💯 Силовая электроника.ти — ответы на тест Синергия / МОИ / МТИ / МосАП

Силовая электроника > Силовая электроника

• правильные ответы на вопросы из теста по данной дисциплине
• вопросы отсортированы в лексикографическом порядке

Силовая электроника.ти

1. Учебные материалы

Биполярный транзистор с изолированным затвором представляет собой сочетание

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

• входного униполярного (полевого) транзистора с изолированным затвором
• входного биполярного n-p-n-транзистора
• выходного биполярного n-p-n-транзистора
• выходного униполярного (полевого) транзистора с изолированным затвором

Биполярный транзистор с изолированным затвором IGBT сочетает особенности

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

• полевого транзистора с горизонтальным каналом
• униполярного транзистора
• полевого транзистора с вертикальным каналом
• биполярного транзистора

Блок, предназначенный для согласования уровней сигнала между выходом регулятора и непосредственными входами силовых устройств, это

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• УКД – устройство контроля и диагностики
• КА – блок коммутационной аппаратуры
• ФИУ – формирователь импульсов управления
• БОИ – блок обработки информации

Быстровосстанавливающиеся диоды характеризуются следующими параметрами

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

• время обратного восстановления - до 50 мкс
• прямой ток - в диапазоне от 10 до 1000 А
• обратное напряжение от 50 до 3000 В
• время восстановления обратного сопротивления до 1000нс

Быстродействие IGBT транзистора

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

• выше быстродействия полевых транзисторов
• ниже быстродействия полевых транзисторов
• выше быстродействия биполярных транзисторов
• ниже быстродействия биполярных транзисторов

В активном режиме биполярного транзистора большая часть неосновных носителей, перешедших из эмиттера в базу, достигает коллекторного p-n-перехода благодаря

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

• малой площади коллекторного p-n-перехода
• большой толщины базы
• малой толщины базы
• большой площади коллекторного p-n-перехода

В активном режиме работы биполярного транзистора

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• выходной ток обратно пропорционален входному току
• выходной ток равен входному току
• выходной ток не зависит от входного тока
• выходной ток прямо пропорционален входному току

В асинхронной одноканальной системе управления 3-х фазным выпрямителем распределитель импульсов обеспечивает сдвиг фаз по трем каналам на величину

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• 2π / 3
• π / 6
• π / 2
• π / 3

В инверсном режиме работы силового биполярного транзистора p-n-p-типа переходы смещаются

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

• коллектор-база - в обратном направлении
• эмиттер-база - в прямом направлении
• коллектор-база - в прямом направлении
• эмиттер-база - в обратном направлении

В интегрированном запираемом тиристоре IGCT присутствует

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• встроенный светоизлучатель
• встроенный светоприемник
• импульсная схема управления
• интегральная схема управления

В каком режиме может находиться биполярный транзистор в зависимости от полярности приложенного к переходам напряжения

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

• индуктивном
• инверсном
• отсечки
• импульсном

В качестве многоканальных полевых транзисторов с высокими пробивными напряжениями (до 300 В) применяются:

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

• DМОП - структуры
• МОП - структуры
• МДП - структуры
• VМОП - структуры

В ключевом режиме работы биполярного транзистора мощности потерь в точках отсечки и насыщения будут

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• значительно больше мощности потерь в рабочей точке линейного режима транзистора
• равны мощности потерь в рабочей точке линейного режима транзистора
• значительно меньше мощности потерь в рабочей точке линейного режима транзистора
• равны мощности потерь в рабочей точке инверсного режима транзистора

В МОП-транзисторе управляющее напряжение, регулирующее ширину проводящего канала, подается на

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• исток
• подложку
• затвор
• сток

В мостовых схемах, построенных на быстрых МДП - транзисторах, могут возникнуть следующие отказы

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

• открытие нижнего транзистора за счет заряда входной емкости выше порогового уровня
• открытие паразитного биполярного транзистора при выключении внутреннего обратного диода
• закрытие нижнего транзистора за счет заряда входной емкости выше порогового уровня
• закрытие паразитного биполярного транзистора при выключении внутреннего обратного диода

В настоящее время широкое применение в качестве полностью управляемых ключей получили

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

• полевые транзисторы с изолированным затвором
• биполярные транзисторы с изолированным затвором БТИЗ и IGBT-транзисторы
• силовые биполярные транзисторы
• СИТ - транзисторы

В одноканальной системе управления 3-фазным выпрямителем частота генератора пилообразного напряжения

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• в три раза превышает частоту питающей сети
• равна частоте питающей сети
• в три раза меньше частоты питающей среды
• в шесть раз превышает частоту питающей среды

В основе биполярного транзистора лежит

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• трехслойная полупроводниковая структура
• четырехслойная полупроводниковая структура
• однослойная полупроводниковая структура
• двухслойная полупроводниковая структура

В отличие от обычных тиристоров новые комбинированные приборы не имеют

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• малое потребление по цепи управления
• не полное управление
• полное управление
• высокое быстродействие

В разумных силовых интегральных схемах в качестве силовых ключей получили широкое распространение

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

• биполярные транзисторы
• силовые МОП-транзисторы
• биполярные транзисторы с изолированным затвором
• асинхронные тиристоры

В режиме лавинного пробоя силового диода

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• резко увеличивается обратный ток при незначительном изменении обратного напряжения
• резко уменьшается обратный ток при незначительном изменении обратного напряжения
• обратный ток остается постоянным при незначительном изменении обратного напряжения
• обратный ток снижается до нулевого значения при постоянстве обратного напряжения

В режиме насыщения биполярный транзистор можно заменить

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• замкнутым ключом, на котором падает небольшое напряжение
• источником тока коллектора, управляемого током базы
• разомкнутым ключом
• источником тока эмиттера, управляемого током базы

