- Учебные материалы
Биполярный транзистор с изолированным затвором представляет собой сочетание
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
- входного униполярного (полевого) транзистора с изолированным затвором
- входного биполярного n-p-n-транзистора
- выходного биполярного n-p-n-транзистора
- выходного униполярного (полевого) транзистора с изолированным затвором
Биполярный транзистор с изолированным затвором IGBT сочетает особенности
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
- полевого транзистора с горизонтальным каналом
- униполярного транзистора
- полевого транзистора с вертикальным каналом
- биполярного транзистора
Блок, предназначенный для согласования уровней сигнала между выходом регулятора и непосредственными входами силовых устройств, это
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- УКД – устройство контроля и диагностики
- КА – блок коммутационной аппаратуры
- ФИУ – формирователь импульсов управления
- БОИ – блок обработки информации
Быстровосстанавливающиеся диоды характеризуются следующими параметрами
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
- время обратного восстановления - до 50 мкс
- прямой ток - в диапазоне от 10 до 1000 А
- обратное напряжение от 50 до 3000 В
- время восстановления обратного сопротивления до 1000нс
Быстродействие IGBT транзистора
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
- выше быстродействия полевых транзисторов
- ниже быстродействия полевых транзисторов
- выше быстродействия биполярных транзисторов
- ниже быстродействия биполярных транзисторов
В активном режиме биполярного транзистора большая часть неосновных носителей, перешедших из эмиттера в базу, достигает коллекторного p-n-перехода благодаря
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
- малой площади коллекторного p-n-перехода
- большой толщины базы
- малой толщины базы
- большой площади коллекторного p-n-перехода
В активном режиме работы биполярного транзистора
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- выходной ток обратно пропорционален входному току
- выходной ток равен входному току
- выходной ток не зависит от входного тока
- выходной ток прямо пропорционален входному току
В асинхронной одноканальной системе управления 3-х фазным выпрямителем распределитель импульсов обеспечивает сдвиг фаз по трем каналам на величину
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
В инверсном режиме работы силового биполярного транзистора p-n-p-типа переходы смещаются
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
- коллектор-база - в обратном направлении
- эмиттер-база - в прямом направлении
- коллектор-база - в прямом направлении
- эмиттер-база - в обратном направлении
В интегрированном запираемом тиристоре IGCT присутствует
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- встроенный светоизлучатель
- встроенный светоприемник
- импульсная схема управления
- интегральная схема управления
В каком режиме может находиться биполярный транзистор в зависимости от полярности приложенного к переходам напряжения
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
- индуктивном
- инверсном
- отсечки
- импульсном
В качестве многоканальных полевых транзисторов с высокими пробивными напряжениями (до 300 В) применяются:
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
- DМОП - структуры
- МОП - структуры
- МДП - структуры
- VМОП - структуры
В ключевом режиме работы биполярного транзистора мощности потерь в точках отсечки и насыщения будут
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- значительно больше мощности потерь в рабочей точке линейного режима транзистора
- равны мощности потерь в рабочей точке линейного режима транзистора
- значительно меньше мощности потерь в рабочей точке линейного режима транзистора
- равны мощности потерь в рабочей точке инверсного режима транзистора
В МОП-транзисторе управляющее напряжение, регулирующее ширину проводящего канала, подается на
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
В мостовых схемах, построенных на быстрых МДП - транзисторах, могут возникнуть следующие отказы
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
- открытие нижнего транзистора за счет заряда входной емкости выше порогового уровня
- открытие паразитного биполярного транзистора при выключении внутреннего обратного диода
- закрытие нижнего транзистора за счет заряда входной емкости выше порогового уровня
- закрытие паразитного биполярного транзистора при выключении внутреннего обратного диода
В настоящее время широкое применение в качестве полностью управляемых ключей получили
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
- полевые транзисторы с изолированным затвором
- биполярные транзисторы с изолированным затвором БТИЗ и IGBT-транзисторы
- силовые биполярные транзисторы
- СИТ - транзисторы
В одноканальной системе управления 3-фазным выпрямителем частота генератора пилообразного напряжения
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- в три раза превышает частоту питающей сети
- равна частоте питающей сети
- в три раза меньше частоты питающей среды
- в шесть раз превышает частоту питающей среды
В основе биполярного транзистора лежит
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- трехслойная полупроводниковая структура
- четырехслойная полупроводниковая структура
- однослойная полупроводниковая структура
- двухслойная полупроводниковая структура
В разумных силовых интегральных схемах в качестве силовых ключей получили широкое распространение
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
- биполярные транзисторы
- силовые МОП-транзисторы
- биполярные транзисторы с изолированным затвором
- асинхронные тиристоры
В режиме лавинного пробоя силового диода
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- резко увеличивается обратный ток при незначительном изменении обратного напряжения
- резко уменьшается обратный ток при незначительном изменении обратного напряжения
- обратный ток остается постоянным при незначительном изменении обратного напряжения
- обратный ток снижается до нулевого значения при постоянстве обратного напряжения
В режиме насыщения биполярный транзистор можно заменить
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- замкнутым ключом, на котором падает небольшое напряжение
- источником тока коллектора, управляемого током базы
- разомкнутым ключом
- источником тока эмиттера, управляемого током базы
В режиме отсечки биполярный транзистор можно заменить
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- замкнутым ключом
- источником тока коллектора, управляемого током базы
- источником тока эмиттера, управляемого током базы
- разомкнутым ключом
В режиме эмиттерного управления силовым ключом используют вспомогательный
