответа: Множественный выбор

• преобразование переменного напряжения в постоянное напряжение
• преобразование постоянного напряжения в переменное напряжение
• формирование сигналов управления силовой частью
• осуществление оперативного обмена с внешней средой

Какая из схем включения полевого транзистора позволяет получить значительные коэффициенты усиления по току, напряжению и мощности одновременно

Тип ответа: Одиночный выбор

• с общей базой (ОБ)
• с общим истоком (ОИ)
• с общей подложкой (ОП)
• с общим стоком (ОС)

Какие из нижеперечисленных систем не относятся к дискретным системам

Тип ответа: Одиночный выбор

• импульсные
• цифровые
• непрерывные
• релейные

Какие полевые транзисторы не входят в общую группу по принципу действия

Тип ответа: Одиночный выбор

• транзисторы с изолированным затвором (ПТИЗ)
• транзисторы с управляющим p-n-переходом (p-n-затвором) (ПТУП)
• МОП - транзисторы (металл -окисел-полупроводник)
• МДП - транзисторы (металл -диэлектрик-полупроводник

Какие силовые приборы не относятся к основным группам «разумных» преобразовательных приборов

Тип ответа: Одиночный выбор

• силовые ключи с встроенными системами защиты
• силовые ключи с интегрированными функциями защиты и управления
• силовые ключи с внешними системами защиты и управления
• силовые интеллектуальные модули

Каких силовых МОП-транзисторов с изолированным затвором не существует

Тип ответа: Одиночный выбор

• с проводным каналом
• со встроенным каналом
• с индуцированным каналом
• с проецированным каналом

Какое импульсное обратное напряжение имеет силовой диод 6-го класса

Тип ответа: Одиночный выбор

• 6 В
• 600 В
• 60 В
• 6000 В

Конструктивно симистор представляет собой

Тип ответа: Одиночный выбор

• объединение двух встречновключенных тиристоров
• объединение трех встречновключенных тиристоров
• объединение двух прямовключенных тиристоров
• объединение трех прямовключенных транзисторов

Коэффициент насыщения биполярного транзистора прямо пропорционален

Тип ответа: Одиночный выбор

• току коллектора в граничном режиме
• току базы в граничном режиме
• току базы в насыщенном режиме
• току коллектора в насыщенном режиме

Коэффициент передачи тока в транзисторе Дарлингтона равен

Тип ответа: Одиночный выбор

• сумме коэффициентов передачи тока двух составных транзисторов
• произведению коэффициентов передачи тока двух составных транзисторов
• разности коэффициентов передачи тока двух составных транзисторов
• отношению коэффициентов передачи тока двух составных транзисторов

Многоканальная система управления 3-х фазным выпрямителем содержит

Тип ответа: Множественный выбор

• один генератор пилообразного напряжения
• один синхронизатор
• три синхронизатора
• три генератора пилообразного напряжения

Мощность потерь обратного восстановления силового диода равна

Тип ответа: Одиночный выбор

• произведению величины заряда обратного восстановления и частоты коммутации
• произведению величины заряда обратного восстановления и амплитуды входного сигнала
• произведению энергии обратного восстановления и частоты коммутации
• произведению амплитуды входного сигнала и частоты коммутации

Мощные МДП-транзисторы и высокочастотные биполярные транзисторы с изолированным затвором IGBT применяются в

Тип ответа: Одиночный выбор

• источниках питания с частотой преобразования от 250 до 500 кГц и с выходной мощностью до единиц кВт
• источниках питания с частотой преобразования от 75 до 200 кГц и с выходной мощностью до единиц кВт
• источниках питания с частотой преобразования от 250 до 500 кГц и с выходной мощностью до десятков кВт
• источниках питания с частотой преобразования от 75 до 200 кГц и с выходной мощностью до десятков кВт

Мощные полевые транзисторы (MOSFET) не применяются в

Тип ответа: Одиночный выбор

• автоэлектронике
• сварочных аппаратах
• аудиотехнике
• видеотехнике

Наиболее важными методами защиты от токовой перегрузки не являются

Тип ответа: Одиночный выбор

• подключение внешних дополнительных защитных устройств
• повышение уровня помехозащищенности системы управления и ключа
• определение момента перегрузки и подключение системы защиты
• уменьшение влияния паразитных элементов монтажа

