💯 Силовая электроника.ти (правильные ответы на тест Синергия / МОИ / МТИ / МосАП)
Биполярный транзистор с изолированным затвором IGBT сочетает особенности
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
- полевого транзистора с горизонтальным каналом
- униполярного транзистора
- полевого транзистора с вертикальным каналом
- биполярного транзистора
В активном режиме биполярного транзистора большая часть неосновных носителей, перешедших из эмиттера в базу, достигает коллекторного p-n-перехода благодаря
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
- малой площади коллекторного p-n-перехода
- большой толщины базы
- малой толщины базы
- большой площади коллекторного p-n-перехода
В инверсном режиме работы силового биполярного транзистора p-n-p-типа переходы смещаются
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
- коллектор-база - в обратном направлении
- эмиттер-база - в прямом направлении
- коллектор-база - в прямом направлении
- эмиттер-база - в обратном направлении
В качестве многоканальных полевых транзисторов с высокими пробивными напряжениями (до 300 В) применяются:
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
- DМОП - структуры
- МОП - структуры
- МДП - структуры
- VМОП - структуры
В МОП-транзисторе управляющее напряжение, регулирующее ширину проводящего канала, подается на
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- исток
- подложку
- затвор
- сток
В одноканальной системе управления 3-фазным выпрямителем частота генератора пилообразного напряжения
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- в три раза превышает частоту питающей сети
- равна частоте питающей сети
- в три раза меньше частоты питающей среды
- в шесть раз превышает частоту питающей среды
В основе биполярного транзистора лежит
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- трехслойная полупроводниковая структура
- четырехслойная полупроводниковая структура
- однослойная полупроводниковая структура
- двухслойная полупроводниковая структура
В разумных силовых интегральных схемах в качестве силовых ключей получили широкое распространение
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
- биполярные транзисторы
- силовые МОП-транзисторы
- биполярные транзисторы с изолированным затвором
- асинхронные тиристоры
В режиме лавинного пробоя силового диода
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- резко увеличивается обратный ток при незначительном изменении обратного напряжения
- резко уменьшается обратный ток при незначительном изменении обратного напряжения
- обратный ток остается постоянным при незначительном изменении обратного напряжения
- обратный ток снижается до нулевого значения при постоянстве обратного напряжения
В силовых инверторах с GTO ключами и двигательной нагрузкой энергия, запасаемая в паразитных и ограничивающих анодных индуктивностях,
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
- прямо пропорциональна величине паразитной индуктивности
- прямо пропорциональна квадрату величины анодного тока
- обратно пропорциональна величине паразитной индуктивности
- обратно пропорциональна квадрату величины анодного тока
В силовых приборах на основе многослойных p-n-переходов с неполной управляемостью
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
- включение осуществляется при спаде тока через прибор до нуля
- выключение осуществляется сигналом управления
- включение осуществляется сигналом управления
- выключение – при спаде тока через прибор до нуля
В структуре биполярного транзистора крайний слой, принимающий заряды, называется
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- база
- коллектор
- подложка
- эмиттер
В структурной схеме, реализующей вертикальный способ управления, содержится
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
- фазосдвигающее устройство (ФСУ)
- нуль-орган (НО)
- генератор пилообразного напряжения (ГПН)
- компаратор (К)
В схеме ФИУ комплементарные транзисторы используют в основном для
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- увеличения мощности, потребляемой ФИУ
- повышения частотных характеристик ФИУ
- снижения частотных характеристик ФИУ
- снижения мощности, потребляемой ФИУ
Величина заряда обратного восстановления силового диода
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- прямо пропорциональна амплитуде входного сигнала
- прямо пропорциональна частоте коммутации
- обратно пропорциональна мощности потерь обратного восстановления
- прямо пропорциональна энергии обратного восстановления
Входной ток оптронов в импульсном режиме составляет
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- порядка 0,1 А
- порядка 0,5 А
- порядка 0,3 А
- порядка 0,2 А
Входной ток оптронов в статическом режиме составляет
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- от 10 до 20 А
- от 20 до 40 мА
- от 10 до 20 мА
- от 20 до 40 А
Диоды общего назначения на основе p-n-перехода характеризуются
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- высокими значениями обратного напряжения и прямого тока