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- высоковольтный быстродействующий МДП-транзистор
- высоковольтный быстродействующий биполярный транзистор
- низковольтный быстродействующий МДП-транзистор
- низковольтный быстродействующий биполярный транзистор
В резонансных силовых преобразователях
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
- паразитные элементы не являются составной частью резонансного LC-контура
- коммутация силовых ключей выполняется либо при положительном напряжении, либо при отрицательном токе
- коммутация силовых ключей выполняется либо при нулевом напряжении, либо при нулевом токе
- паразитные элементы являются составной частью резонансного LC-контура
В силовых инверторах с GTO ключами и двигательной нагрузкой энергия, запасаемая в паразитных и ограничивающих анодных индуктивностях,
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
- прямо пропорциональна величине паразитной индуктивности
- прямо пропорциональна квадрату величины анодного тока
- обратно пропорциональна величине паразитной индуктивности
- обратно пропорциональна квадрату величины анодного тока
В силовых приборах на основе многослойных p-n-переходов с неполной управляемостью
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
- включение осуществляется при спаде тока через прибор до нуля
- выключение осуществляется сигналом управления
- включение осуществляется сигналом управления
- выключение – при спаде тока через прибор до нуля
В симметричных силовых биполярных транзисторах области коллектора и эмиттера имеют
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- одинаковые свойства, но разные геометрические размеры
- различные свойства и геометрические размеры
- одинаковые свойства и геометрические размеры
- различные свойства, но одинаковые геометрические размеры
В системах управления электродвигателями особенностью нагрузки не является
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- наличие длительных многократных перегрузок по току
- индуктивный характер нагрузки
- наличие противонаправленной ЭДС вращения
- наличие кратковременных многократных перегрузок по току
В системе управления инвертором автономного типа с 2-х ступенчатой коммутацией содержится
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
- два распределителя импульсов (РИ)
- четыре формирователя импульсов управления (ФИУ)
- два формирователя импульсов управления (ФИУ)
- один распределитель импульсов (РИ)
В системе управления инвертором автономного типа с 2-х ступенчатой коммутацией частота на выходе задающего генератора (ЗГ)
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- в четыре раза меньшей выходной частоты инвертора
- в два раза превышает выходную частоту инвертора
- в четыре раза превышает выходную частоту инвертора
- в два раза меньшей выходной частоты инвертора
В структуре биполярного транзистора крайний слой, принимающий заряды, называется
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- база
- коллектор
- подложка
- эмиттер
В структуре биполярного транзистора крайний слой, являющийся источником носителей зарядов, называется
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- база
- коллектор
- подложка
- эмиттер
В структурной схеме контроля режима токовой перегрузки по выходному напряжению ключа к функциям триггера не относится
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- запускает таймер для отсчета времени, включения рестарта элементов системы
- формирует сигнал индикации короткого замыкания
- запрещает выработку драйвером импульсов управления силовым ключом
- управляет работой компаратора
В структурной схеме, реализующей вертикальный способ управления, содержится
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
- фазосдвигающее устройство (ФСУ)
- нуль-орган (НО)
- генератор пилообразного напряжения (ГПН)
- компаратор (К)
В схеме ФИУ комплементарные транзисторы используют в основном для
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- увеличения мощности, потребляемой ФИУ
- повышения частотных характеристик ФИУ
- снижения частотных характеристик ФИУ
- снижения мощности, потребляемой ФИУ
В транзисторе IGBT сочетается
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
- высокое сопротивление во включенном состоянии биполярного транзистора
- высокое входное сопротивление МОП-транзистора с высокой токовой нагрузкой
- малое сопротивление во включенном состоянии биполярного транзистора
- низкое входное сопротивление МОП-транзистора с низкой токовой нагрузкой
Величина заряда обратного восстановления силового диода
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- прямо пропорциональна амплитуде входного сигнала
- прямо пропорциональна частоте коммутации
- обратно пропорциональна мощности потерь обратного восстановления
- прямо пропорциональна энергии обратного восстановления
Величина паразитной индуктивности в мостовой схеме на базе МСТ тиристоров
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
- прямо пропорциональна величине напряжения источника питания
- обратно пропорциональна величине напряжения источника питания
- обратно пропорциональна предельно допустимой скорости нарастания анодного тока
- прямо пропорциональна предельно допустимой скорости нарастания анодного тока
Время восстановления обратного сопротивления для быстровосстанавливающихся диодов достигает:
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- до 200 нс
- до 10 мкс
- до 100 нс
- до 100 мкс
Время восстановления обратного сопротивления для диодов общего назначения достигает:
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- от 25 до 100 мкс
- от 1 до 5 мкс
- от 25 до 100 нс
- от 1 до 5 нс
Входной ток оптронов в импульсном режиме составляет
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- порядка 0,1 А
- порядка 0,5 А
- порядка 0,3 А
- порядка 0,2 А
Входной ток оптронов в статическом режиме составляет
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- от 10 до 20 А
- от 20 до 40 мА
- от 10 до 20 мА
- от 20 до 40 А
Высокое входное сопротивление полевых транзисторов обусловлено тем, что регулирование значения тока осуществляется
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- продольным электрическим полем, а не током
- продольным током, а не электрическим полем
- поперечным током, а не электрическим полем
- поперечным электрическим полем, а не током
Высокой температурной устойчивостью не обладает
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- полевой транзистор с изолированным затвором
- биполярный транзистор с изолированным затвором
- IGBT транзистор
- биполярный транзистор
Главным достижением развития современных силовых ключей является
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- объединение в едином корпусе прибора источника электропитания и функций переключателя и защиты
