Физические основы электроники (Калугин Ю.Е.) - Тема 1. Физические основы п/п приборов

Вопрос 1

Если в полупроводнике занятые уровни примеси находятся в энергетическом отношении вблизи свободной зоны (<0,1 эВ), то в этом случае электропроводность будет...

Выберите один ответ:

1. типа р

2. полувалентной

3. типа ф

4. типа к

5. типа п 

Вопрос 2

Если же "р-п" - переход узкий, то при повышении напряжения электрические силы будут разрывать атом на ион и электрон, и при этом количество носителей резко возрастает. Это условие...

Выберите один ответ:

1. инжекции

2. дрейфа

3. лавинного пробоя 

4. диффузии

5. туннельного перехода

Вопрос 3

Если же обратное напряжение на р-п переходе повышать, то при широком переходе дрейфовые электроны могут достигнуть таких скоростей, что будут ионизировать атомы и дрейфовый ток может быстро нарастать. Это явление...

Выберите один ответ:

1. теплового пробоя

2. туннельный пробой

3. магнитный запас

4. лавинного пробоя 

5. электрический пробой

Вопрос 4

Допустим что в слое р значительно больше дырок, чем электронов в слое п. Тогда диффузионный поток дырок перекроет диффузионный поток электронов так, что его можно вообще не учитывать. То есть происходит перенос носителей в ту область, где они неосновные. Это явление называется...

Выберите один ответ:

1. перегревом

2. дрейфом

3. пробоем

4. инжекцией 

5. диффузией

Вопрос 5

Данные р-п – перехода: площадь перехода 2∙10-9 м2 , толщина перехода в естественном состоянии – 10-9 м, контактная разность потенциалов 0,8 В, приложенное обратное напряжение 2,4 В, относительная диэлектрическая проницаемость материалов 4,56, электрическая постоянная – 8,85∙10-12 Ф/м, переход резкий. Величина емкости перехода…

Выберите один ответ:

1. 40 пФ

2. 13,3 пФ

3. 8,9 пФ 

4. 5,4

5. 40,4 пФ