Не существует вида модуляции со следующими временными параметрами

Тип ответа: Одиночный выбор

• период импульса TO= const, длительность импульса tИ = const
• период импульса TO= var, длительность импульса tИ = var
• период импульса TO= const, длительность импульса tИ = var
• период импульса TO= var, длительность импульса tИ = const

Нуль-орган не может быть выполнен на базе:

Тип ответа: Одиночный выбор

• ключевых транзисторов, работающих под управлением синхроимпульсов
• полупроводниковых диодов, работающих под управлением синхроимпульсов
• трансформатора, который перемагничивается в момент перехода синхронизирующего напряжения через нуль
• сравнивающего устройства в интегральном исполнении

Ограничением применения биполярных транзисторов в синхронных выпрямителях является условие: максимально допустимое обратное напряжение эмиттерного перехода должно быть

Тип ответа: Одиночный выбор

• равно 2-х кратному выходному напряжению выпрямителя
• больше 2-х кратного выходного напряжения выпрямителя
• меньше 2-х кратного выходного напряжения выпрямителя
• равно выходному напряжению выпрямителя

Оптотиристор – это

Тип ответа: Одиночный выбор

• тиристор со встроенным в него светоизлучателем
• фототиристор со встроенным в него светоприемником
• тиристор со встроенным в него светоприемником
• фототиристор со встроенным в него светоизлучателем

Основными видами перегрузок по напряжению не являются

Тип ответа: Одиночный выбор

• характер подключенной нагрузки
• коммутационные процессы
• воздействие питающей сети
• короткое замыкание цепи нагрузки

Особенностью МОП-транзисторов является

Тип ответа: Одиночный выбор

• низкое входное сопротивление и высокое быстродействие
• низкое входное сопротивление и низкое быстродействие
• высокое входное сопротивление и высокое быстродействие
• высокое выходное сопротивление и низкое быстродействие

Отсутствие неосновных носителей в диоде Шоттки не обеспечивает

Тип ответа: Одиночный выбор

• предельное обратное напряжение более 100 В
• низкую инерционность прибора
• время обратного восстановления не более 0,3 мкс
• падение прямого напряжения от 0,3 до 0,6 В

Передаточной характеристикой IGBT транзистора называется зависимость тока коллектора от напряжения между

Тип ответа: Одиночный выбор

• затвором и эмиттером при заданном напряжении между затвором и коллектором
• затвором и эмиттером при заданном напряжении между коллектором и эмиттером
• коллектором и эмиттером при заданном напряжении между затвором и эмиттером
• коллектором и эмиттером при заданном напряжении между затвором и коллектором

Плоскостные диоды

Тип ответа: Множественный выбор

• имеют малую площадь p-n-перехода
• используются для выпрямления малых токов
• используются для выпрямления больших токов
• имеют большую площадь p-n-перехода

Полевой транзистор в линейном режиме используется как

Тип ответа: Одиночный выбор

• источник тока, управляемый напряжением на затворе
• сопротивление, управляемое напряжением на затворе
• источник тока, управляемый током на затворе
• сопротивление, управляемое током на затворе

Полевые транзисторы нельзя включать по схеме

Тип ответа: Одиночный выбор

• с общим затвором (ОЗ)
• с общим стоком (ОС)
• с общим истоком (ОИ)
• с общей базой (ОБ)

Предельная частота управления силовым ключом полевого транзистора

Тип ответа: Множественный выбор

• прямо пропорциональна среднему выходному току драйвера
• прямо пропорциональна величине заряда во входной цепи ключа
• обратно пропорциональна среднему выходному току драйвера
• обратно пропорциональна величине заряда во входной цепи ключа

При изготовлении полевых транзисторов с изолированным затвором, имеющих вертикальный канал, образуется паразитный

Тип ответа: Одиночный выбор

• p-n-переход
• униполярный транзистор
• биполярный транзистор
• n-p-переход

При переходе в закрытое состояние мощность потерь в силовом диоде

Тип ответа: Одиночный выбор

• резко увеличивается
• резко уменьшается
• равна нулю
• увеличивается постепенно

При подаче обратного напряжения смещения сопротивление идеального диода

Тип ответа: Одиночный выбор

• стремится к бесконечности
• меньше нуля
• равно нулю
• имеет конечную величину

При подаче прямого напряжения смещения сопротивление идеального диода

Тип ответа: Одиночный выбор

• больше нуля
• меньше нуля
• стремится к бесконечности
• равно нулю

При фазоимпульсном способе управления напряжение с анода тиристора поступает

Тип ответа: Одиночный выбор

• через устройство синхронизации (УС) на вход фазосдвигающего устройства (ФСУ)
• через устройство синхронизации (УС) на вход нуль - органа (НО)
• через устройство синхронизации УС на вход генератора пилообразного напряжения (ГПН)
• на вход фазосдвигающего устройства (ФСУ)

