Синергия ответы (Силовая электроника)
ПЕРЕД ПОКУПКОЙ ПРОВЕРЬТЕ ВОПРОСЫ! ЕСЛИ ПОДОЙДУТ ХОТЯБЫ ДВА ТО ОСТАЛЬНЫЕ ПОДОЙДУТ НА 100%
ИМЕЕТСЯ БОЛЬШОЕ КОЛИЧИСТВО ОТВЕТОВ ПО ВСЕМ ВОПРОСАМ ПИСАТЬ В ЛИЧКУ
Вопрос
Транзистор - это
Транзистор - это
Транзистор - это
Транзистор - это
В основе биполярного транзистора лежит
В основе биполярного транзистора лежит
В основе биполярного транзистора лежит
В основе биполярного транзистора лежит
В структуре биполярного транзистора крайний слой, являющийся источником носителей зарядов, называется
В структуре биполярного транзистора крайний слой, являющийся источником носителей зарядов, называется
В структуре биполярного транзистора крайний слой, являющийся источником носителей зарядов, называется
В структуре биполярного транзистора крайний слой, являющийся источником носителей зарядов, называется
В структуре биполярного транзистора крайний слой, принимающий заряды, называется
В структуре биполярного транзистора крайний слой, принимающий заряды, называется
В структуре биполярного транзистора крайний слой, принимающий заряды, называется
В структуре биполярного транзистора крайний слой, принимающий заряды, называется
В каком режиме может находиться биполярный транзистор в зависимости от полярности приложенного к переходам напряжения
В каком режиме может находиться биполярный транзистор в зависимости от полярности приложенного к переходам напряжения
В каком режиме может находиться биполярный транзистор в зависимости от полярности приложенного к переходам напряжения
В каком режиме может находиться биполярный транзистор в зависимости от полярности приложенного к переходам напряжения
Для перехода биполярного транзистора p-n-p-типа в активный режим необходимо сместить переходы
Для перехода биполярного транзистора p-n-p-типа в активный режим необходимо сместить переходы
Для перехода биполярного транзистора p-n-p-типа в активный режим необходимо сместить переходы
Для перехода биполярного транзистора p-n-p-типа в активный режим необходимо сместить переходы
В активном режиме биполярного транзистора большая часть неосновных носителей, перешедших из эмиттера в базу, достигает коллекторного p-n-перехода благодаря
В активном режиме биполярного транзистора большая часть неосновных носителей, перешедших из эмиттера в базу, достигает коллекторного p-n-перехода благодаря
В активном режиме биполярного транзистора большая часть неосновных носителей, перешедших из эмиттера в базу, достигает коллекторного p-n-перехода благодаря
В активном режиме биполярного транзистора большая часть неосновных носителей, перешедших из эмиттера в базу, достигает коллекторного p-n-перехода благодаря
В активном режиме работы биполярного транзистора
В активном режиме работы биполярного транзистора
В активном режиме работы биполярного транзистора
В активном режиме работы биполярного транзистора
В активном нормальном режиме силовой биполярный транзистор для малых приращений тока базы можно заменить
В активном нормальном режиме силовой биполярный транзистор для малых приращений тока базы можно заменить
В активном нормальном режиме силовой биполярный транзистор для малых приращений тока базы можно заменить
В активном нормальном режиме силовой биполярный транзистор для малых приращений тока базы можно заменить
Для перехода биполярного транзистора p-n-p-типа в режим насыщения необходимо сместить переходы
Для перехода биполярного транзистора p-n-p-типа в режим насыщения необходимо сместить переходы
Для перехода биполярного транзистора p-n-p-типа в режим насыщения необходимо сместить переходы
Для перехода биполярного транзистора p-n-p-типа в режим насыщения необходимо сместить переходы
Граничное условие перехода биполярного транзистора p-n-p-типа из активного режима в режим насыщения
Граничное условие перехода биполярного транзистора p-n-p-типа из активного режима в режим насыщения
Граничное условие перехода биполярного транзистора p-n-p-типа из активного режима в режим насыщения
Граничное условие перехода биполярного транзистора p-n-p-типа из активного режима в режим насыщения
Коэффициент насыщения биполярного транзистора прямо пропорционален
Коэффициент насыщения биполярного транзистора прямо пропорционален
Коэффициент насыщения биполярного транзистора прямо пропорционален
Коэффициент насыщения биполярного транзистора прямо пропорционален
Для перехода биполярного транзистора p-n-p-типа в режим отсечки необходимо сместить переходы
Для перехода биполярного транзистора p-n-p-типа в режим отсечки необходимо сместить переходы
Для перехода биполярного транзистора p-n-p-типа в режим отсечки необходимо сместить переходы
Для перехода биполярного транзистора p-n-p-типа в режим отсечки необходимо сместить переходы
Граничное условие перехода биполярного транзистора p-n-p-типа из активного режима в режим отсечки
Граничное условие перехода биполярного транзистора p-n-p-типа из активного режима в режим отсечки
Граничное условие перехода биполярного транзистора p-n-p-типа из активного режима в режим отсечки
Граничное условие перехода биполярного транзистора p-n-p-типа из активного режима в режим отсечки
В режиме отсечки биполярный транзистор можно заменить
В режиме отсечки биполярный транзистор можно заменить
В режиме отсечки биполярный транзистор можно заменить
В режиме отсечки биполярный транзистор можно заменить
В режиме насыщения биполярный транзистор можно заменить
В режиме насыщения биполярный транзистор можно заменить
В режиме насыщения биполярный транзистор можно заменить
В режиме насыщения биполярный транзистор можно заменить
В инверсном режиме работы силового биполярного транзистора p-n-p-типа переходы смещаются
В инверсном режиме работы силового биполярного транзистора p-n-p-типа переходы смещаются
В инверсном режиме работы силового биполярного транзистора p-n-p-типа переходы смещаются
В инверсном режиме работы силового биполярного транзистора p-n-p-типа переходы смещаются
В симметричных силовых биполярных транзисторах области коллектора и эмиттера имеют
В симметричных силовых биполярных транзисторах области коллектора и эмиттера имеют
В симметричных силовых биполярных транзисторах области коллектора и эмиттера имеют
В симметричных силовых биполярных транзисторах области коллектора и эмиттера имеют
В ключевом режиме работы силового биполярного транзистора рабочая точка может находиться в следующих положениях
В ключевом режиме работы силового биполярного транзистора рабочая точка может находиться в следующих положениях
В ключевом режиме работы силового биполярного транзистора рабочая точка может находиться в следующих положениях
В ключевом режиме работы силового биполярного транзистора рабочая точка может находиться в следующих положениях
Силовой биполярный транзистор в точке отсечки находится в
