Проводниковые соединения элементов второй и шестой групп таблицы Менделеева уже на протяжении долгого времени занимают одно из главных мест в физике полупроводников. Они являются одними из наиболее важных и перспективных материалов для быстро развивающихся областей науки и техники.
Главное достоинство соединений этих групп состоит в том, что они обладают различными значениями ширины запрещенной зоны, которая колеблется от нулевых значений до нескольких электрон-вольт, это позволяет варьировать в широких пределах их электрические, фотоэлектрические и оптические свойства. Их спектральная область фоточувствительности, люминесценции и лазерного излучения может изменяться от инфракрасного до ультрафиолетового участка спектра. Наличие прямозонных переходов в этих соединениях позволяет получить эффективное лазерное и люминесцентное излучение, которое используется в военных, технологических и медицинских целях, а так же в области цифровой записи информации.
В последние годы в связи с быстрым развитием нанотехнологий, широкое применение получили наноразмерные структуры на основе полупроводниковых соединений AIIBVI. Применение подобных структур в оптоэлектронике позволит в большие степени улучшить качество приборов.