В режиме отсечки биполярный транзистор можно заменить

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• замкнутым ключом
• источником тока коллектора, управляемого током базы
• источником тока эмиттера, управляемого током базы
• разомкнутым ключом

В режиме отсечки силового биполярного транзистора

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• выделяемая мощность очень мала, а выходное напряжение высокое
• выделяемая мощность и выходное напряжение очень большие
• выделяемая мощность и выходное напряжение очень маленькие
• выделяемая мощность очень большая, а выходное напряжение очень низкое

В режиме эмиттерного управления силовым ключом используют вспомогательный

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• высоковольтный быстродействующий МДП-транзистор
• высоковольтный быстродействующий биполярный транзистор
• низковольтный быстродействующий МДП-транзистор
• низковольтный быстродействующий биполярный транзистор

В резонансных силовых преобразователях

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

• паразитные элементы не являются составной частью резонансного LC-контура
• коммутация силовых ключей выполняется либо при положительном напряжении, либо при отрицательном токе
• коммутация силовых ключей выполняется либо при нулевом напряжении, либо при нулевом токе
• паразитные элементы являются составной частью резонансного LC-контура

В силовых инверторах с GTO ключами и двигательной нагрузкой энергия, запасаемая в паразитных и ограничивающих анодных индуктивностях,

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

• прямо пропорциональна величине паразитной индуктивности
• прямо пропорциональна квадрату величины анодного тока
• обратно пропорциональна величине паразитной индуктивности
• обратно пропорциональна квадрату величины анодного тока

В силовых приборах на основе многослойных p-n-переходов с неполной управляемостью

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

• включение осуществляется при спаде тока через прибор до нуля
• выключение осуществляется сигналом управления
• включение осуществляется сигналом управления
• выключение – при спаде тока через прибор до нуля

В симметричных силовых биполярных транзисторах области коллектора и эмиттера имеют

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• одинаковые свойства, но разные геометрические размеры
• различные свойства и геометрические размеры
• одинаковые свойства и геометрические размеры
• различные свойства, но одинаковые геометрические размеры

В системах управления электродвигателями особенностью нагрузки не является

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• наличие длительных многократных перегрузок по току
• индуктивный характер нагрузки
• наличие противонаправленной ЭДС вращения
• наличие кратковременных многократных перегрузок по току

В системе управления инвертором автономного типа с 2-х ступенчатой коммутацией содержится

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

• два распределителя импульсов (РИ)
• четыре формирователя импульсов управления (ФИУ)
• два формирователя импульсов управления (ФИУ)
• один распределитель импульсов (РИ)

В системе управления инвертором автономного типа с 2-х ступенчатой коммутацией частота на выходе задающего генератора (ЗГ)

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• в четыре раза меньшей выходной частоты инвертора
• в два раза превышает выходную частоту инвертора
• в четыре раза превышает выходную частоту инвертора
• в два раза меньшей выходной частоты инвертора

В структуре биполярного транзистора крайний слой, принимающий заряды, называется

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• база
• коллектор
• подложка
• эмиттер

В структуре биполярного транзистора крайний слой, являющийся источником носителей зарядов, называется

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• база
• коллектор
• подложка
• эмиттер

В структурной схеме контроля режима токовой перегрузки по выходному напряжению ключа к функциям триггера не относится

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• запускает таймер для отсчета времени, включения рестарта элементов системы
• формирует сигнал индикации короткого замыкания
• запрещает выработку драйвером импульсов управления силовым ключом
• управляет работой компаратора

В структурной схеме, реализующей вертикальный способ управления, содержится

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

• фазосдвигающее устройство (ФСУ)
• нуль-орган (НО)
• генератор пилообразного напряжения (ГПН)
• компаратор (К)

В схеме ФИУ комплементарные транзисторы используют в основном для

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• увеличения мощности, потребляемой ФИУ
• повышения частотных характеристик ФИУ
• снижения частотных характеристик ФИУ
• снижения мощности, потребляемой ФИУ

В транзисторе IGBT сочетается

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

• высокое сопротивление во включенном состоянии биполярного транзистора
• высокое входное сопротивление МОП-транзистора с высокой токовой нагрузкой
• малое сопротивление во включенном состоянии биполярного транзистора
• низкое входное сопротивление МОП-транзистора с низкой токовой нагрузкой

В цифровой системе управления сигнал с выхода схемы сравнения

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

• переводит ключ (К) в открытое состояние
• включает в работу генератор эталонной частоты (ГЭЧ)
• обнуляет содержимое счетчика импульсов (СИ)
• включает в работу распределитель импульсов (РИ)

Величина заряда обратного восстановления силового диода

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• прямо пропорциональна амплитуде входного сигнала
• прямо пропорциональна частоте коммутации
• обратно пропорциональна мощности потерь обратного восстановления
• прямо пропорциональна энергии обратного восстановления

Величина паразитной индуктивности в мостовой схеме на базе МСТ тиристоров

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

• прямо пропорциональна величине напряжения источника питания
• обратно пропорциональна величине напряжения источника питания
• обратно пропорциональна предельно допустимой скорости нарастания анодного тока
• прямо пропорциональна предельно допустимой скорости нарастания анодного тока

Время восстановления обратного сопротивления для быстровосстанавливающихся диодов достигает:

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• до 200 нс
• до 10 мкс
• до 100 нс
• до 100 мкс

Время восстановления обратного сопротивления для диодов общего назначения достигает:

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• от 25 до 100 мкс
• от 1 до 5 мкс
• от 25 до 100 нс
• от 1 до 5 нс

Входной ток оптронов в импульсном режиме составляет

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• порядка 0,1 А
• порядка 0,5 А
• порядка 0,3 А
• порядка 0,2 А

Входной ток оптронов в статическом режиме составляет

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• от 10 до 20 А
• от 20 до 40 мА
• от 10 до 20 мА
• от 20 до 40 А