Силовой биполярный транзистор в точке отсечки находится в
Силовой биполярный транзистор в точке отсечки находится в
Силовой биполярный транзистор в точке отсечки находится в
В режиме отсечки силового биполярного транзистора
В режиме отсечки силового биполярного транзистора
В режиме отсечки силового биполярного транзистора
В режиме отсечки силового биполярного транзистора
В ключевом режиме работы биполярного транзистора мощности потерь в точках отсечки и насыщения будут
В ключевом режиме работы биполярного транзистора мощности потерь в точках отсечки и насыщения будут
В ключевом режиме работы биполярного транзистора мощности потерь в точках отсечки и насыщения будут
В ключевом режиме работы биполярного транзистора мощности потерь в точках отсечки и насыщения будут
К основным статистическим параметрам силовых биполярных транзисторов относятся
К основным статистическим параметрам силовых биполярных транзисторов относятся
К основным статистическим параметрам силовых биполярных транзисторов относятся
К основным статистическим параметрам силовых биполярных транзисторов относятся
Транзисторы Дарлингтона используют для
Транзисторы Дарлингтона используют для
Транзисторы Дарлингтона используют для
Транзисторы Дарлингтона используют для
Коэффициент передачи тока в транзисторе Дарлингтона равен
Коэффициент передачи тока в транзисторе Дарлингтона равен
Коэффициент передачи тока в транзисторе Дарлингтона равен
Коэффициент передачи тока в транзисторе Дарлингтона равен
В силовых униполярных транзисторах регулирование тока производится с помощью
В силовых униполярных транзисторах регулирование тока производится с помощью
В силовых униполярных транзисторах регулирование тока производится с помощью
В силовых униполярных транзисторах регулирование тока производится с помощью
Силовой униполярный транзистор – это полупроводниковый
Силовой униполярный транзистор – это полупроводниковый
Силовой униполярный транзистор – это полупроводниковый
Силовой униполярный транзистор – это полупроводниковый
Какие существуют силовые униполярные транзисторы по принципу действия
Какие существуют силовые униполярные транзисторы по принципу действия
Какие существуют силовые униполярные транзисторы по принципу действия
Какие существуют силовые униполярные транзисторы по принципу действия
Каких силовых МОП-транзисторов с изолированным затвором не существует
Каких силовых МОП-транзисторов с изолированным затвором не существует
Каких силовых МОП-транзисторов с изолированным затвором не существует
Каких силовых МОП-транзисторов с изолированным затвором не существует
Какие полевые транзисторы не входят в общую группу по принципу действия
Какие полевые транзисторы не входят в общую группу по принципу действия
Какие полевые транзисторы не входят в общую группу по принципу действия
Какие полевые транзисторы не входят в общую группу по принципу действия
Полевые транзисторы нельзя включать по схеме
Полевые транзисторы нельзя включать по схеме
Полевые транзисторы нельзя включать по схеме
Полевые транзисторы нельзя включать по схеме
Какая из схем включения полевого транзистора позволяет получить значительные коэффициенты усиления по току, напряжению и мощности одновременно
Какая из схем включения полевого транзистора позволяет получить значительные коэффициенты усиления по току, напряжению и мощности одновременно
Какая из схем включения полевого транзистора позволяет получить значительные коэффициенты усиления по току, напряжению и мощности одновременно
Какая из схем включения полевого транзистора позволяет получить значительные коэффициенты усиления по току, напряжению и мощности одновременно
Высокое входное сопротивление полевых транзисторов обусловлено тем, что регулирование значения тока осуществляется
Высокое входное сопротивление полевых транзисторов обусловлено тем, что регулирование значения тока осуществляется
Высокое входное сопротивление полевых транзисторов обусловлено тем, что регулирование значения тока осуществляется
Высокое входное сопротивление полевых транзисторов обусловлено тем, что регулирование значения тока осуществляется
В МОП-транзисторе управляющее напряжение, регулирующее ширину проводящего канала, подается на
В МОП-транзисторе управляющее напряжение, регулирующее ширину проводящего канала, подается на
В МОП-транзисторе управляющее напряжение, регулирующее ширину проводящего канала, подается на
В МОП-транзисторе управляющее напряжение, регулирующее ширину проводящего канала, подается на
При отсутствии напряжений на электродах полевого транзистора сопротивление сток – исток
При отсутствии напряжений на электродах полевого транзистора сопротивление сток – исток
При отсутствии напряжений на электродах полевого транзистора сопротивление сток – исток
При отсутствии напряжений на электродах полевого транзистора сопротивление сток – исток
Особенностью МОП-транзисторов является
Особенностью МОП-транзисторов является
Особенностью МОП-транзисторов является
Особенностью МОП-транзисторов является
К недостаткам МОП-транзисторов относится
К недостаткам МОП-транзисторов относится
К недостаткам МОП-транзисторов относится
К недостаткам МОП-транзисторов относится
Современные МОП-транзисторы обеспечивают коммутацию
Современные МОП-транзисторы обеспечивают коммутацию
Современные МОП-транзисторы обеспечивают коммутацию
Современные МОП-транзисторы обеспечивают коммутацию
К основным преимуществам полевых транзисторов относятся:
К основным преимуществам полевых транзисторов относятся:
К основным преимуществам полевых транзисторов относятся:
К основным преимуществам полевых транзисторов относятся:
Наибольшее применение в силовой технике получили МОП-транзисторы
Наибольшее применение в силовой технике получили МОП-транзисторы
Наибольшее применение в силовой технике получили МОП-транзисторы
Наибольшее применение в силовой технике получили МОП-транзисторы
К основным статическим параметрам полевых транзисторов с изолированным затвором относятся:
К основным статическим параметрам полевых транзисторов с изолированным затвором относятся:
К основным статическим параметрам полевых транзисторов с изолированным затвором относятся:
К основным статическим параметрам полевых транзисторов с изолированным затвором относятся:
К основным статическим параметрам полевых транзисторов с изолированным затвором не относятся
К основным статическим параметрам полевых транзисторов с изолированным затвором не относятся
К основным статическим параметрам полевых транзисторов с изолированным затвором не относятся
К основным статическим параметрам полевых транзисторов с изолированным затвором не относятся
К основным динамическим параметрам полевого транзистора с изолированном затвором относятся
К основным динамическим параметрам полевого транзистора с изолированном затвором относятся
