Физические основы электроники (Калугин Ю.Е.) - Тема 2. Приборы полупроводниковой техники

Вопрос 1

Заданы Н-параметры малосигнальной схемы биполярного транзистора, соединенного по схеме с общим эмиттером: h21 =40, h22 = 0,00002 См, h12 = 0,0002, h11 = 1000 Ом. Найдите сопротивление эмиттера.

Выберите один ответ:

1. 10 Ом 

2. 50 кОм

3. 0, 0002 Ом

4. 20 Ом

5. 20 кОм

Вопрос 2

При напряжении коллектор-база 15 В биполярного транзистора, приращение эмиттерного тока составляет 20 мА, а приращение тока коллектора 18 мА. В этих условиях приращение базового тока...

Выберите один ответ:

1. 360 мА

2. 38 мА 

3. 3 мА

4. 2 мА

5. 24 мА

Вопрос 3

Заданы Н-параметры малосигнальной схемы биполярного транзистора, соединенного по схеме с общим эмиттером: h21 =40, h22 = 0,00002 См, h12 = 0,0002, h11 = 1000 Ом. Эквивалентное коллекторное сопротивление.

Выберите один ответ:

1. 100 кОм

2. 30 Ом

3. 50 кОм 

4. 1 кОм

5. 2 кОм

Вопрос 4

Если у биполярного транзистора оба перехода смещены в прямом направлении, то транзистор работает в режиме...

Выберите один ответ:

1. инверсном

2. напряженном

3. отсечки

4. активном

5. насыщения

Вопрос 5

Если ширина запрещенной зоны в активной области диода близка к энергии квантов света видимого диапазона, а вероятность излучения при рекомбинации электронно-дырочных пар высокая, то имеем дело с...

Выберите один ответ:

1. вентилем

2. светодиодом

3. фотодиодом

4. туннельным диодом

5. стабилитроном