Высокое входное сопротивление полевых транзисторов обусловлено тем, что регулирование значения тока осуществляется

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• продольным электрическим полем, а не током
• продольным током, а не электрическим полем
• поперечным током, а не электрическим полем
• поперечным электрическим полем, а не током

Высокой температурной устойчивостью не обладает

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• полевой транзистор с изолированным затвором
• биполярный транзистор с изолированным затвором
• IGBT транзистор
• биполярный транзистор

Главным достижением развития современных силовых ключей является

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• объединение в едином корпусе прибора источника электропитания и функций переключателя и защиты
• объединение в едином корпусе прибора функций переключателя, управления и защиты
• объединение в едином корпусе прибора источника тока и функций переключателя и защиты
• объединение в едином корпусе прибора источника электропитания и функций управления и защиты

Граничное условие перехода биполярного транзистора p-n-p-типа из активного режима в режим насыщения

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• напряжение перехода коллектор – база меньше нуля
• напряжение перехода база – эмиттер равно нулю
• напряжение перехода коллектор – база равно нулю
• напряжение перехода база – эмиттер больше нуля

Граничное условие перехода биполярного транзистора p-n-p-типа из активного режима в режим отсечки

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• напряжение между базой и коллектором равно нулю
• напряжение между базой и эмиттером равно нулю
• напряжение между базой и эмиттером меньше нуля
• напряжение между базой и коллектором меньше нуля

Динамическими параметрами силового диода являются

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

• среднее значение прямого тока
• пороговое напряжение
• время нарастания прямого тока
• время восстановления обратного напряжения

Диоды общего назначения на основе p-n-перехода характеризуются

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• высокими значениями обратного напряжения и прямого тока
• высокими значениями прямого напряжения и прямого тока
• низкими значениями обратного напряжения и прямого тока
• низкими значениями обратного напряжения и обратного тока

Для выполнения потенциальной развязки применяют ФИУ, в которых используется

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

• раздельная передача напряжения и формы управляющего сигнала
• совместная передача энергии и формы управляющего сигнала
• раздельная передача энергии и информационного сигнала
• совместная передача тока и информационного сигнала

Для защиты от перегрузок по напряжению под воздействием питающей сети используют

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• внутренние защитные устройства, подключенные параллельно выходу силового преобразователя
• внутренние защитные устройства, подключенные параллельно входу силового преобразователя
• внешние защитные устройства, подключенные параллельно входу силового преобразователя
• внешние защитные устройства, подключенные параллельно выходу силового преобразователя

Для защиты от перегрузок по напряжению, связанных с коммутационными процессами, используют

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• снабберы, включаемые последовательно силовому ключу или группе приборов
• снабберы, включаемые параллельно силовому ключу или группе приборов
• снабберы, включаемые последовательно нагрузке
• снабберы, включаемые параллельно нагрузке

Для исключения выхода из строя тиристорного ключа к запираемому тиристору GTO

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• последовательно включают демпфирующую RCD - цепь
• параллельно включают демпфирующую RLC - цепь
• параллельно включают демпфирующую RCD - цепь
• последовательно включают демпфирующую RLC - цепь

Для мостовых схем используют защитные RCD-цепи, в которых резисторы подключаются

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• соответственно к верхней и нижней монтажным шинам схемам
• перекрестно к противоположным монтажным шинам схемы
• последовательно с силовым ключом
• параллельно силовому ключу

Для ограничения напряжения на затворе полевого транзистора параллельно выходному узлу драйвера включают

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

• шунтирующий высокочастотный конденсатор небольшой емкости
• быстродействующий диод
• низкочастотный диод
• шунтирующий низкочастотный конденсатор большой емкости

Для перехода биполярного транзистора p-n-p-типа в режим насыщения необходимо сместить переходы

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

• коллектор-база - в обратном направлении
• эмиттер-база - в прямом направлении
• эмиттер-база - в обратном направлении
• коллектор-база - в прямом направлении

Для построения систем управления двигателями переменного тока наиболее перспективными являются

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

• симисторы (триаки)
• тиристорные ключи
• IGBT транзисторы
• биполярные транзисторы

Для систем питания двигателей постоянного тока от сети переменного тока эффективно используют

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

• симисторы (триаки)
• однооперационные тиристоры
• МОП-транзисторы
• биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

Для снижения влияния помех на информационные каналы сигналов силовых ключей выполняют

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

• повышают уровень индуктивной связи между проводниками
• гальваническую развязку между основными токоведущими шинами схемы и драйверами ключей
• уменьшают индуктивную связь между проводниками
• повышают уровень емкостной связи между цепями

Для схемы с общим эмиттером IGBT транзистора выходной характеристикой называется зависимость тока коллектора от напряжения между

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• коллектором и эмиттером при заданном напряжении между затвором и эмиттером
• коллектором и эмиттером при заданном напряжении между затвором и коллектором
• затвором и эмиттером при заданном напряжении между коллектором и эмиттером
• затвором и коллектором при заданном напряжении между коллектором и эмиттером

Для уменьшения паразитной емкостной связи между проводниками не выполняют

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• используют сигнальные проводники в виде витых пар
• удаляют сигнальные проводники дальше от силовых шин
• приближают сигнальные проводники к силовым шинам
• экранируют сигнальные проводники

Для управления многофазными выпрямителями система управления должна включать количество каналов, равное

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• произведению фазности на число периодов выпрямителя
• числу периодов выпрямителя
• фазности выпрямителя
• сумме фазности и числа периодов выпрямителя

Для управления электронным ключом на биполярном транзисторе не должно выполняться следующее требование

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• свободное протекание коллекторного тока через насыщенный транзистор с минимальными потерями
• гарантированный переход транзистора в режим насыщения под воздействием тока базы
• минимальный ток утечки через закрытый транзистор в режиме отсечки
• гарантированный переход транзистора в режим насыщения под воздействием тока эмиттера