- объединение в едином корпусе прибора функций переключателя, управления и защиты
- объединение в едином корпусе прибора источника тока и функций переключателя и защиты
- объединение в едином корпусе прибора источника электропитания и функций управления и защиты
Граничное условие перехода биполярного транзистора p-n-p-типа из активного режима в режим насыщения
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- напряжение перехода коллектор – база меньше нуля
- напряжение перехода база – эмиттер равно нулю
- напряжение перехода коллектор – база равно нулю
- напряжение перехода база – эмиттер больше нуля
Динамическими параметрами силового диода являются
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
- среднее значение прямого тока
- пороговое напряжение
- время нарастания прямого тока
- время восстановления обратного напряжения
Диоды общего назначения на основе p-n-перехода характеризуются
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- высокими значениями обратного напряжения и прямого тока
- высокими значениями прямого напряжения и прямого тока
- низкими значениями обратного напряжения и прямого тока
- низкими значениями обратного напряжения и обратного тока
Для выполнения потенциальной развязки применяют ФИУ, в которых используется
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
- раздельная передача напряжения и формы управляющего сигнала
- совместная передача энергии и формы управляющего сигнала
- раздельная передача энергии и информационного сигнала
- совместная передача тока и информационного сигнала
Для защиты от перегрузок по напряжению под воздействием питающей сети используют
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- внутренние защитные устройства, подключенные параллельно выходу силового преобразователя
- внутренние защитные устройства, подключенные параллельно входу силового преобразователя
- внешние защитные устройства, подключенные параллельно входу силового преобразователя
- внешние защитные устройства, подключенные параллельно выходу силового преобразователя
Для защиты от перегрузок по напряжению, связанных с коммутационными процессами, используют
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- снабберы, включаемые последовательно силовому ключу или группе приборов
- снабберы, включаемые параллельно силовому ключу или группе приборов
- снабберы, включаемые последовательно нагрузке
- снабберы, включаемые параллельно нагрузке
Для исключения выхода из строя тиристорного ключа к запираемому тиристору GTO
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- последовательно включают демпфирующую RCD - цепь
- параллельно включают демпфирующую RLC - цепь
- параллельно включают демпфирующую RCD - цепь
- последовательно включают демпфирующую RLC - цепь
Для мостовых схем используют защитные RCD-цепи, в которых резисторы подключаются
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- соответственно к верхней и нижней монтажным шинам схемам
- перекрестно к противоположным монтажным шинам схемы
- последовательно с силовым ключом
- параллельно силовому ключу
Для ограничения напряжения на затворе полевого транзистора параллельно выходному узлу драйвера включают
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
- шунтирующий высокочастотный конденсатор небольшой емкости
- быстродействующий диод
- низкочастотный диод
- шунтирующий низкочастотный конденсатор большой емкости
Для перехода биполярного транзистора p-n-p-типа в режим насыщения необходимо сместить переходы
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
- коллектор-база - в обратном направлении
- эмиттер-база - в прямом направлении
- эмиттер-база - в обратном направлении
- коллектор-база - в прямом направлении
Для построения систем управления двигателями переменного тока наиболее перспективными являются
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
- симисторы (триаки)
- тиристорные ключи
- IGBT транзисторы
- биполярные транзисторы
Для систем питания двигателей постоянного тока от сети переменного тока эффективно используют
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
- симисторы (триаки)
- однооперационные тиристоры
- МОП-транзисторы
- биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Для снижения влияния помех на информационные каналы сигналов силовых ключей выполняют
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
- повышают уровень индуктивной связи между проводниками
- гальваническую развязку между основными токоведущими шинами схемы и драйверами ключей
- уменьшают индуктивную связь между проводниками
- повышают уровень емкостной связи между цепями
Для схемы с общим эмиттером IGBT транзистора выходной характеристикой называется зависимость тока коллектора от напряжения между
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- коллектором и эмиттером при заданном напряжении между затвором и эмиттером
- коллектором и эмиттером при заданном напряжении между затвором и коллектором
- затвором и эмиттером при заданном напряжении между коллектором и эмиттером
- затвором и коллектором при заданном напряжении между коллектором и эмиттером
Для уменьшения паразитной емкостной связи между проводниками не выполняют
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- используют сигнальные проводники в виде витых пар
- удаляют сигнальные проводники дальше от силовых шин
- приближают сигнальные проводники к силовым шинам
- экранируют сигнальные проводники
Для управления многофазными выпрямителями система управления должна включать количество каналов, равное
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- произведению фазности на число периодов выпрямителя
- числу периодов выпрямителя
- фазности выпрямителя
- сумме фазности и числа периодов выпрямителя
Для управления электронным ключом на биполярном транзисторе не должно выполняться следующее требование
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- свободное протекание коллекторного тока через насыщенный транзистор с минимальными потерями
- гарантированный переход транзистора в режим насыщения под воздействием тока базы
- минимальный ток утечки через закрытый транзистор в режиме отсечки
- гарантированный переход транзистора в режим насыщения под воздействием тока эмиттера
Допустимый ток тиристора в относительных единицах с ростом скорости охлаждающего воздуха
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- вначале увеличивается, а потом уменьшается
- вначале уменьшается, а потом увеличивается
- увеличивается до 1
- не изменяется
Допустимый ток тиристора в относительных единицах с ростом температуры окружающей среды
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- уменьшается до нуля
- возрастает
- не изменяется вообще
- вначале уменьшается, а потом увеличивается