- высокими значениями прямого напряжения и прямого тока
- низкими значениями обратного напряжения и прямого тока
- низкими значениями обратного напряжения и обратного тока
Для выполнения потенциальной развязки применяют ФИУ, в которых используется
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
- раздельная передача напряжения и формы управляющего сигнала
- совместная передача энергии и формы управляющего сигнала
- раздельная передача энергии и информационного сигнала
- совместная передача тока и информационного сигнала
Для снижения влияния помех на информационные каналы сигналов силовых ключей выполняют
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
- повышают уровень индуктивной связи между проводниками
- гальваническую развязку между основными токоведущими шинами схемы и драйверами ключей
- уменьшают индуктивную связь между проводниками
- повышают уровень емкостной связи между цепями
Для схемы с общим эмиттером IGBT транзистора выходной характеристикой называется зависимость тока коллектора от напряжения между
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- коллектором и эмиттером при заданном напряжении между затвором и эмиттером
- коллектором и эмиттером при заданном напряжении между затвором и коллектором
- затвором и эмиттером при заданном напряжении между коллектором и эмиттером
- затвором и коллектором при заданном напряжении между коллектором и эмиттером
Для управления электронным ключом на биполярном транзисторе не должно выполняться следующее требование
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- свободное протекание коллекторного тока через насыщенный транзистор с минимальными потерями
- гарантированный переход транзистора в режим насыщения под воздействием тока базы
- минимальный ток утечки через закрытый транзистор в режиме отсечки
- гарантированный переход транзистора в режим насыщения под воздействием тока эмиттера
Допустимый ток тиристора в относительных единицах с ростом частоты
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- вначале уменьшается, а потом увеличивается до 1
- не изменяется
- увеличивается до 1 и потом остается неизменным
- вначале увеличивается до 1, а потом уменьшается
Если при работе запираемых тиристоров скорость нарастания тока di/dt превышает предельно установленный уровень, то
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
- улучшаются частотные и динамические свойства прибора
- снижается мощность потерь
- ухудшаются частотные и динамические свойства прибора
- возрастает мощность потерь
К аппаратам высокого напряжения, обеспечивающим отключение электрических цепей в режиме короткого замыкания, относятся
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- выключатели высокого напряжения
- шунтирующие реакторы
- токоограничивающие реакторы
- ограничители перенапряжений
К недостаткам МОП-транзисторов относится
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
- малое значение входной емкости
- большое значение входной емкости
- повышенное сопротивление в проводящем состоянии
- очень низкое сопротивление в проводящем состоянии
К недостаткам оптронной развязки в ФИУ не относится
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- низкий коэффициент передачи тока
- температурная нестабильность параметров
- большая задержка передачи сигналов
- потенциальная развязки информационного сигнала
К новым типам комбинированных транзисторов относятся
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
- транзисторы со статической индукцией
- биполярные транзисторы с изолированным затвором
- симистор
- полевой тиристор МСТ
К основным статическим параметрам полевых транзисторов с изолированным затвором относятся:
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
- входная емкость
- энергия потерь при включении
- максимально допустимый ток стока
- крутизна передаточной характеристики
К проблемам использования трансформаторных ФИУ для управления силовыми ключами с изолированным затвором не относятся
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
- зависимость амплитуды импульса управления от скважности
- независимость стабильности времени выключения от длительности прямого сигнала
- зависимость стабильности времени выключения от длительности прямого сигнала
- независимость амплитуды импульса управления от скважности
Какие полевые транзисторы не входят в общую группу по принципу действия
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- транзисторы с изолированным затвором (ПТИЗ)
- транзисторы с управляющим p-n-переходом (p-n-затвором) (ПТУП)
- МОП - транзисторы (металл -окисел-полупроводник)
- МДП - транзисторы (металл -диэлектрик-полупроводник
Какие силовые приборы не относятся к основным группам «разумных» преобразовательных приборов
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- силовые ключи с встроенными системами защиты
- силовые ключи с интегрированными функциями защиты и управления
- силовые ключи с внешними системами защиты и управления
- силовые интеллектуальные модули
Какие существуют силовые униполярные транзисторы по принципу действия