Допустимый ток тиристора в относительных единицах с ростом скорости охлаждающего воздуха

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• вначале увеличивается, а потом уменьшается
• вначале уменьшается, а потом увеличивается
• увеличивается до 1
• не изменяется

Допустимый ток тиристора в относительных единицах с ростом температуры окружающей среды

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• уменьшается до нуля
• возрастает
• не изменяется вообще
• вначале уменьшается, а потом увеличивается

Допустимый ток тиристора в относительных единицах с ростом частоты

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• вначале уменьшается, а потом увеличивается до 1
• не изменяется
• увеличивается до 1 и потом остается неизменным
• вначале увеличивается до 1, а потом уменьшается

Достоинства БСИТ по сравнению с СИТ

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

• напряжение отсечки равно нулю
• напряжение отсечки имеет отрицательное значение
• при отсутствии напряжения на затворе БСИТ находится в закрытом состоянии
• при отсутствии напряжения на затворе БСИТ находится в открытом состоянии

Если при работе запираемых тиристоров скорость нарастания тока di/dt превышает предельно установленный уровень, то

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

• улучшаются частотные и динамические свойства прибора
• снижается мощность потерь
• ухудшаются частотные и динамические свойства прибора
• возрастает мощность потерь

Запираемый тиристор GTO

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• управляется сигналами одной полярности
• управляется сигналами различной полярности
• коммутируется интегральной схемой управления
• коммутируется заданной серией импульсов

Идеальный диод переходит в замкнутое состояние, если

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• напряжение на аноде меньше, чем напряжение на катоде
• напряжение на аноде равно напряжению на катоде
• напряжение на аноде больше, чем напряжение на катоде
• напряжения на аноде и катоде отсутствуют

К аппаратам высокого напряжения, обеспечивающим отключение электрических цепей в режиме короткого замыкания, относятся

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• выключатели высокого напряжения
• шунтирующие реакторы
• токоограничивающие реакторы
• ограничители перенапряжений

К аппаратам высокого напряжения, предназначенным для компенсации реактивной мощности, относятся

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• разъединители и отделители
• ограничители перенапряжений
• шунтирующие реакторы
• разделительные трансформаторы

К аппаратам низкого напряжения не относятся

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• аппараты управления и защиты
• аппараты автоматического регулирования
• шунтирующие реакторы
• аппараты автоматики

К динамическим характеристикам тиристоров в переходном процессе включения не относится

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• время включения тиристора
• время запаздывания обратного напряжения
• время нарастания
• время установления

К недостаткам МОП-транзисторов относится

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

• малое значение входной емкости
• большое значение входной емкости
• повышенное сопротивление в проводящем состоянии
• очень низкое сопротивление в проводящем состоянии

К недостаткам оптронной развязки в ФИУ не относится

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• низкий коэффициент передачи тока
• температурная нестабильность параметров
• большая задержка передачи сигналов
• потенциальная развязки информационного сигнала

К новым типам комбинированных транзисторов относятся

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

• транзисторы со статической индукцией
• биполярные транзисторы с изолированным затвором
• симистор
• полевой тиристор МСТ

К основным динамическим параметрам полевого транзистора с изолированном затвором не относятся

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

• тепловое сопротивление переход-корпус
• энергия потерь при включении
• крутизна передаточной характеристики
• время включения транзистора

К основным динамическим параметрам полевого транзистора с изолированном затвором относятся

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• ток отсечки через запертый транзистор
• тепловое сопротивление переход - окружающая среда
• выходная емкость
• время нарастания тока стока

К основным достоинствам однотактных схем импульсных преобразователей относятся

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

• симметричный режим работы трансформатора
• малое количество силовых ключей
• простота реализации схем управления
• интеллектуальная система управления

К основным критериям, используемым при выборе типа силового ключа, не относится

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• обеспечение высокого прямого падения напряжения в открытом состоянии
• временные параметры переключения
• рабочая температура структуры и допустимая энергия потерь
• обеспечение низкого прямого падения напряжения в открытом состоянии

К основным преимуществам полевых транзисторов относятся:

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

• высокий уровень собственных шумов
• высокое входное сопротивление в схеме с общим истоком (ОИ)
• отсутствие вторичного пробоя
• низкая плотность размещения элементов при изготовлении интегральных схем

К основным причинам, вызывающим появление аварийных токовых перегрузок силовых ключей, не относится

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• работа на противофазный диод
• повреждение силового ключа
• влияние паразитных элементов монтажа
• «опрокидывание» инвертора

К основным проблемам прямого управления силовым полевым транзистором в импульсных источниках питания относятся

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

• высокий уровень выходного тока драйвера
• низкая рассеиваемая мощность в драйвере
• ограниченный выходной ток драйвера
• оптимизация разводки печатной платы

К основным статическим параметрам полевых транзисторов с изолированным затвором относятся:

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

• входная емкость
• энергия потерь при включении
• максимально допустимый ток стока
• крутизна передаточной характеристики

К основным требованиям, предъявляемым к управлению ПТИЗ и БТИЗ, относятся

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

• для открытия транзисторов на их затвор необходимо подать нулевое напряжение
• для открытия транзисторов на их затвор необходимо подать напряжение равное от 10 до 15 В
• для закрытия транзисторов на их затвор необходимо подать напряжение равное от 10 до 15 В
• для закрытия транзисторов на их затвор необходимо подать нулевое напряжение

К параметрам силовой цепи тиристора по напряжению относятся

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

• максимально допустимый средний прямой ток (предельный ток)
• ударный ток
• напряжение лавинного пробоя
• напряжение переключения тиристора