Допустимый ток тиристора в относительных единицах с ростом частоты
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- вначале уменьшается, а потом увеличивается до 1
- не изменяется
- увеличивается до 1 и потом остается неизменным
- вначале увеличивается до 1, а потом уменьшается
Достоинства БСИТ по сравнению с СИТ
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
- напряжение отсечки равно нулю
- напряжение отсечки имеет отрицательное значение
- при отсутствии напряжения на затворе БСИТ находится в закрытом состоянии
- при отсутствии напряжения на затворе БСИТ находится в открытом состоянии
Если при работе запираемых тиристоров скорость нарастания тока di/dt превышает предельно установленный уровень, то
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
- улучшаются частотные и динамические свойства прибора
- снижается мощность потерь
- ухудшаются частотные и динамические свойства прибора
- возрастает мощность потерь
Идеальный диод переходит в замкнутое состояние, если
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- напряжение на аноде меньше, чем напряжение на катоде
- напряжение на аноде равно напряжению на катоде
- напряжение на аноде больше, чем напряжение на катоде
- напряжения на аноде и катоде отсутствуют
К аппаратам высокого напряжения, обеспечивающим отключение электрических цепей в режиме короткого замыкания, относятся
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- выключатели высокого напряжения
- шунтирующие реакторы
- токоограничивающие реакторы
- ограничители перенапряжений
К аппаратам высокого напряжения, предназначенным для компенсации реактивной мощности, относятся
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- разъединители и отделители
- ограничители перенапряжений
- шунтирующие реакторы
- разделительные трансформаторы
К аппаратам низкого напряжения не относятся
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- аппараты управления и защиты
- аппараты автоматического регулирования
- шунтирующие реакторы
- аппараты автоматики
К динамическим характеристикам тиристоров в переходном процессе включения не относится
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- время включения тиристора
- время запаздывания обратного напряжения
- время нарастания
- время установления
К недостаткам МОП-транзисторов относится
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
- малое значение входной емкости
- большое значение входной емкости
- повышенное сопротивление в проводящем состоянии
- очень низкое сопротивление в проводящем состоянии
К недостаткам оптронной развязки в ФИУ не относится
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- низкий коэффициент передачи тока
- температурная нестабильность параметров
- большая задержка передачи сигналов
- потенциальная развязки информационного сигнала
К новым типам комбинированных транзисторов относятся
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
- транзисторы со статической индукцией
- биполярные транзисторы с изолированным затвором
- симистор
- полевой тиристор МСТ
К основным динамическим параметрам полевого транзистора с изолированном затвором не относятся
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
- тепловое сопротивление переход-корпус
- энергия потерь при включении
- крутизна передаточной характеристики
- время включения транзистора
К основным динамическим параметрам полевого транзистора с изолированном затвором относятся
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- ток отсечки через запертый транзистор
- тепловое сопротивление переход - окружающая среда
- выходная емкость
- время нарастания тока стока
К основным достоинствам однотактных схем импульсных преобразователей относятся
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
- симметричный режим работы трансформатора
- малое количество силовых ключей
- простота реализации схем управления
- интеллектуальная система управления
К основным критериям, используемым при выборе типа силового ключа, не относится
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- обеспечение высокого прямого падения напряжения в открытом состоянии
- временные параметры переключения
- рабочая температура структуры и допустимая энергия потерь
- обеспечение низкого прямого падения напряжения в открытом состоянии
К основным преимуществам полевых транзисторов относятся:
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
- высокий уровень собственных шумов
- высокое входное сопротивление в схеме с общим истоком (ОИ)
- отсутствие вторичного пробоя
- низкая плотность размещения элементов при изготовлении интегральных схем
К основным причинам, вызывающим появление аварийных токовых перегрузок силовых ключей, не относится
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- работа на противофазный диод
- повреждение силового ключа
- влияние паразитных элементов монтажа
- «опрокидывание» инвертора
К основным проблемам прямого управления силовым полевым транзистором в импульсных источниках питания относятся
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
- высокий уровень выходного тока драйвера
- низкая рассеиваемая мощность в драйвере
- ограниченный выходной ток драйвера
- оптимизация разводки печатной платы
К основным статическим параметрам полевых транзисторов с изолированным затвором относятся:
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
- входная емкость
- энергия потерь при включении
- максимально допустимый ток стока
- крутизна передаточной характеристики
К основным требованиям, предъявляемым к управлению ПТИЗ и БТИЗ, относятся
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
- для открытия транзисторов на их затвор необходимо подать нулевое напряжение
- для открытия транзисторов на их затвор необходимо подать напряжение равное от 10 до 15 В
- для закрытия транзисторов на их затвор необходимо подать напряжение равное от 10 до 15 В
- для закрытия транзисторов на их затвор необходимо подать нулевое напряжение
К параметрам силовой цепи тиристора по напряжению относятся
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
- максимально допустимый средний прямой ток (предельный ток)
- ударный ток
- напряжение лавинного пробоя
- напряжение переключения тиристора
К параметрам силовой цепи тиристора по току не относится
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- максимально допустимый средний прямой ток (предельный ток)
- энергия, которая может выделиться в тиристоре без его разрушения
- напряжение лавинного пробоя
- ударный ток
К проблемам использования трансформаторных ФИУ для управления силовыми ключами с изолированным затвором не относятся
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
- зависимость амплитуды импульса управления от скважности
- независимость стабильности времени выключения от длительности прямого сигнала