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
- с неуправляющим p-n-переходом
- с проводимым затвором
- с управляющим p-n-переходом
- с изолированным затвором
Какое импульсное обратное напряжение имеет силовой диод 6-го класса
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- 6 В
- 600 В
- 60 В
- 6000 В
Качество МДП - структуры тем выше, чем
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
- Качество МДП - структуры тем выше, чем
- больше паразитная емкость
- ниже крутизна передаточной характеристики
- выше крутизна передаточной характеристики
- меньше паразитная емкость
Комплементарные пары транзисторов, входящие в состав ФИУ
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
- одновременно переходят в режим отсечки при отсутствии управляющего сигнала
- одновременно переходят в режим насыщения при поступлении управляющего импульса
- при отсутствии управляющего сигнала находятся в режиме насыщения и режиме отсечки
- при поступлении управляющего сигнала переключаются в режим насыщения и режим отсечки
Коэффициент передачи тока в транзисторе Дарлингтона равен
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- сумме коэффициентов передачи тока двух составных транзисторов
- произведению коэффициентов передачи тока двух составных транзисторов
- разности коэффициентов передачи тока двух составных транзисторов
- отношению коэффициентов передачи тока двух составных транзисторов
Многоканальная система управления 3-х фазным выпрямителем содержит
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
- один генератор пилообразного напряжения
- один синхронизатор
- три синхронизатора
- три генератора пилообразного напряжения
Многослойный силовой полупроводниковый прибор содержит
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
- три p-n-перехода
- два p-n-перехода
- один p-n-переход
- четыре p-n-перехода
Мощность потерь обратного восстановления силового диода равна
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- произведению величины заряда обратного восстановления и частоты коммутации
- произведению величины заряда обратного восстановления и амплитуды входного сигнала
- произведению энергии обратного восстановления и частоты коммутации
- произведению амплитуды входного сигнала и частоты коммутации
Мощные полевые транзисторы (MOSFET) не применяются в
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- автоэлектронике
- сварочных аппаратах
- аудиотехнике
- видеотехнике
Наиболее важными методами защиты от токовой перегрузки не являются
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- подключение внешних дополнительных защитных устройств
- повышение уровня помехозащищенности системы управления и ключа
- определение момента перегрузки и подключение системы защиты
- уменьшение влияния паразитных элементов монтажа
Основная функция силового диода
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- усиление переменного сигнала
- выпрямление переменного сигнала
- интегрирование переменного сигнала
- дифференцирование переменного сигнала
Основные требования по параметрам ФИУ предъявляются к
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
- частоте питающего напряжения
- форме сигнала управления
- форме питающего напряжения
- мощности сигнала управления
Основным преимуществом тиристора GCT по сравнению с тиристором GTO является его
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- быстрое включение
- быстрое выключение
- медленное выключение
- низкая скорость нарастания запирающего тока
Особенностью МОП-транзисторов является
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- низкое входное сопротивление и высокое быстродействие
- низкое входное сопротивление и низкое быстродействие
- высокое входное сопротивление и высокое быстродействие
- высокое выходное сопротивление и низкое быстродействие
Отсутствие неосновных носителей в диоде Шоттки не обеспечивает
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- предельное обратное напряжение более 100 В
- низкую инерционность прибора
- время обратного восстановления не более 0,3 мкс
- падение прямого напряжения от 0,3 до 0,6 В
Передаточной характеристикой IGBT транзистора называется зависимость тока коллектора от напряжения между
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- затвором и эмиттером при заданном напряжении между затвором и коллектором
- затвором и эмиттером при заданном напряжении между коллектором и эмиттером
- коллектором и эмиттером при заданном напряжении между затвором и эмиттером
- коллектором и эмиттером при заданном напряжении между затвором и коллектором
По результатам анализа основных параметров транзисторных ключей самое высокое обратное напряжение выдерживает
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- биполярный транзистор с изолированным затвором
- полевой транзистор с изолированным затвором
- асинхронный тиристор
- биполярный транзистор
Полевой транзистор в линейном режиме используется как
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- источник тока, управляемый напряжением на затворе