К параметрам силовой цепи тиристора по току не относится

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• максимально допустимый средний прямой ток (предельный ток)
• энергия, которая может выделиться в тиристоре без его разрушения
• напряжение лавинного пробоя
• ударный ток

К параметрам силовых диодов не относятся

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• статические
• динамические
• потенциальные
• предельно допустимые

К проблемам использования трансформаторных ФИУ для управления силовыми ключами с изолированным затвором не относятся

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

• зависимость амплитуды импульса управления от скважности
• независимость стабильности времени выключения от длительности прямого сигнала
• зависимость стабильности времени выключения от длительности прямого сигнала
• независимость амплитуды импульса управления от скважности

К силовым приборам на основе многослойных p-n-переходов с неполной управляемостью не относится

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• симистор
• асимметричный (обычный) тиристор SCR
• интегрируемый запираемый тиристор IGTC
• фототиристор

К силовым приборам на основе многослойных p-n-переходов с полной управляемостью относятся

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

• полевой тиристор МСТ
• оптотиристор
• фототиристор
• тиристор GTC

К статическим параметрам силового диода не относится

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• пороговое напряжение
• динамическое сопротивление
• напряжение пробоя
• время нарастания прямого тока

К функциям системы управления силовым электронным устройством относятся

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

• преобразование переменного напряжения в постоянное напряжение
• преобразование постоянного напряжения в переменное напряжение
• формирование сигналов управления силовой частью
• осуществление оперативного обмена с внешней средой

Какая из схем включения полевого транзистора позволяет получить значительные коэффициенты усиления по току, напряжению и мощности одновременно

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• с общей базой (ОБ)
• с общим истоком (ОИ)
• с общей подложкой (ОП)
• с общим стоком (ОС)

Какие из нижеперечисленных систем не относятся к дискретным системам

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• импульсные
• цифровые
• непрерывные
• релейные

Какие ключевые приборы используются в диапазоне рабочих частот от 50 до 100 Гц

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

• биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
• тиристоры (SCR)
• биполярные и МОП-транзисторы
• симисторы (триаки)

Какие ключевые приборы используются в диапазоне рабочих частот от 50 до 800 кГц

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• модули на полевых транзисторах (IGBT, MCT)
• биполярные и МОП-транзисторы
• мощные полевые транзисторы (MOSFET)
• запираемые тиристоры (GTO, GST, IEGT)

Какие полевые транзисторы не входят в общую группу по принципу действия

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• транзисторы с изолированным затвором (ПТИЗ)
• транзисторы с управляющим p-n-переходом (p-n-затвором) (ПТУП)
• МОП - транзисторы (металл -окисел-полупроводник)
• МДП - транзисторы (металл -диэлектрик-полупроводник

Какие силовые приборы не относятся к основным группам «разумных» преобразовательных приборов

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• силовые ключи с встроенными системами защиты
• силовые ключи с интегрированными функциями защиты и управления
• силовые ключи с внешними системами защиты и управления
• силовые интеллектуальные модули

Какие существуют силовые униполярные транзисторы по принципу действия

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

• с неуправляющим p-n-переходом
• с проводимым затвором
• с управляющим p-n-переходом
• с изолированным затвором

Каких силовых МОП-транзисторов с изолированным затвором не существует

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• с проводным каналом
• со встроенным каналом
• с индуцированным каналом
• с проецированным каналом

Какое импульсное обратное напряжение имеет силовой диод 6-го класса

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• 6 В
• 600 В
• 60 В
• 6000 В

Какой полупроводник используется при изготовлении диода Шоттки

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• германий
• арсенид-галлий
• карбидокремний
• кремний

Качество МДП - структуры тем выше, чем

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

• Качество МДП - структуры тем выше, чем
• больше паразитная емкость
• ниже крутизна передаточной характеристики
• выше крутизна передаточной характеристики
• меньше паразитная емкость

Комплементарные пары транзисторов, входящие в состав ФИУ

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

• одновременно переходят в режим отсечки при отсутствии управляющего сигнала
• одновременно переходят в режим насыщения при поступлении управляющего импульса
• при отсутствии управляющего сигнала находятся в режиме насыщения и режиме отсечки
• при поступлении управляющего сигнала переключаются в режим насыщения и режим отсечки

Коэффициент заполнения импульсов силового ключа

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

• прямо пропорционален периоду следования импульсов
• прямо пропорционален длительности открытого состояния ключа
• обратно пропорционален периоду следования импульсов
• обратно пропорционален длительности открытого состояния ключа

Коэффициент насыщения биполярного транзистора прямо пропорционален

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• току коллектора в граничном режиме
• току базы в граничном режиме
• току базы в насыщенном режиме
• току коллектора в насыщенном режиме

Коэффициент передачи тока в транзисторе Дарлингтона равен

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• сумме коэффициентов передачи тока двух составных транзисторов
• произведению коэффициентов передачи тока двух составных транзисторов
• разности коэффициентов передачи тока двух составных транзисторов
• отношению коэффициентов передачи тока двух составных транзисторов

Многоканальная система управления 3-х фазным выпрямителем содержит

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

• один генератор пилообразного напряжения
• один синхронизатор
• три синхронизатора
• три генератора пилообразного напряжения

Многослойный силовой полупроводниковый прибор содержит

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

• три p-n-перехода
• два p-n-перехода
• один p-n-переход
• четыре p-n-перехода

Мощность потерь обратного восстановления силового диода равна

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• произведению величины заряда обратного восстановления и частоты коммутации
• произведению величины заряда обратного восстановления и амплитуды входного сигнала
• произведению энергии обратного восстановления и частоты коммутации
• произведению амплитуды входного сигнала и частоты коммутации

Мощные полевые транзисторы (MOSFET) не применяются в

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• автоэлектронике
• сварочных аппаратах
• аудиотехнике
• видеотехнике