К основным динамическим параметрам полевого транзистора с изолированном затвором относятся
К основным динамическим параметрам полевого транзистора с изолированном затвором относятся
К основным динамическим параметрам полевого транзистора с изолированном затвором не относятся
К основным динамическим параметрам полевого транзистора с изолированном затвором не относятся
К основным динамическим параметрам полевого транзистора с изолированном затвором не относятся
К основным динамическим параметрам полевого транзистора с изолированном затвором не относятся
В качестве многоканальных полевых транзисторов с высокими пробивными напряжениями (до 300 В) применяются:
В качестве многоканальных полевых транзисторов с высокими пробивными напряжениями (до 300 В) применяются:
В качестве многоканальных полевых транзисторов с высокими пробивными напряжениями (до 300 В) применяются:
В качестве многоканальных полевых транзисторов с высокими пробивными напряжениями (до 300 В) применяются:
Полевой транзистор в линейном режиме используется как
Полевой транзистор в линейном режиме используется как
Полевой транзистор в линейном режиме используется как
Полевой транзистор в линейном режиме используется как
Полевой транзистор в режиме насыщения используется как
Полевой транзистор в режиме насыщения используется как
Полевой транзистор в режиме насыщения используется как
Полевой транзистор в режиме насыщения используется как
Для изготовления высоковольтных DМОП - транзисторов с n-каналом используются
Для изготовления высоковольтных DМОП - транзисторов с n-каналом используются
Для изготовления высоковольтных DМОП - транзисторов с n-каналом используются
Для изготовления высоковольтных DМОП - транзисторов с n-каналом используются
При одинаковой технологии изготовления DМОП-транзисторы по сравнению с VМОП–транзисторами имеют
При одинаковой технологии изготовления DМОП-транзисторы по сравнению с VМОП–транзисторами имеют
При одинаковой технологии изготовления DМОП-транзисторы по сравнению с VМОП–транзисторами имеют
При одинаковой технологии изготовления DМОП-транзисторы по сравнению с VМОП–транзисторами имеют
Качество МДП - структуры тем выше, чем
Качество МДП - структуры тем выше, чем
Качество МДП - структуры тем выше, чем
Качество МДП - структуры тем выше, чем
Качество МДП - структуры тем выше, чем
Многослойный силовой полупроводниковый прибор содержит
Многослойный силовой полупроводниковый прибор содержит
Многослойный силовой полупроводниковый прибор содержит
Многослойный силовой полупроводниковый прибор содержит
В силовых приборах на основе многослойных p-n-переходов с неполной управляемостью
В силовых приборах на основе многослойных p-n-переходов с неполной управляемостью
В силовых приборах на основе многослойных p-n-переходов с неполной управляемостью
В силовых приборах на основе многослойных p-n-переходов с неполной управляемостью
К силовым приборам на основе многослойных p-n-переходов с неполной управляемостью не относится
К силовым приборам на основе многослойных p-n-переходов с неполной управляемостью не относится
К силовым приборам на основе многослойных p-n-переходов с неполной управляемостью не относится
К силовым приборам на основе многослойных p-n-переходов с неполной управляемостью не относится
К силовым приборам на основе многослойных p-n-переходов с полной управляемостью относятся
К силовым приборам на основе многослойных p-n-переходов с полной управляемостью относятся
К силовым приборам на основе многослойных p-n-переходов с полной управляемостью относятся
К силовым приборам на основе многослойных p-n-переходов с полной управляемостью относятся
На основе тиристоров с неполной управляемостью построены
На основе тиристоров с неполной управляемостью построены
На основе тиристоров с неполной управляемостью построены
На основе тиристоров с неполной управляемостью построены
Тиристоры с полной управляемостью применяются при создании
Тиристоры с полной управляемостью применяются при создании
Тиристоры с полной управляемостью применяются при создании
Тиристоры с полной управляемостью применяются при создании
Ассиметричный (обычный) тиристор содержит
Ассиметричный (обычный) тиристор содержит
Ассиметричный (обычный) тиристор содержит
Ассиметричный (обычный) тиристор содержит
В тиристоре SCR при подаче только положительного напряжения между анодом и катодом, но с величиной меньше напряжения переключения,
В тиристоре SCR при подаче только положительного напряжения между анодом и катодом, но с величиной меньше напряжения переключения,
В тиристоре SCR при подаче только положительного напряжения между анодом и катодом, но с величиной меньше напряжения переключения,
В тиристоре SCR при подаче только положительного напряжения между анодом и катодом, но с величиной меньше напряжения переключения,
Для включения тиристора SCR необходимо
Для включения тиристора SCR необходимо
Для включения тиристора SCR необходимо
Для включения тиристора SCR необходимо
К динамическим характеристикам тиристоров в переходном процессе включения не относится
К динамическим характеристикам тиристоров в переходном процессе включения не относится
К динамическим характеристикам тиристоров в переходном процессе включения не относится
К динамическим характеристикам тиристоров в переходном процессе включения не относится
К динамическим характеристикам тиристоров в переходном процессе выключения относятся
К динамическим характеристикам тиристоров в переходном процессе выключения относятся
К динамическим характеристикам тиристоров в переходном процессе выключения относятся
К динамическим характеристикам тиристоров в переходном процессе выключения относятся
При включении тиристора допустимая скорость нарастания анодного тока должна находиться в пределах
При включении тиристора допустимая скорость нарастания анодного тока должна находиться в пределах
При включении тиристора допустимая скорость нарастания анодного тока должна находиться в пределах
При включении тиристора допустимая скорость нарастания анодного тока должна находиться в пределах
К параметрам силовой цепи тиристора по току не относится
К параметрам силовой цепи тиристора по току не относится
К параметрам силовой цепи тиристора по току не относится
К параметрам силовой цепи тиристора по току не относится
К параметрам силовой цепи тиристора по напряжению относятся
К параметрам силовой цепи тиристора по напряжению относятся
К параметрам силовой цепи тиристора по напряжению относятся
К параметрам силовой цепи тиристора по напряжению относятся
Допустимый ток тиристора в относительных единицах с ростом частоты
Допустимый ток тиристора в относительных единицах с ростом частоты
Допустимый ток тиристора в относительных единицах с ростом частоты