- зависимость стабильности времени выключения от длительности прямого сигнала
- независимость амплитуды импульса управления от скважности
К силовым приборам на основе многослойных p-n-переходов с неполной управляемостью не относится
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- симистор
- асимметричный (обычный) тиристор SCR
- интегрируемый запираемый тиристор IGTC
- фототиристор
К силовым приборам на основе многослойных p-n-переходов с полной управляемостью относятся
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
- полевой тиристор МСТ
- оптотиристор
- фототиристор
- тиристор GTC
К статическим параметрам силового диода не относится
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- пороговое напряжение
- динамическое сопротивление
- напряжение пробоя
- время нарастания прямого тока
К функциям системы управления силовым электронным устройством относятся
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
- преобразование переменного напряжения в постоянное напряжение
- преобразование постоянного напряжения в переменное напряжение
- формирование сигналов управления силовой частью
- осуществление оперативного обмена с внешней средой
Какая из схем включения полевого транзистора позволяет получить значительные коэффициенты усиления по току, напряжению и мощности одновременно
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- с общей базой (ОБ)
- с общим истоком (ОИ)
- с общей подложкой (ОП)
- с общим стоком (ОС)
Какие из нижеперечисленных систем не относятся к дискретным системам
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- импульсные
- цифровые
- непрерывные
- релейные
Какие ключевые приборы используются в диапазоне рабочих частот от 50 до 100 Гц
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
- биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
- тиристоры (SCR)
- биполярные и МОП-транзисторы
- симисторы (триаки)
Какие ключевые приборы используются в диапазоне рабочих частот от 50 до 800 кГц
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- модули на полевых транзисторах (IGBT, MCT)
- биполярные и МОП-транзисторы
- мощные полевые транзисторы (MOSFET)
- запираемые тиристоры (GTO, GST, IEGT)
Какие полевые транзисторы не входят в общую группу по принципу действия
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- транзисторы с изолированным затвором (ПТИЗ)
- транзисторы с управляющим p-n-переходом (p-n-затвором) (ПТУП)
- МОП - транзисторы (металл -окисел-полупроводник)
- МДП - транзисторы (металл -диэлектрик-полупроводник
Какие силовые приборы не относятся к основным группам «разумных» преобразовательных приборов
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- силовые ключи с встроенными системами защиты
- силовые ключи с интегрированными функциями защиты и управления
- силовые ключи с внешними системами защиты и управления
- силовые интеллектуальные модули
Какие существуют силовые униполярные транзисторы по принципу действия
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
- с неуправляющим p-n-переходом
- с проводимым затвором
- с управляющим p-n-переходом
- с изолированным затвором
Каких силовых МОП-транзисторов с изолированным затвором не существует
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- с проводным каналом
- со встроенным каналом
- с индуцированным каналом
- с проецированным каналом
Какое импульсное обратное напряжение имеет силовой диод 6-го класса
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
Какой полупроводник используется при изготовлении диода Шоттки
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- германий
- арсенид-галлий
- карбидокремний
- кремний
Качество МДП - структуры тем выше, чем
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
- Качество МДП - структуры тем выше, чем
- больше паразитная емкость
- ниже крутизна передаточной характеристики
- выше крутизна передаточной характеристики
- меньше паразитная емкость
Комплементарные пары транзисторов, входящие в состав ФИУ
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
- одновременно переходят в режим отсечки при отсутствии управляющего сигнала
- одновременно переходят в режим насыщения при поступлении управляющего импульса
- при отсутствии управляющего сигнала находятся в режиме насыщения и режиме отсечки
- при поступлении управляющего сигнала переключаются в режим насыщения и режим отсечки
Коэффициент заполнения импульсов силового ключа
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
- прямо пропорционален периоду следования импульсов
- прямо пропорционален длительности открытого состояния ключа
- обратно пропорционален периоду следования импульсов
- обратно пропорционален длительности открытого состояния ключа
Коэффициент насыщения биполярного транзистора прямо пропорционален
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- току коллектора в граничном режиме
- току базы в граничном режиме
- току базы в насыщенном режиме
- току коллектора в насыщенном режиме
Коэффициент передачи тока в транзисторе Дарлингтона равен
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- сумме коэффициентов передачи тока двух составных транзисторов
- произведению коэффициентов передачи тока двух составных транзисторов
- разности коэффициентов передачи тока двух составных транзисторов
- отношению коэффициентов передачи тока двух составных транзисторов
Многоканальная система управления 3-х фазным выпрямителем содержит
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
- один генератор пилообразного напряжения
- один синхронизатор
- три синхронизатора
- три генератора пилообразного напряжения
Многослойный силовой полупроводниковый прибор содержит
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
- три p-n-перехода
- два p-n-перехода
- один p-n-переход
- четыре p-n-перехода
Мощность потерь обратного восстановления силового диода равна
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- произведению величины заряда обратного восстановления и частоты коммутации
- произведению величины заряда обратного восстановления и амплитуды входного сигнала
- произведению энергии обратного восстановления и частоты коммутации
- произведению амплитуды входного сигнала и частоты коммутации
Мощные полевые транзисторы (MOSFET) не применяются в
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- автоэлектронике
- сварочных аппаратах
- аудиотехнике
- видеотехнике
Наиболее важными методами защиты от токовой перегрузки не являются
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- подключение внешних дополнительных защитных устройств
- повышение уровня помехозащищенности системы управления и ключа
- определение момента перегрузки и подключение системы защиты
- уменьшение влияния паразитных элементов монтажа
Начальный прирост тока в схеме тиристорного ключа с насыщающимся дросселем