Наиболее важными методами защиты от токовой перегрузки не являются

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• подключение внешних дополнительных защитных устройств
• повышение уровня помехозащищенности системы управления и ключа
• определение момента перегрузки и подключение системы защиты
• уменьшение влияния паразитных элементов монтажа

Наибольшее применение в силовой технике получили МОП-транзисторы

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• с управляющим p-n-переходом
• со встроенным каналом
• с проводным каналом
• с индуцированным каналом

Начальный прирост тока в схеме тиристорного ключа с насыщающимся дросселем

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

• обратно пропорционален напряженности магнитного поля сердечника
• прямо пропорционален напряженности магнитного поля сердечника
• обратно пропорционален числу витков дросселя
• прямо пропорционален числу витков дросселя

Не существует вида модуляции со следующими временными параметрами

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• период импульса TO= const, длительность импульса tИ = const
• период импульса TO= var, длительность импульса tИ = var
• период импульса TO= const, длительность импульса tИ = var
• период импульса TO= var, длительность импульса tИ = const

Не характерно для силовых полевых и биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

• низкое быстродействие переключения
• низкий уровень коммуникационных потерь
• высокий уровень коммуникационных потерь
• высокое быстродействие переключения

Нуль-орган не может быть выполнен на базе:

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• ключевых транзисторов, работающих под управлением синхроимпульсов
• полупроводниковых диодов, работающих под управлением синхроимпульсов
• трансформатора, который перемагничивается в момент перехода синхронизирующего напряжения через нуль
• сравнивающего устройства в интегральном исполнении

Ограничением применения биполярных транзисторов в синхронных выпрямителях является условие: максимально допустимое обратное напряжение эмиттерного перехода должно быть

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• равно 2-х кратному выходному напряжению выпрямителя
• больше 2-х кратного выходного напряжения выпрямителя
• меньше 2-х кратного выходного напряжения выпрямителя
• равно выходному напряжению выпрямителя

Оптотиристор – это

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• тиристор со встроенным в него светоизлучателем
• фототиристор со встроенным в него светоприемником
• тиристор со встроенным в него светоприемником
• фототиристор со встроенным в него светоизлучателем

Основная функция силового диода

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• усиление переменного сигнала
• выпрямление переменного сигнала
• интегрирование переменного сигнала
• дифференцирование переменного сигнала

Основные преимущества IGBT по сравнению с полевыми транзисторами

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• высокое входное сопротивление
• меньшее напряжение в открытом состоянии
• высокие частотные характеристики
• низкий ток коммутации

Основные требования по параметрам ФИУ предъявляются к

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

• частоте питающего напряжения
• форме сигнала управления
• форме питающего напряжения
• мощности сигнала управления

Основным преимуществом тиристора GCT по сравнению с тиристором GTO является его

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• быстрое включение
• быстрое выключение
• медленное выключение
• низкая скорость нарастания запирающего тока

Основными видами перегрузок по напряжению не являются

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• характер подключенной нагрузки
• коммутационные процессы
• воздействие питающей сети
• короткое замыкание цепи нагрузки

Особенностью МОП-транзисторов является

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• низкое входное сопротивление и высокое быстродействие
• низкое входное сопротивление и низкое быстродействие
• высокое входное сопротивление и высокое быстродействие
• высокое выходное сопротивление и низкое быстродействие

Отсутствие неосновных носителей в диоде Шоттки не обеспечивает

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• предельное обратное напряжение более 100 В
• низкую инерционность прибора
• время обратного восстановления не более 0,3 мкс
• падение прямого напряжения от 0,3 до 0,6 В

Перегрузки по напряжению от коммутационных процессов не связаны с эффектами

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• повреждение силового ключа
• накопление зарядов в ключевых компонентах схемы
• влияние паразитных элементов схемы и монтажа
• рассасывание зарядов в ключевых компонентах схемы

Передаточной характеристикой IGBT транзистора называется зависимость тока коллектора от напряжения между

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• затвором и эмиттером при заданном напряжении между затвором и коллектором
• затвором и эмиттером при заданном напряжении между коллектором и эмиттером
• коллектором и эмиттером при заданном напряжении между затвором и эмиттером
• коллектором и эмиттером при заданном напряжении между затвором и коллектором

По методу управления биполярными транзисторами различают следующие режимы работы

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

• постоянный ток затвора управления транзистором при изменении тока нагрузки
• постоянный базовый ток управления транзистором при изменении тока нагрузки
• пропорциональное изменение базового тока транзистора с изменением тока нагрузки
• пропорциональное изменение тока затвора транзистора с изменением тока нагрузки

По результатам анализа основных параметров транзисторных ключей самое высокое обратное напряжение выдерживает

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• биполярный транзистор с изолированным затвором
• полевой транзистор с изолированным затвором
• асинхронный тиристор
• биполярный транзистор

Повышение рабочей частоты выше резонансной обеспечивает коммутацию ключей с LC-цепью

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• при положительном значении напряжения
• при нулевом значении тока
• при отрицательном значении тока
• при нулевом значении напряжения

Полевой транзистор в линейном режиме используется как

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• источник тока, управляемый напряжением на затворе
• сопротивление, управляемое напряжением на затворе
• источник тока, управляемый током на затворе
• сопротивление, управляемое током на затворе

Полевой транзистор в режиме насыщения используется как

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• источник тока, управляемый током на затворе
• источник напряжения, управляемый напряжением на затворе
• источник напряжения, управляемый током на затворе
• источник тока, управляемый напряжением на затворе

Полевые транзисторы нельзя включать по схеме

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• с общим затвором (ОЗ)
• с общим стоком (ОС)
• с общим истоком (ОИ)
• с общей базой (ОБ)

Потенциальная развязка информационного сигнала не выполняется с помощью

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• высокочастотного трансформатора
• непосредственной гальванической связи
• оптронной развязки
• оптоволоконной системы передачи