Допустимый ток тиристора в относительных единицах с ростом частоты
Допустимый ток тиристора в относительных единицах с ростом температуры окружающей среды
Допустимый ток тиристора в относительных единицах с ростом температуры окружающей среды
Допустимый ток тиристора в относительных единицах с ростом температуры окружающей среды
Допустимый ток тиристора в относительных единицах с ростом температуры окружающей среды
Допустимый ток тиристора в относительных единицах с ростом скорости охлаждающего воздуха
Допустимый ток тиристора в относительных единицах с ростом скорости охлаждающего воздуха
Допустимый ток тиристора в относительных единицах с ростом скорости охлаждающего воздуха
Допустимый ток тиристора в относительных единицах с ростом скорости охлаждающего воздуха
Симистор – это тиристор, который может
Симистор – это тиристор, который может
Симистор – это тиристор, который может
Симистор – это тиристор, который может
Конструктивно симистор представляет собой
Конструктивно симистор представляет собой
Конструктивно симистор представляет собой
Конструктивно симистор представляет собой
При подаче на управляющий электрод сигнала одной полярности симисторы включаются
При подаче на управляющий электрод сигнала одной полярности симисторы включаются
При подаче на управляющий электрод сигнала одной полярности симисторы включаются
При подаче на управляющий электрод сигнала одной полярности симисторы включаются
Фототиристор – это фотоэлектронный прибор
Фототиристор – это фотоэлектронный прибор
Фототиристор – это фотоэлектронный прибор
Фототиристор – это фотоэлектронный прибор
Оптотиристор – это
Оптотиристор – это
Оптотиристор – это
Оптотиристор – это
Запираемый тиристор GTO
Запираемый тиристор GTO
Запираемый тиристор GTO
Запираемый тиристор GTO
Основным преимуществом тиристора GCT по сравнению с тиристором GTO является его
Основным преимуществом тиристора GCT по сравнению с тиристором GTO является его
Основным преимуществом тиристора GCT по сравнению с тиристором GTO является его
Основным преимуществом тиристора GCT по сравнению с тиристором GTO является его
В интегрированном запираемом тиристоре IGCT присутствует
В интегрированном запираемом тиристоре IGCT присутствует
В интегрированном запираемом тиристоре IGCT присутствует
В интегрированном запираемом тиристоре IGCT присутствует
К новым типам комбинированных транзисторов относятся
К новым типам комбинированных транзисторов относятся
К новым типам комбинированных транзисторов относятся
К новым типам комбинированных транзисторов относятся
Силовые комбинированные приборы могут коммутировать
Силовые комбинированные приборы могут коммутировать
Силовые комбинированные приборы могут коммутировать
Силовые комбинированные приборы могут коммутировать
В отличие от обычных тиристоров новые комбинированные приборы не имеют
В отличие от обычных тиристоров новые комбинированные приборы не имеют
В отличие от обычных тиристоров новые комбинированные приборы не имеют
В отличие от обычных тиристоров новые комбинированные приборы не имеют
Биполярный транзистор с изолированным затвором представляет собой сочетание
Биполярный транзистор с изолированным затвором представляет собой сочетание
Биполярный транзистор с изолированным затвором представляет собой сочетание
Биполярный транзистор с изолированным затвором представляет собой сочетание
Биполярный транзистор с изолированным затвором IGBT сочетает особенности
Биполярный транзистор с изолированным затвором IGBT сочетает особенности
Биполярный транзистор с изолированным затвором IGBT сочетает особенности
Биполярный транзистор с изолированным затвором IGBT сочетает особенности
Структура IGBT транзистора отличается от структуры DМОП-транзистора
Структура IGBT транзистора отличается от структуры DМОП-транзистора
Структура IGBT транзистора отличается от структуры DМОП-транзистора
Структура IGBT транзистора отличается от структуры DМОП-транзистора
При изготовлении полевых транзисторов с изолированным затвором, имеющих вертикальный канал, образуется паразитный
При изготовлении полевых транзисторов с изолированным затвором, имеющих вертикальный канал, образуется паразитный
При изготовлении полевых транзисторов с изолированным затвором, имеющих вертикальный канал, образуется паразитный
При изготовлении полевых транзисторов с изолированным затвором, имеющих вертикальный канал, образуется паразитный
В структуре IGBT транзистора сочетаются две биполярные структуры
В структуре IGBT транзистора сочетаются две биполярные структуры
В структуре IGBT транзистора сочетаются две биполярные структуры
В структуре IGBT транзистора сочетаются две биполярные структуры
Ток стока IGBT транзистора
Ток стока IGBT транзистора
Ток стока IGBT транзистора
Ток стока IGBT транзистора
Эквивалентная крутизна передаточной характеристики БТИЗ
Эквивалентная крутизна передаточной характеристики БТИЗ
Эквивалентная крутизна передаточной характеристики БТИЗ
Эквивалентная крутизна передаточной характеристики БТИЗ
Основные преимущества IGBT по сравнению с полевыми транзисторами
Основные преимущества IGBT по сравнению с полевыми транзисторами
Основные преимущества IGBT по сравнению с полевыми транзисторами
Основные преимущества IGBT по сравнению с полевыми транзисторами
Сходство характеристик БТИЗ и ПТИЗ в области безопасной работы
Сходство характеристик БТИЗ и ПТИЗ в области безопасной работы
Сходство характеристик БТИЗ и ПТИЗ в области безопасной работы
Сходство характеристик БТИЗ и ПТИЗ в области безопасной работы
Быстродействие IGBT транзистора
Быстродействие IGBT транзистора
Быстродействие IGBT транзистора
Быстродействие IGBT транзистора
Для схемы с общим эмиттером IGBT транзистора выходной характеристикой называется зависимость тока коллектора от напряжения между
Для схемы с общим эмиттером IGBT транзистора выходной характеристикой называется зависимость тока коллектора от напряжения между
Для схемы с общим эмиттером IGBT транзистора выходной характеристикой называется зависимость тока коллектора от напряжения между
Для схемы с общим эмиттером IGBT транзистора выходной характеристикой называется зависимость тока коллектора от напряжения между
Передаточной характеристикой IGBT транзистора называется зависимость тока коллектора от напряжения между
Передаточной характеристикой IGBT транзистора называется зависимость тока коллектора от напряжения между
Передаточной характеристикой IGBT транзистора называется зависимость тока коллектора от напряжения между
Передаточной характеристикой IGBT транзистора называется зависимость тока коллектора от напряжения между
По результатам анализа основных параметров транзисторных ключей самое высокое обратное напряжение выдерживает
По результатам анализа основных параметров транзисторных ключей самое высокое обратное напряжение выдерживает