- сопротивление, управляемое напряжением на затворе
- источник тока, управляемый током на затворе
- сопротивление, управляемое током на затворе
Предельная частота управления силовым ключом полевого транзистора
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
- прямо пропорциональна среднему выходному току драйвера
- прямо пропорциональна величине заряда во входной цепи ключа
- обратно пропорциональна среднему выходному току драйвера
- обратно пропорциональна величине заряда во входной цепи ключа
Преобразователи частоты непосредственного типа содержат в каждой фазе вентильные группы, работающие
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
- только в выпрямительном режиме
- только в инверторном режиме
- в инверторном режиме
- в выпрямительном режиме
Преобразователи, в которых передача аккумулированной энергии в нагрузку выполняется на этапе выключения ключа (в паузе), называются
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- обратноходовые
- интервально-ходовые
- прямоходовые
- импульсно-ходовые
При включении тиристора допустимая скорость нарастания анодного тока должна находиться в пределах
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- от 10 до 100 А/мкс
- от 1 до 100 А/мкс
- от 1 до 10 А/мкс
- от 10 до 1000 А/мкс
При использовании широтно-импульсной модуляции временные параметры имеют вид
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- период импульса TO= const, длительность импульса tИ = var
- период импульса TO= var, длительность импульса tИ = const
- период импульса TO= const, длительность импульса tИ = const
- период импульса TO= var, длительность импульса tИ = var
При отсутствии напряжений на электродах полевого транзистора сопротивление сток – исток
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- равно нулю
- очень велико
- составляет единицы Ом
- составляет десятки Ом
При переходе в закрытое состояние мощность потерь в силовом диоде
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- резко увеличивается
- резко уменьшается
- равна нулю
- увеличивается постепенно
При подаче прямого напряжения смещения сопротивление идеального диода
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- больше нуля
- меньше нуля
- стремится к бесконечности
- равно нулю
Пульсность выпрямителя
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
- обратно пропорциональна частоте пульсации
- прямо пропорциональна частоте питающего напряжения
- прямо пропорциональна частоте пульсации
- обратно пропорциональна частоте питающего напряжения
Силовой униполярный транзистор – это полупроводниковый
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- не полностью управляемый прибор
- полностью управляемый током прибор
- неуправляемый прибор
- полностью управляемый электрическим полем прибор
Силовым диодом называется
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- полупроводниковый неуправляемый прибор с двумя выводами
- полупроводниковый полностью управляемый прибор с двумя выводами
- полупроводниковый полностью управляемый прибор с тремя выводами
- полупроводниковый неуправляемый прибор с тремя выводами
Сходство характеристик БТИЗ и ПТИЗ в области безопасной работы
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
- наличие участка вторичного пробоя
- высокая температурная устойчивость
- низкая температурная устойчивость
- отсутствие участка вторичного пробоя
Тиристоры с полной управляемостью применяются при создании
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
- управляемых выпрямителей тока
- регулируемых электроприводов переменного тока
- мощных источников питания электрических подстанций
- преобразователей переменного напряжения
Ток стока IGBT транзистора
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
- обратно пропорционален эквивалентной крутизне
- обратно пропорционален напряжению на затворе
- прямо пропорционален эквивалентной крутизне
- прямо пропорционален напряжениюна затворе
Транзистор - это
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- полупроводниковый полностью управляемый прибор с тремя и более выводами
- полупроводниковый полностью управляемый прибор с двумя выводами
- полупроводниковый частично управляемый прибор
- полупроводниковый неуправляемый прибор
Фототиристор – это фотоэлектронный прибор
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
- имеющий трехслойную структуру
- управляемый электрическими импульсами
- имеющий четырехслойную структуру
- управляемый световыми импульсами
Чтобы регулировать частоту задающего генератора (ЗГ) асинхронная система должна
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
- иметь отрицательную обратную связь
- быть замкнутой
- быть открытой
- иметь положительную обратную связь
Электронный аппарат – это электротехническое устройство управления потоками
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
- энергии
- информации
- тока
- напряжения
SIT транзисторы производятся с каналами
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
- только p-типа
- только n-типа
- n-типа
- p-типа