Предельная частота управления силовым ключом полевого транзистора

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

• прямо пропорциональна среднему выходному току драйвера
• прямо пропорциональна величине заряда во входной цепи ключа
• обратно пропорциональна среднему выходному току драйвера
• обратно пропорциональна величине заряда во входной цепи ключа

Преобразователи частоты непосредственного типа содержат в каждой фазе вентильные группы, работающие

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

• только в выпрямительном режиме
• только в инверторном режиме
• в инверторном режиме
• в выпрямительном режиме

Преобразователи, в которых передача аккумулированной энергии в нагрузку выполняется на этапе включения ключа (в импульсе), называются

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• обратноходовые
• импульсно-ходовые
• прямоходовые
• интервально-ходовые

Преобразователи, в которых передача аккумулированной энергии в нагрузку выполняется на этапе выключения ключа (в паузе), называются

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• обратноходовые
• интервально-ходовые
• прямоходовые
• импульсно-ходовые

При включении тиристора допустимая скорость нарастания анодного тока должна находиться в пределах

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• от 10 до 100 А/мкс
• от 1 до 100 А/мкс
• от 1 до 10 А/мкс
• от 10 до 1000 А/мкс

При использовании широтно-импульсной модуляции временные параметры имеют вид

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• период импульса TO= const, длительность импульса tИ = var
• период импульса TO= var, длительность импульса tИ = const
• период импульса TO= const, длительность импульса tИ = const
• период импульса TO= var, длительность импульса tИ = var

При одинаковой технологии изготовления DМОП-транзисторы по сравнению с VМОП–транзисторами имеют

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

• более высокое пробивное напряжение
• более высокое сопротивление открытого канала
• более низкое сопротивление открытого канала
• более низкое пробивное напряжение

При отсутствии напряжений на электродах полевого транзистора сопротивление сток – исток

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• равно нулю
• очень велико
• составляет единицы Ом
• составляет десятки Ом

При переходе в закрытое состояние мощность потерь в силовом диоде

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• резко увеличивается
• резко уменьшается
• равна нулю
• увеличивается постепенно

При подаче на управляющий электрод сигнала одной полярности симисторы включаются

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

• только в прямом направлении
• в прямом направлении
• в обратном направлении
• только в обратном направлении

При подаче обратного напряжения смещения сопротивление идеального диода

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• стремится к бесконечности
• меньше нуля
• равно нулю
• имеет конечную величину

При подаче прямого напряжения смещения сопротивление идеального диода

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• больше нуля
• меньше нуля
• стремится к бесконечности
• равно нулю

При расчете защитных цепей тиристорных ключей по сравнению с транзисторными ключами не учитывают следующие особенности

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• наличие более низких амплитудных значений переключающих токов и высоких значений рассеиваемой мощности
• наличие более высоких амплитудных значений переключающих токов
• изменение формы коммутируемых токов и напряжений
• наличие более высоких значений рассеиваемой мощности

При фазоимпульсном способе управления напряжение с анода тиристора поступает

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• через устройство синхронизации (УС) на вход фазосдвигающего устройства (ФСУ)
• через устройство синхронизации (УС) на вход нуль - органа (НО)
• через устройство синхронизации УС на вход генератора пилообразного напряжения (ГПН)
• на вход фазосдвигающего устройства (ФСУ)

Принципы построения систем управления преобразовательными устройствами не зависят от

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• функционального назначения преобразовательных устройств
• конструкции преобразовательного устройства
• типа преобразовательных устройств
• элементной базы электронных ключей

Пульсность выпрямителя

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

• обратно пропорциональна частоте пульсации
• прямо пропорциональна частоте питающего напряжения
• прямо пропорциональна частоте пульсации
• обратно пропорциональна частоте питающего напряжения

Самую большую мощность рассеивания до 10 МВт имеют

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• запираемые тиристоры (GTO, GST, IEGT)
• модули на биполярных транзисторах
• биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
• мощные полевые транзисторы (MOSFET)

Самую маленькую мощность рассеивания в диапазоне от 10 до 1000 Вт имеют

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

• мощные полевые транзисторы (MOSFET)
• модули на биполярных транзисторах
• запираемые тиристоры (GTO, GST, IEGT)
• симисторы (триаки)

Сигналы управления, поступающие на вход блока обработки информации (БОИ), могут

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

• транслироваться в устройство контроля и диагностики (УКД)
• обрабатываться непосредственно в блоке БОИ
• транслироваться в блок коммутационной аппаратуры КА
• транслироваться в блок датчиков Д

Сигналы, выходящие с выхода блока обработки информации БОИ, не содержат информации

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• в какое состояние перейдет устройство
• в каком состоянии находится устройство
• о режимах работы устройства
• о причинах срабатывания устройств защиты или отключения

Силовой униполярный транзистор – это полупроводниковый

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• не полностью управляемый прибор
• полностью управляемый током прибор
• неуправляемый прибор
• полностью управляемый электрическим полем прибор

Силовым диодом называется

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• полупроводниковый неуправляемый прибор с двумя выводами
• полупроводниковый полностью управляемый прибор с двумя выводами
• полупроводниковый полностью управляемый прибор с тремя выводами
• полупроводниковый неуправляемый прибор с тремя выводами

Симистор – это тиристор, который может

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

• пропускать ток только в одном направлении
• пропускать ток в обоих направлениях
• не пропускать ток в обоих направлениях
• не пропускать ток только в одном направлении

Система стабилизации выходного напряжения импульсного преобразователя постоянного тока содержит

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• контур отрицательной обратной связи, включающий датчик тока (ДТ)
• контур отрицательной обратной связи, включающий датчик напряжения (ДН)
• контур положительной обратной связи, включающий датчик тока (ДТ)
• контур положительной обратной связи, включающий датчик напряжения (ДН)