Принципы построения систем управления преобразовательными устройствами не зависят от

Тип ответа: Одиночный выбор

• функционального назначения преобразовательных устройств
• конструкции преобразовательного устройства
• типа преобразовательных устройств
• элементной базы электронных ключей

Сигналы управления, поступающие на вход блока обработки информации (БОИ), могут

Тип ответа: Множественный выбор

• транслироваться в устройство контроля и диагностики (УКД)
• обрабатываться непосредственно в блоке БОИ
• транслироваться в блок коммутационной аппаратуры КА
• транслироваться в блок датчиков Д

Силовой диод содержит

Тип ответа: Одиночный выбор

• два p-n-перехода
• один p-n-переход
• три p-n-перехода
• один p-n-p-переход

Силовой униполярный транзистор – это полупроводниковый

Тип ответа: Одиночный выбор

• не полностью управляемый прибор
• полностью управляемый током прибор
• неуправляемый прибор
• полностью управляемый электрическим полем прибор

Статический индукционный транзистор по сравнению с полевым транзистором с изолированным затвором имеет

Тип ответа: Множественный выбор

• более низкое быстродействие
• более высокое сопротивление канала в проводящем состоянии
• более высокое быстродействие
• более низкое сопротивление канала в проводящем состоянии

Статический индукционный транзистор СИТ может работать при

Тип ответа: Множественный выбор

• обратном смещении затвора (режим биполярного транзистора)
• прямом смещении затвора (режим полевого транзистора)
• прямом смещении затвора (режим биполярного транзистора)
• обратном смещении затвора (режим полевого транзистора)

Структура IGBT транзистора отличается от структуры DМОП-транзистора

Тип ответа: Одиночный выбор

• дополнительным слоем полупроводника n-типа
• дополнительным слоем полупроводника p-типа
• дополнительным слоем полупроводника p-n-типа
• дополнительным слоем полупроводника n-p-типа

Схема замещения реального силового диода при низкой частоте не содержит

Тип ответа: Одиночный выбор

• идеальный диод
• катушку индуктивности
• электрическую батарею
• резистор с динамическим сопротивлением

Сходство характеристик БТИЗ и ПТИЗ в области безопасной работы

Тип ответа: Множественный выбор

• наличие участка вторичного пробоя
• высокая температурная устойчивость
• низкая температурная устойчивость
• отсутствие участка вторичного пробоя

Ток стока IGBT транзистора

Тип ответа: Множественный выбор

• обратно пропорционален эквивалентной крутизне
• обратно пропорционален напряжению на затворе
• прямо пропорционален эквивалентной крутизне
• прямо пропорционален напряжениюна затворе

Фазосдвигающие устройства (ФСУ) не строятся на базе

Тип ответа: Одиночный выбор

• управляемых транзисторных генераторов
• импульсных трансформаторов
• R-L-Сцепей
• интегральных микросхем

Форсированный вывод биполярного транзистора электронного ключа из режима насыщения осуществляется

Тип ответа: Одиночный выбор

• путем размыкания его базовой цепи
• путем размыкания его эмиттерной цепи
• путем размыкания его коллекторной цепи
• путем размыкания его затворной цепи

Фототиристор – это фотоэлектронный прибор

Тип ответа: Множественный выбор

• имеющий трехслойную структуру
• управляемый электрическими импульсами
• имеющий четырехслойную структуру
• управляемый световыми импульсами

Электрический пробой силового диода возникает, когда

Тип ответа: Одиночный выбор

• обратное напряжение уменьшается по отношению к установленному порогу
• обратное напряжение увеличивается сверх установленного порога
• обратное напряжение отсутствует
• обратное напряжение равно значению установленного порога

Электронный аппарат – это электротехническое устройство управления потоками

Тип ответа: Множественный выбор

• энергии
• информации
• тока
• напряжения

IGBT транзистор не находит применение в области

Тип ответа: Одиночный выбор

• высоких напряжений
• высоких частот
• высоких мощностей
• высоких токов коммутации

SIT транзисторы производятся с каналами

Тип ответа: Множественный выбор

• только p-типа
• только n-типа
• n-типа
• p-типа