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
- обратно пропорционален напряженности магнитного поля сердечника
- прямо пропорционален напряженности магнитного поля сердечника
- обратно пропорционален числу витков дросселя
- прямо пропорционален числу витков дросселя
Не существует вида модуляции со следующими временными параметрами
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- период импульса TO= const, длительность импульса tИ = const
- период импульса TO= var, длительность импульса tИ = var
- период импульса TO= const, длительность импульса tИ = var
- период импульса TO= var, длительность импульса tИ = const
Не характерно для силовых полевых и биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
- низкое быстродействие переключения
- низкий уровень коммуникационных потерь
- высокий уровень коммуникационных потерь
- высокое быстродействие переключения
Ограничением применения биполярных транзисторов в синхронных выпрямителях является условие: максимально допустимое обратное напряжение эмиттерного перехода должно быть
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- равно 2-х кратному выходному напряжению выпрямителя
- больше 2-х кратного выходного напряжения выпрямителя
- меньше 2-х кратного выходного напряжения выпрямителя
- равно выходному напряжению выпрямителя
Оптотиристор – это
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- тиристор со встроенным в него светоизлучателем
- фототиристор со встроенным в него светоприемником
- тиристор со встроенным в него светоприемником
- фототиристор со встроенным в него светоизлучателем
Основная функция силового диода
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- усиление переменного сигнала
- выпрямление переменного сигнала
- интегрирование переменного сигнала
- дифференцирование переменного сигнала
Основные преимущества IGBT по сравнению с полевыми транзисторами
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- высокое входное сопротивление
- меньшее напряжение в открытом состоянии
- высокие частотные характеристики
- низкий ток коммутации
Основные требования по параметрам ФИУ предъявляются к
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
- частоте питающего напряжения
- форме сигнала управления
- форме питающего напряжения
- мощности сигнала управления
Основным преимуществом тиристора GCT по сравнению с тиристором GTO является его
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- быстрое включение
- быстрое выключение
- медленное выключение
- низкая скорость нарастания запирающего тока
Основными видами перегрузок по напряжению не являются
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- характер подключенной нагрузки
- коммутационные процессы
- воздействие питающей сети
- короткое замыкание цепи нагрузки
Особенностью МОП-транзисторов является
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- низкое входное сопротивление и высокое быстродействие
- низкое входное сопротивление и низкое быстродействие
- высокое входное сопротивление и высокое быстродействие
- высокое выходное сопротивление и низкое быстродействие
Отсутствие неосновных носителей в диоде Шоттки не обеспечивает
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- предельное обратное напряжение более 100 В
- низкую инерционность прибора
- время обратного восстановления не более 0,3 мкс
- падение прямого напряжения от 0,3 до 0,6 В
Перегрузки по напряжению от коммутационных процессов не связаны с эффектами
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- повреждение силового ключа
- накопление зарядов в ключевых компонентах схемы
- влияние паразитных элементов схемы и монтажа
- рассасывание зарядов в ключевых компонентах схемы
Передаточной характеристикой IGBT транзистора называется зависимость тока коллектора от напряжения между
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- затвором и эмиттером при заданном напряжении между затвором и коллектором
- затвором и эмиттером при заданном напряжении между коллектором и эмиттером
- коллектором и эмиттером при заданном напряжении между затвором и эмиттером
- коллектором и эмиттером при заданном напряжении между затвором и коллектором
По методу управления биполярными транзисторами различают следующие режимы работы
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
- постоянный ток затвора управления транзистором при изменении тока нагрузки
- постоянный базовый ток управления транзистором при изменении тока нагрузки
- пропорциональное изменение базового тока транзистора с изменением тока нагрузки
- пропорциональное изменение тока затвора транзистора с изменением тока нагрузки
По результатам анализа основных параметров транзисторных ключей самое высокое обратное напряжение выдерживает
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- биполярный транзистор с изолированным затвором
- полевой транзистор с изолированным затвором
- асинхронный тиристор
- биполярный транзистор
Повышение рабочей частоты выше резонансной обеспечивает коммутацию ключей с LC-цепью
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- при положительном значении напряжения
- при нулевом значении тока
- при отрицательном значении тока
- при нулевом значении напряжения
Полевой транзистор в линейном режиме используется как
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- источник тока, управляемый напряжением на затворе
- сопротивление, управляемое напряжением на затворе
- источник тока, управляемый током на затворе
- сопротивление, управляемое током на затворе
Полевой транзистор в режиме насыщения используется как
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- источник тока, управляемый током на затворе
- источник напряжения, управляемый напряжением на затворе
- источник напряжения, управляемый током на затворе
- источник тока, управляемый напряжением на затворе
Полевые транзисторы нельзя включать по схеме
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- с общим затвором (ОЗ)
- с общим стоком (ОС)
- с общим истоком (ОИ)
- с общей базой (ОБ)
Потенциальная развязка информационного сигнала не выполняется с помощью
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- высокочастотного трансформатора
- непосредственной гальванической связи
- оптронной развязки
- оптоволоконной системы передачи
Предельная частота управления силовым ключом полевого транзистора
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
- прямо пропорциональна среднему выходному току драйвера
- прямо пропорциональна величине заряда во входной цепи ключа
- обратно пропорциональна среднему выходному току драйвера
- обратно пропорциональна величине заряда во входной цепи ключа
Преобразователи частоты непосредственного типа содержат в каждой фазе вентильные группы, работающие