По результатам анализа основных параметров транзисторных ключей самое высокое обратное напряжение выдерживает
По результатам анализа основных параметров транзисторных ключей самое высокое обратное напряжение выдерживает
По результатам анализа основных параметров транзисторных ключей самый высокий ток коммутации обеспечивает
По результатам анализа основных параметров транзисторных ключей самый высокий ток коммутации обеспечивает
По результатам анализа основных параметров транзисторных ключей самый высокий ток коммутации обеспечивает
По результатам анализа основных параметров транзисторных ключей самый высокий ток коммутации обеспечивает
IGBT транзистор не находит применение в области
IGBT транзистор не находит применение в области
IGBT транзистор не находит применение в области
IGBT транзистор не находит применение в области
Высокой температурной устойчивостью не обладает
Высокой температурной устойчивостью не обладает
Высокой температурной устойчивостью не обладает
Высокой температурной устойчивостью не обладает
В транзисторе IGBT сочетается
В транзисторе IGBT сочетается
В транзисторе IGBT сочетается
В транзисторе IGBT сочетается
Статический индукционный транзистор СИТ может работать при
Статический индукционный транзистор СИТ может работать при
Статический индукционный транзистор СИТ может работать при
Статический индукционный транзистор СИТ может работать при
SIT транзисторы производятся с каналами
SIT транзисторы производятся с каналами
SIT транзисторы производятся с каналами
SIT транзисторы производятся с каналами
Как и МОП-транзистор СИТ транзистор
Как и МОП-транзистор СИТ транзистор
Как и МОП-транзистор СИТ транзистор
Как и МОП-транзистор СИТ транзистор
Достоинства БСИТ по сравнению с СИТ
Достоинства БСИТ по сравнению с СИТ
Достоинства БСИТ по сравнению с СИТ
Достоинства БСИТ по сравнению с СИТ
Статический индукционный транзистор по сравнению с полевым транзистором с изолированным затвором имеет
Статический индукционный транзистор по сравнению с полевым транзистором с изолированным затвором имеет
Статический индукционный транзистор по сравнению с полевым транзистором с изолированным затвором имеет
Статический индукционный транзистор по сравнению с полевым транзистором с изолированным затвором имеет
Электронный аппарат – это электротехническое устройство управления потоками
Электронный аппарат – это электротехническое устройство управления потоками
Электронный аппарат – это электротехническое устройство управления потоками
Электронный аппарат – это электротехническое устройство управления потоками
К аппаратам низкого напряжения не относятся
К аппаратам низкого напряжения не относятся
К аппаратам низкого напряжения не относятся
К аппаратам низкого напряжения не относятся
К аппаратам высокого напряжения не относятся
К аппаратам высокого напряжения не относятся
К аппаратам высокого напряжения не относятся
К аппаратам высокого напряжения не относятся
К аппаратам высокого напряжения, обеспечивающим отключение электрических цепей в режиме короткого замыкания, относятся
К аппаратам высокого напряжения, обеспечивающим отключение электрических цепей в режиме короткого замыкания, относятся
К аппаратам высокого напряжения, обеспечивающим отключение электрических цепей в режиме короткого замыкания, относятся
К аппаратам высокого напряжения, обеспечивающим отключение электрических цепей в режиме короткого замыкания, относятся
К аппаратам высокого напряжения, предназначенным для компенсации реактивной мощности, относятся
К аппаратам высокого напряжения, предназначенным для компенсации реактивной мощности, относятся
К аппаратам высокого напряжения, предназначенным для компенсации реактивной мощности, относятся
К аппаратам высокого напряжения, предназначенным для компенсации реактивной мощности, относятся
К аппаратам высокого напряжения, служащим для отключения цепи от тока при ремонте электрооборудования, относятся
К аппаратам высокого напряжения, служащим для отключения цепи от тока при ремонте электрооборудования, относятся
К аппаратам высокого напряжения, служащим для отключения цепи от тока при ремонте электрооборудования, относятся
К аппаратам высокого напряжения, служащим для отключения цепи от тока при ремонте электрооборудования, относятся
Устройством силовой техники, преобразующим переменное напряжение в постоянное, является
Устройством силовой техники, преобразующим переменное напряжение в постоянное, является
Устройством силовой техники, преобразующим переменное напряжение в постоянное, является
Устройством силовой техники, преобразующим переменное напряжение в постоянное, является
Устройством силовой техники, преобразующим постоянное напряжение в переменное, является
Устройством силовой техники, преобразующим постоянное напряжение в переменное, является
Устройством силовой техники, преобразующим постоянное напряжение в переменное, является
Устройством силовой техники, преобразующим постоянное напряжение в переменное, является
Устройством силовой техники, преобразующим переменное напряжение одной частоты в переменное напряжение другой постоянной, является
Устройством силовой техники, преобразующим переменное напряжение одной частоты в переменное напряжение другой постоянной, является
Устройством силовой техники, преобразующим переменное напряжение одной частоты в переменное напряжение другой постоянной, является
Устройством силовой техники, преобразующим переменное напряжение одной частоты в переменное напряжение другой постоянной, является
Система управления силовым электронным аппаратом, в отличие от силовой части, не обеспечивает
Система управления силовым электронным аппаратом, в отличие от силовой части, не обеспечивает
Система управления силовым электронным аппаратом, в отличие от силовой части, не обеспечивает
Система управления силовым электронным аппаратом, в отличие от силовой части, не обеспечивает
К функциям системы управления силовым электронным устройством относятся
К функциям системы управления силовым электронным устройством относятся
К функциям системы управления силовым электронным устройством относятся
К функциям системы управления силовым электронным устройством относятся
Блок, предназначенный для согласования уровней сигнала между выходом регулятора и непосредственными входами силовых устройств, это
Блок, предназначенный для согласования уровней сигнала между выходом регулятора и непосредственными входами силовых устройств, это
Блок, предназначенный для согласования уровней сигнала между выходом регулятора и непосредственными входами силовых устройств, это
Блок, предназначенный для согласования уровней сигнала между выходом регулятора и непосредственными входами силовых устройств, это
Блок, обеспечивающий связь устройства с внешней средой, это
