Механизм порообразования в полупроводниках

Доклад на тему: «Механизм порообразования в полупроводниках»

Предмет: Физика

Оригинальность на Антиплагиат.РУ (модуль - Интернет): 50%

Объём: 4 стр.

1. Ансельм А. И. Введение в теорию полупроводников. – М.: Лань, 2021. – 624 c.

5. Грундман М. Основы физики полупроводников. Нанофизика и технические приложения. – М.: Физматлит, 2012. – 772 c.

6. Данлэп У. Введение в физику полупроводников. – М.: Издательство иностранной литературы, 2018. – 430 c.

7. Иоффе А.Ф. Избранные труды (том 2). Излучение, электроны, полупроводники. – М.: [не указано], 2020. – 425 c.

8. Кольцов Г.И., Диденко С.И., Орлова М.Н. Физика полупроводниковых приборов: Расчет параметров биполярных приборов: Сборник задач: № 1893. – М.: МИСиС, 2012. – 78 c.

12. Легирование полупроводников ионным внедрением. – М.: Мир, 2018. – 532 c.

13. Лоренц Х.А. Курс физики. В 2 т. – М.: Ленанд, 2016. – 824 c.

17. Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы. СПб.: Лань. – 2006. – 479 с.

19. Слэтер Дж. Диэлектрики. Полупроводники. Металлы. – М.: Мир, 2020. – 648 c.