Система управления силовым электронным аппаратом, в отличие от силовой части, не обеспечивает

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• оперативный обмен с внешней средой
• регулирование значений выходных параметров
• диагностику отказов
• передачу электрической энергии от первичного источника к потребителю

Современные МОП-транзисторы обеспечивают коммутацию

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• токов до 50 А и напряжения до 1000 В
• токов до 100 А и напряжения до 1500 В
• токов до 60 А и напряжения до 1100 В
• токов до 70 А и напряжения до 1200 В

Структура IGBT транзистора отличается от структуры DМОП-транзистора

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• дополнительным слоем полупроводника n-типа
• дополнительным слоем полупроводника p-типа
• дополнительным слоем полупроводника p-n-типа
• дополнительным слоем полупроводника n-p-типа

Схема автономного инвертора напряжения со звеном постоянного тока (VWF-инвертор) не содержит

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• трехфазный мостовой инвертор
• неуправляемый выпрямитель
• емкостной фильтр
• полумостовой инвертор

Схема замещения реального силового диода при низкой частоте не содержит

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• идеальный диод
• катушку индуктивности
• электрическую батарею
• резистор с динамическим сопротивлением

Сходство характеристик БТИЗ и ПТИЗ в области безопасной работы

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

• наличие участка вторичного пробоя
• высокая температурная устойчивость
• низкая температурная устойчивость
• отсутствие участка вторичного пробоя

Тиристоры с полной управляемостью применяются при создании

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

• управляемых выпрямителей тока
• регулируемых электроприводов переменного тока
• мощных источников питания электрических подстанций
• преобразователей переменного напряжения

Ток стока IGBT транзистора

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

• обратно пропорционален эквивалентной крутизне
• обратно пропорционален напряжению на затворе
• прямо пропорционален эквивалентной крутизне
• прямо пропорционален напряжениюна затворе

Транзистор - это

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• полупроводниковый полностью управляемый прибор с тремя и более выводами
• полупроводниковый полностью управляемый прибор с двумя выводами
• полупроводниковый частично управляемый прибор
• полупроводниковый неуправляемый прибор

Транзисторы Дарлингтона используют для

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• увеличения коэффициента передачи тока в силовых высоковольтных транзисторах
• уменьшения коэффициента передачи тока в силовых высоковольтных транзисторах
• уменьшения коэффициента передачи тока в силовых низковольтных транзисторах
• увеличения коэффициента передачи тока в силовых низковольтных транзисторах

Управляющий параметр M, влияющий на изменение траектории движения рабочей точки транзистора, не зависит от

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• величины дополнительной индуктивности
• величины защитной емкости
• фронта нарастания силового напряжения
• типа транзистора

Управляющий параметр N, влияющий на изменение траектории движения рабочей точки транзистора, не зависит от

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• фронта нарастания силового тока
• величины дополнительной индуктивности
• типа транзистора
• величины защитной емкости

Устройством силовой техники, преобразующим переменное напряжение в постоянное, является

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• преобразователь частоты
• инвертор
• выпрямитель
• регулятор переменного значения

Устройством силовой техники, преобразующим постоянное напряжение в переменное, является

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• инвертор
• преобразователь числа фаз
• выпрямитель
• трансформатор

Фазосдвигающие устройства (ФСУ) не строятся на базе

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• управляемых транзисторных генераторов
• импульсных трансформаторов
• R-L-Сцепей
• интегральных микросхем

Форсированный вывод биполярного транзистора электронного ключа из режима насыщения осуществляется

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• путем размыкания его базовой цепи
• путем размыкания его эмиттерной цепи
• путем размыкания его коллекторной цепи
• путем размыкания его затворной цепи

Фототиристор – это фотоэлектронный прибор

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

• имеющий трехслойную структуру
• управляемый электрическими импульсами
• имеющий четырехслойную структуру
• управляемый световыми импульсами

Что не относится к основным требованиям, предъявляемым к трансформаторным ФИУ

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• обеспечение минимальной начальной площади импульса включения тиристора
• обеспечение максимальной начальной площади импульса включения тиристора
• минимальная длительность импульса управления
• нахождение рабочей точки нагрузки управляющего электрода в зоне оптимального управления

Что не относится к преимуществам транзисторов ПТИЗ и БТИЗ перед биполярными транзисторами

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• высокое входное сопротивление затвора
• высокие динамические характеристики
• низкое входное сопротивление затвора
• низкая потребляемая мощность

Чтобы регулировать частоту задающего генератора (ЗГ) асинхронная система должна

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

• иметь отрицательную обратную связь
• быть замкнутой
• быть открытой
• иметь положительную обратную связь

Эквивалентная крутизна передаточной характеристики БТИЗ

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

• прямо пропорциональна напряжению на затворе
• прямо пропорциональна току коллектора
• обратно пропорциональна напряжению на затворе
• обратно пропорциональна току коллектора

Электрический пробой силового диода возникает, когда

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• обратное напряжение уменьшается по отношению к установленному порогу
• обратное напряжение увеличивается сверх установленного порога
• обратное напряжение отсутствует
• обратное напряжение равно значению установленного порога

Электронный аппарат – это электротехническое устройство управления потоками

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

• энергии
• информации
• тока
• напряжения

Эффективным техническим решением является использование в выпрямительных схемах ключевых транзисторов с

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

• пониженным до единиц вольта выходным напряжением
• пониженным до долей вольта выходным напряжением
• синхронным переключением в такт от высокочастотного входного сигнала
• асинхронным переключением в такт от низкочастотного входного сигнала

IGBT транзистор не находит применение в области

Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов

• высоких напряжений
• высоких частот
• высоких мощностей
• высоких токов коммутации

SIT транзисторы производятся с каналами

Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов

• только p-типа
• только n-типа
• n-типа
• p-типа