Блок, обеспечивающий связь устройства с внешней средой, это
Блок, обеспечивающий связь устройства с внешней средой, это
Блок, обеспечивающий связь устройства с внешней средой, это
Сигналы управления, поступающие на вход блока обработки информации (БОИ), могут
Сигналы управления, поступающие на вход блока обработки информации (БОИ), могут
Сигналы управления, поступающие на вход блока обработки информации (БОИ), могут
Сигналы управления, поступающие на вход блока обработки информации (БОИ), могут
Сигналы, выходящие с выхода блока обработки информации БОИ, не содержат информации
Сигналы, выходящие с выхода блока обработки информации БОИ, не содержат информации
Сигналы, выходящие с выхода блока обработки информации БОИ, не содержат информации
Сигналы, выходящие с выхода блока обработки информации БОИ, не содержат информации
Не существует следующего вида модуляций
Не существует следующего вида модуляций
Не существует следующего вида модуляций
Не существует следующего вида модуляций
Какие из нижеперечисленных систем не относятся к дискретным системам
Какие из нижеперечисленных систем не относятся к дискретным системам
Какие из нижеперечисленных систем не относятся к дискретным системам
Какие из нижеперечисленных систем не относятся к дискретным системам
Системы управления с амплитудно-импульсной модуляцией относятся к
Системы управления с амплитудно-импульсной модуляцией относятся к
Системы управления с амплитудно-импульсной модуляцией относятся к
Системы управления с амплитудно-импульсной модуляцией относятся к
При использовании широтно-импульсной модуляции временные параметры имеют вид
При использовании широтно-импульсной модуляции временные параметры имеют вид
При использовании широтно-импульсной модуляции временные параметры имеют вид
При использовании широтно-импульсной модуляции временные параметры имеют вид
При использовании частотно-импульсной модуляции временные параметры имеют вид
При использовании частотно-импульсной модуляции временные параметры имеют вид
При использовании частотно-импульсной модуляции временные параметры имеют вид
При использовании частотно-импульсной модуляции временные параметры имеют вид
При использовании частотно-широтно-импульсной модуляции временные параметры имеют вид
При использовании частотно-широтно-импульсной модуляции временные параметры имеют вид
При использовании частотно-широтно-импульсной модуляции временные параметры имеют вид
При использовании частотно-широтно-импульсной модуляции временные параметры имеют вид
Не существует вида модуляции со следующими временными параметрами
Не существует вида модуляции со следующими временными параметрами
Не существует вида модуляции со следующими временными параметрами
Не существует вида модуляции со следующими временными параметрами
Основными недостатками ФИУ, построенных на базе частотно-широтно-импульсной модуляции, являются
Основными недостатками ФИУ, построенных на базе частотно-широтно-импульсной модуляции, являются
Основными недостатками ФИУ, построенных на базе частотно-широтно-импульсной модуляции, являются
Основными недостатками ФИУ, построенных на базе частотно-широтно-импульсной модуляции, являются
К основным режимам работы формирователя импульсов управления не относятся
К основным режимам работы формирователя импульсов управления не относятся
К основным режимам работы формирователя импульсов управления не относятся
К основным режимам работы формирователя импульсов управления не относятся
В разумных силовых интегральных схемах в качестве силовых ключей получили широкое распространение
В разумных силовых интегральных схемах в качестве силовых ключей получили широкое распространение
В разумных силовых интегральных схемах в качестве силовых ключей получили широкое распространение
В разумных силовых интегральных схемах в качестве силовых ключей получили широкое распространение
Основные требования по параметрам ФИУ предъявляются к
Основные требования по параметрам ФИУ предъявляются к
Основные требования по параметрам ФИУ предъявляются к
Основные требования по параметрам ФИУ предъявляются к
Принципы построения ФИУ не зависят от
Принципы построения ФИУ не зависят от
Принципы построения ФИУ не зависят от
Принципы построения ФИУ не зависят от
Для выполнения потенциальной развязки применяют ФИУ, в которых используется
Для выполнения потенциальной развязки применяют ФИУ, в которых используется
Для выполнения потенциальной развязки применяют ФИУ, в которых используется
Для выполнения потенциальной развязки применяют ФИУ, в которых используется
Для управления электронным ключом на биполярном транзисторе не должно выполняться следующее требование
Для управления электронным ключом на биполярном транзисторе не должно выполняться следующее требование
Для управления электронным ключом на биполярном транзисторе не должно выполняться следующее требование
Для управления электронным ключом на биполярном транзисторе не должно выполняться следующее требование
Потенциальная развязка информационного сигнала не выполняется с помощью
Потенциальная развязка информационного сигнала не выполняется с помощью
Потенциальная развязка информационного сигнала не выполняется с помощью
Потенциальная развязка информационного сигнала не выполняется с помощью
По методу управления биполярными транзисторами различают следующие режимы работы
По методу управления биполярными транзисторами различают следующие режимы работы
По методу управления биполярными транзисторами различают следующие режимы работы
По методу управления биполярными транзисторами различают следующие режимы работы
Для реализации идеального управляющего импульса необходимо
Для реализации идеального управляющего импульса необходимо
Для реализации идеального управляющего импульса необходимо
Для реализации идеального управляющего импульса необходимо
Комплементарные пары транзисторов, входящие в состав ФИУ
Комплементарные пары транзисторов, входящие в состав ФИУ
Комплементарные пары транзисторов, входящие в состав ФИУ
Комплементарные пары транзисторов, входящие в состав ФИУ
В схеме ФИУ комплементарные транзисторы используют в основном для
В схеме ФИУ комплементарные транзисторы используют в основном для
В схеме ФИУ комплементарные транзисторы используют в основном для
В схеме ФИУ комплементарные транзисторы используют в основном для
Диодная оптронная развязка информационного сигнала в ФИУ обеспечивает
Диодная оптронная развязка информационного сигнала в ФИУ обеспечивает
Диодная оптронная развязка информационного сигнала в ФИУ обеспечивает
Диодная оптронная развязка информационного сигнала в ФИУ обеспечивает
К недостаткам оптронной развязки в ФИУ не относится
К недостаткам оптронной развязки в ФИУ не относится
К недостаткам оптронной развязки в ФИУ не относится