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
- только в выпрямительном режиме
- только в инверторном режиме
- в инверторном режиме
- в выпрямительном режиме
Преобразователи, в которых передача аккумулированной энергии в нагрузку выполняется на этапе включения ключа (в импульсе), называются
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- обратноходовые
- импульсно-ходовые
- прямоходовые
- интервально-ходовые
Преобразователи, в которых передача аккумулированной энергии в нагрузку выполняется на этапе выключения ключа (в паузе), называются
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- обратноходовые
- интервально-ходовые
- прямоходовые
- импульсно-ходовые
При включении тиристора допустимая скорость нарастания анодного тока должна находиться в пределах
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- от 10 до 100 А/мкс
- от 1 до 100 А/мкс
- от 1 до 10 А/мкс
- от 10 до 1000 А/мкс
При использовании широтно-импульсной модуляции временные параметры имеют вид
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- период импульса TO= const, длительность импульса tИ = var
- период импульса TO= var, длительность импульса tИ = const
- период импульса TO= const, длительность импульса tИ = const
- период импульса TO= var, длительность импульса tИ = var
При одинаковой технологии изготовления DМОП-транзисторы по сравнению с VМОП–транзисторами имеют
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
- более высокое пробивное напряжение
- более высокое сопротивление открытого канала
- более низкое сопротивление открытого канала
- более низкое пробивное напряжение
При отсутствии напряжений на электродах полевого транзистора сопротивление сток – исток
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- равно нулю
- очень велико
- составляет единицы Ом
- составляет десятки Ом
При переходе в закрытое состояние мощность потерь в силовом диоде
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- резко увеличивается
- резко уменьшается
- равна нулю
- увеличивается постепенно
При подаче на управляющий электрод сигнала одной полярности симисторы включаются
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
- только в прямом направлении
- в прямом направлении
- в обратном направлении
- только в обратном направлении
При подаче обратного напряжения смещения сопротивление идеального диода
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- стремится к бесконечности
- меньше нуля
- равно нулю
- имеет конечную величину
При подаче прямого напряжения смещения сопротивление идеального диода
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- больше нуля
- меньше нуля
- стремится к бесконечности
- равно нулю
При расчете защитных цепей тиристорных ключей по сравнению с транзисторными ключами не учитывают следующие особенности
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- наличие более низких амплитудных значений переключающих токов и высоких значений рассеиваемой мощности
- наличие более высоких амплитудных значений переключающих токов
- изменение формы коммутируемых токов и напряжений
- наличие более высоких значений рассеиваемой мощности
При фазоимпульсном способе управления напряжение с анода тиристора поступает
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- через устройство синхронизации (УС) на вход фазосдвигающего устройства (ФСУ)
- через устройство синхронизации (УС) на вход нуль - органа (НО)
- через устройство синхронизации УС на вход генератора пилообразного напряжения (ГПН)
- на вход фазосдвигающего устройства (ФСУ)
Принципы построения систем управления преобразовательными устройствами не зависят от
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- функционального назначения преобразовательных устройств
- конструкции преобразовательного устройства
- типа преобразовательных устройств
- элементной базы электронных ключей
Пульсность выпрямителя
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
- обратно пропорциональна частоте пульсации
- прямо пропорциональна частоте питающего напряжения
- прямо пропорциональна частоте пульсации
- обратно пропорциональна частоте питающего напряжения
Самую большую мощность рассеивания до 10 МВт имеют
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- запираемые тиристоры (GTO, GST, IEGT)
- модули на биполярных транзисторах
- биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
- мощные полевые транзисторы (MOSFET)
Самую маленькую мощность рассеивания в диапазоне от 10 до 1000 Вт имеют
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
- мощные полевые транзисторы (MOSFET)
- модули на биполярных транзисторах
- запираемые тиристоры (GTO, GST, IEGT)
- симисторы (триаки)
Сигналы управления, поступающие на вход блока обработки информации (БОИ), могут
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
- транслироваться в устройство контроля и диагностики (УКД)
- обрабатываться непосредственно в блоке БОИ
- транслироваться в блок коммутационной аппаратуры КА
- транслироваться в блок датчиков Д
Сигналы, выходящие с выхода блока обработки информации БОИ, не содержат информации
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- в какое состояние перейдет устройство
- в каком состоянии находится устройство
- о режимах работы устройства
- о причинах срабатывания устройств защиты или отключения
Силовой униполярный транзистор – это полупроводниковый
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- не полностью управляемый прибор
- полностью управляемый током прибор
- неуправляемый прибор
- полностью управляемый электрическим полем прибор
Силовым диодом называется
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- полупроводниковый неуправляемый прибор с двумя выводами
- полупроводниковый полностью управляемый прибор с двумя выводами
- полупроводниковый полностью управляемый прибор с тремя выводами
- полупроводниковый неуправляемый прибор с тремя выводами
Симистор – это тиристор, который может
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
- пропускать ток только в одном направлении
- пропускать ток в обоих направлениях
- не пропускать ток в обоих направлениях
- не пропускать ток только в одном направлении
Система стабилизации выходного напряжения импульсного преобразователя постоянного тока содержит
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- контур отрицательной обратной связи, включающий датчик тока (ДТ)
- контур отрицательной обратной связи, включающий датчик напряжения (ДН)
- контур положительной обратной связи, включающий датчик тока (ДТ)
- контур положительной обратной связи, включающий датчик напряжения (ДН)
Система управления силовым электронным аппаратом, в отличие от силовой части, не обеспечивает
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- оперативный обмен с внешней средой