К недостаткам оптронной развязки в ФИУ не относится
Входной ток оптронов в статическом режиме составляет
Входной ток оптронов в статическом режиме составляет
Входной ток оптронов в статическом режиме составляет
Входной ток оптронов в статическом режиме составляет
Входной ток оптронов в импульсном режиме составляет
Входной ток оптронов в импульсном режиме составляет
Входной ток оптронов в импульсном режиме составляет
Входной ток оптронов в импульсном режиме составляет
Форсированный вывод биполярного транзистора электронного ключа из режима насыщения осуществляется
Форсированный вывод биполярного транзистора электронного ключа из режима насыщения осуществляется
Форсированный вывод биполярного транзистора электронного ключа из режима насыщения осуществляется
Форсированный вывод биполярного транзистора электронного ключа из режима насыщения осуществляется
К вариантам выключения силового биполярного транзистора не относится
К вариантам выключения силового биполярного транзистора не относится
К вариантам выключения силового биполярного транзистора не относится
К вариантам выключения силового биполярного транзистора не относится
Наиболее оптимальным техническим решением выключения силового биполярного транзистора является использование схемы с
Наиболее оптимальным техническим решением выключения силового биполярного транзистора является использование схемы с
Наиболее оптимальным техническим решением выключения силового биполярного транзистора является использование схемы с
Наиболее оптимальным техническим решением выключения силового биполярного транзистора является использование схемы с
В режиме эмиттерного управления силовым ключом используют вспомогательный
В режиме эмиттерного управления силовым ключом используют вспомогательный
В режиме эмиттерного управления силовым ключом используют вспомогательный
В режиме эмиттерного управления силовым ключом используют вспомогательный
В настоящее время широкое применение в качестве полностью управляемых ключей получили
В настоящее время широкое применение в качестве полностью управляемых ключей получили
В настоящее время широкое применение в качестве полностью управляемых ключей получили
В настоящее время широкое применение в качестве полностью управляемых ключей получили
Что не относится к преимуществам транзисторов ПТИЗ и БТИЗ перед биполярными транзисторами
Что не относится к преимуществам транзисторов ПТИЗ и БТИЗ перед биполярными транзисторами
Что не относится к преимуществам транзисторов ПТИЗ и БТИЗ перед биполярными транзисторами
Что не относится к преимуществам транзисторов ПТИЗ и БТИЗ перед биполярными транзисторами
К основным требованиям, предъявляемым к управлению ПТИЗ и БТИЗ, относятся
К основным требованиям, предъявляемым к управлению ПТИЗ и БТИЗ, относятся
К основным требованиям, предъявляемым к управлению ПТИЗ и БТИЗ, относятся
К основным требованиям, предъявляемым к управлению ПТИЗ и БТИЗ, относятся
К основным проблемам прямого управления силовым полевым транзистором в импульсных источниках питания относятся
К основным проблемам прямого управления силовым полевым транзистором в импульсных источниках питания относятся
К основным проблемам прямого управления силовым полевым транзистором в импульсных источниках питания относятся
К основным проблемам прямого управления силовым полевым транзистором в импульсных источниках питания относятся
К проблемам использования трансформаторных ФИУ для управления силовыми ключами с изолированным затвором не относятся
К проблемам использования трансформаторных ФИУ для управления силовыми ключами с изолированным затвором не относятся
К проблемам использования трансформаторных ФИУ для управления силовыми ключами с изолированным затвором не относятся
К проблемам использования трансформаторных ФИУ для управления силовыми ключами с изолированным затвором не относятся
Для ограничения напряжения на затворе полевого транзистора параллельно выходному узлу драйвера включают
Для ограничения напряжения на затворе полевого транзистора параллельно выходному узлу драйвера включают
Для ограничения напряжения на затворе полевого транзистора параллельно выходному узлу драйвера включают
Для ограничения напряжения на затворе полевого транзистора параллельно выходному узлу драйвера включают
Предельная частота управления силовым ключом полевого транзистора
Предельная частота управления силовым ключом полевого транзистора
Предельная частота управления силовым ключом полевого транзистора
Предельная частота управления силовым ключом полевого транзистора
Что не относится к основным требованиям, предъявляемым к трансформаторным ФИУ
Что не относится к основным требованиям, предъявляемым к трансформаторным ФИУ
Что не относится к основным требованиям, предъявляемым к трансформаторным ФИУ
Что не относится к основным требованиям, предъявляемым к трансформаторным ФИУ
Система управления электронными ключами не предназначена для
Система управления электронными ключами не предназначена для
Система управления электронными ключами не предназначена для
Система управления электронными ключами не предназначена для
Принципы построения систем управления преобразовательными устройствами не зависят от
Принципы построения систем управления преобразовательными устройствами не зависят от
Принципы построения систем управления преобразовательными устройствами не зависят от
Принципы построения систем управления преобразовательными устройствами не зависят от
Наибольшее распространение нашли следующие способы управления вентильными преобразователями
Наибольшее распространение нашли следующие способы управления вентильными преобразователями
Наибольшее распространение нашли следующие способы управления вентильными преобразователями
Наибольшее распространение нашли следующие способы управления вентильными преобразователями
В структурной схеме, реализующей фазоимпульсный способ управления, содержится
В структурной схеме, реализующей фазоимпульсный способ управления, содержится
В структурной схеме, реализующей фазоимпульсный способ управления, содержится
В структурной схеме, реализующей фазоимпульсный способ управления, содержится
Фазосдвигающие устройства (ФСУ) не строятся на базе
Фазосдвигающие устройства (ФСУ) не строятся на базе
Фазосдвигающие устройства (ФСУ) не строятся на базе
Фазосдвигающие устройства (ФСУ) не строятся на базе
Нуль-орган не может быть выполнен на базе:
Нуль-орган не может быть выполнен на базе:
Нуль-орган не может быть выполнен на базе:
Нуль-орган не может быть выполнен на базе:
При фазоимпульсном способе управления напряжение с анода тиристора поступает
При фазоимпульсном способе управления напряжение с анода тиристора поступает
При фазоимпульсном способе управления напряжение с анода тиристора поступает