- регулирование значений выходных параметров
- диагностику отказов
- передачу электрической энергии от первичного источника к потребителю
Современные МОП-транзисторы обеспечивают коммутацию
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- токов до 50 А и напряжения до 1000 В
- токов до 100 А и напряжения до 1500 В
- токов до 60 А и напряжения до 1100 В
- токов до 70 А и напряжения до 1200 В
Структура IGBT транзистора отличается от структуры DМОП-транзистора
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- дополнительным слоем полупроводника n-типа
- дополнительным слоем полупроводника p-типа
- дополнительным слоем полупроводника p-n-типа
- дополнительным слоем полупроводника n-p-типа
Схема автономного инвертора напряжения со звеном постоянного тока (VWF-инвертор) не содержит
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- трехфазный мостовой инвертор
- неуправляемый выпрямитель
- емкостной фильтр
- полумостовой инвертор
Схема замещения реального силового диода при низкой частоте не содержит
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- идеальный диод
- катушку индуктивности
- электрическую батарею
- резистор с динамическим сопротивлением
Сходство характеристик БТИЗ и ПТИЗ в области безопасной работы
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
- наличие участка вторичного пробоя
- высокая температурная устойчивость
- низкая температурная устойчивость
- отсутствие участка вторичного пробоя
Тиристоры с полной управляемостью применяются при создании
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
- управляемых выпрямителей тока
- регулируемых электроприводов переменного тока
- мощных источников питания электрических подстанций
- преобразователей переменного напряжения
Ток стока IGBT транзистора
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
- обратно пропорционален эквивалентной крутизне
- обратно пропорционален напряжению на затворе
- прямо пропорционален эквивалентной крутизне
- прямо пропорционален напряжениюна затворе
Транзистор - это
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- полупроводниковый полностью управляемый прибор с тремя и более выводами
- полупроводниковый полностью управляемый прибор с двумя выводами
- полупроводниковый частично управляемый прибор
- полупроводниковый неуправляемый прибор
Транзисторы Дарлингтона используют для
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- увеличения коэффициента передачи тока в силовых высоковольтных транзисторах
- уменьшения коэффициента передачи тока в силовых высоковольтных транзисторах
- уменьшения коэффициента передачи тока в силовых низковольтных транзисторах
- увеличения коэффициента передачи тока в силовых низковольтных транзисторах
Управляющий параметр N, влияющий на изменение траектории движения рабочей точки транзистора, не зависит от
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- фронта нарастания силового тока
- величины дополнительной индуктивности
- типа транзистора
- величины защитной емкости
Устройством силовой техники, преобразующим переменное напряжение в постоянное, является
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- преобразователь частоты
- инвертор
- выпрямитель
- регулятор переменного значения
Устройством силовой техники, преобразующим постоянное напряжение в переменное, является
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- инвертор
- преобразователь числа фаз
- выпрямитель
- трансформатор
Фазосдвигающие устройства (ФСУ) не строятся на базе
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- управляемых транзисторных генераторов
- импульсных трансформаторов
- R-L-Сцепей
- интегральных микросхем
Форсированный вывод биполярного транзистора электронного ключа из режима насыщения осуществляется
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- путем размыкания его базовой цепи
- путем размыкания его эмиттерной цепи
- путем размыкания его коллекторной цепи
- путем размыкания его затворной цепи
Фототиристор – это фотоэлектронный прибор
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
- имеющий трехслойную структуру
- управляемый электрическими импульсами
- имеющий четырехслойную структуру
- управляемый световыми импульсами
Что не относится к основным требованиям, предъявляемым к трансформаторным ФИУ
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- обеспечение минимальной начальной площади импульса включения тиристора
- обеспечение максимальной начальной площади импульса включения тиристора
- минимальная длительность импульса управления
- нахождение рабочей точки нагрузки управляющего электрода в зоне оптимального управления
Что не относится к преимуществам транзисторов ПТИЗ и БТИЗ перед биполярными транзисторами
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- высокое входное сопротивление затвора
- высокие динамические характеристики
- низкое входное сопротивление затвора
- низкая потребляемая мощность
Чтобы регулировать частоту задающего генератора (ЗГ) асинхронная система должна
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
- иметь отрицательную обратную связь
- быть замкнутой
- быть открытой
- иметь положительную обратную связь
Эквивалентная крутизна передаточной характеристики БТИЗ
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
- прямо пропорциональна напряжению на затворе
- прямо пропорциональна току коллектора
- обратно пропорциональна напряжению на затворе
- обратно пропорциональна току коллектора
Электрический пробой силового диода возникает, когда
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- обратное напряжение уменьшается по отношению к установленному порогу
- обратное напряжение увеличивается сверх установленного порога
- обратное напряжение отсутствует
- обратное напряжение равно значению установленного порога
Электронный аппарат – это электротехническое устройство управления потоками
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
- энергии
- информации
- тока
- напряжения
Эффективным техническим решением является использование в выпрямительных схемах ключевых транзисторов с
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
- пониженным до единиц вольта выходным напряжением
- пониженным до долей вольта выходным напряжением
- синхронным переключением в такт от высокочастотного входного сигнала
- асинхронным переключением в такт от низкочастотного входного сигнала
IGBT транзистор не находит применение в области
Тип ответа: Одиночный выбор • с выбором одного правильного ответа из нескольких предложенных вариантов
- высоких напряжений
- высоких частот
- высоких мощностей
- высоких токов коммутации
SIT транзисторы производятся с каналами
Тип ответа: Множественный выбор • с выбором нескольких правильных ответов из предложенных вариантов
- только p-типа
- только n-типа
- n-типа
- p-типа