При фазоимпульсном способе управления напряжение с анода тиристора поступает
При вертикальном способе управления напряжение с анода тиристора поступает
При вертикальном способе управления напряжение с анода тиристора поступает
При вертикальном способе управления напряжение с анода тиристора поступает
При вертикальном способе управления напряжение с анода тиристора поступает
Для управления многофазными выпрямителями система управления должна включать количество каналов, равное
Для управления многофазными выпрямителями система управления должна включать количество каналов, равное
Для управления многофазными выпрямителями система управления должна включать количество каналов, равное
Для управления многофазными выпрямителями система управления должна включать количество каналов, равное
Пульсность выпрямителя
Пульсность выпрямителя
Пульсность выпрямителя
Пульсность выпрямителя
В структурной схеме, реализующей вертикальный способ управления, содержится
В структурной схеме, реализующей вертикальный способ управления, содержится
В структурной схеме, реализующей вертикальный способ управления, содержится
В структурной схеме, реализующей вертикальный способ управления, содержится
Многоканальная система управления 3-х фазным выпрямителем содержит
Многоканальная система управления 3-х фазным выпрямителем содержит
Многоканальная система управления 3-х фазным выпрямителем содержит
Многоканальная система управления 3-х фазным выпрямителем содержит
В одноканальной системе управления 3-фазным выпрямителем частота генератора пилообразного напряжения
В одноканальной системе управления 3-фазным выпрямителем частота генератора пилообразного напряжения
В одноканальной системе управления 3-фазным выпрямителем частота генератора пилообразного напряжения
В одноканальной системе управления 3-фазным выпрямителем частота генератора пилообразного напряжения
В одноканальной системе управления 3-х фазным выпрямителем на входы схем совпадения (СС) поступают импульсы с выходов
В одноканальной системе управления 3-х фазным выпрямителем на входы схем совпадения (СС) поступают импульсы с выходов
В одноканальной системе управления 3-х фазным выпрямителем на входы схем совпадения (СС) поступают импульсы с выходов
В одноканальной системе управления 3-х фазным выпрямителем на входы схем совпадения (СС) поступают импульсы с выходов
В асинхронной одноканальной системе управления 3-х фазным выпрямителем частота задающего генератора (ЗГ)
В асинхронной одноканальной системе управления 3-х фазным выпрямителем частота задающего генератора (ЗГ)
В асинхронной одноканальной системе управления 3-х фазным выпрямителем частота задающего генератора (ЗГ)
В асинхронной одноканальной системе управления 3-х фазным выпрямителем частота задающего генератора (ЗГ)
В асинхронной одноканальной системе управления 3-х фазным выпрямителем распределитель импульсов обеспечивает сдвиг фаз по трем каналам на величину
В асинхронной одноканальной системе управления 3-х фазным выпрямителем распределитель импульсов обеспечивает сдвиг фаз по трем каналам на величину
В асинхронной одноканальной системе управления 3-х фазным выпрямителем распределитель импульсов обеспечивает сдвиг фаз по трем каналам на величину
В асинхронной одноканальной системе управления 3-х фазным выпрямителем распределитель импульсов обеспечивает сдвиг фаз по трем каналам на величину
Чтобы регулировать частоту задающего генератора (ЗГ) асинхронная система должна
Чтобы регулировать частоту задающего генератора (ЗГ) асинхронная система должна
Чтобы регулировать частоту задающего генератора (ЗГ) асинхронная система должна
Чтобы регулировать частоту задающего генератора (ЗГ) асинхронная система должна
В цифровой системе управления сигнал с выхода схемы сравнения
В цифровой системе управления сигнал с выхода схемы сравнения
В цифровой системе управления сигнал с выхода схемы сравнения
В цифровой системе управления сигнал с выхода схемы сравнения
Частота импульсов с выхода задающего генератора (ЗГ) в схеме 3-х фазного мостового инвертора напряжения
Частота импульсов с выхода задающего генератора (ЗГ) в схеме 3-х фазного мостового инвертора напряжения
Частота импульсов с выхода задающего генератора (ЗГ) в схеме 3-х фазного мостового инвертора напряжения
Частота импульсов с выхода задающего генератора (ЗГ) в схеме 3-х фазного мостового инвертора напряжения
В системе управления инвертором автономного типа с 2-х ступенчатой коммутацией содержится
В системе управления инвертором автономного типа с 2-х ступенчатой коммутацией содержится
В системе управления инвертором автономного типа с 2-х ступенчатой коммутацией содержится
В системе управления инвертором автономного типа с 2-х ступенчатой коммутацией содержится
В системе управления инвертором автономного типа с 2-х ступенчатой коммутацией частота на выходе задающего генератора (ЗГ)
В системе управления инвертором автономного типа с 2-х ступенчатой коммутацией частота на выходе задающего генератора (ЗГ)
В системе управления инвертором автономного типа с 2-х ступенчатой коммутацией частота на выходе задающего генератора (ЗГ)
В системе управления инвертором автономного типа с 2-х ступенчатой коммутацией частота на выходе задающего генератора (ЗГ)
Преобразователи частоты непосредственного типа содержат в каждой фазе вентильные группы, работающие
Преобразователи частоты непосредственного типа содержат в каждой фазе вентильные группы, работающие
Преобразователи частоты непосредственного типа содержат в каждой фазе вентильные группы, работающие
Преобразователи частоты непосредственного типа содержат в каждой фазе вентильные группы, работающие
В системы управления трехфазно-однофазного преобразователем частоты с непосредственной связью содержатся
В системы управления трехфазно-однофазного преобразователем частоты с непосредственной связью содержатся
В системы управления трехфазно-однофазного преобразователем частоты с непосредственной связью содержатся
В системы управления трехфазно-однофазного преобразователем частоты с непосредственной связью содержатся
Коэффициент заполнения импульсов силового ключа
Коэффициент заполнения импульсов силового ключа
Коэффициент заполнения импульсов силового ключа
Коэффициент заполнения импульсов силового ключа
Система стабилизации выходного напряжения импульсного преобразователя постоянного тока содержит
Система стабилизации выходного напряжения импульсного преобразователя постоянного тока содержит
Система стабилизации выходного напряжения импульсного преобразователя постоянного тока содержит
Система стабилизации выходного напряжения импульсного преобразователя постоянного тока содержит
Основными видами перегрузок по напряжению не являются
Основными видами перегрузок по напряжению не являются
Основными видами перегрузок по напряжению не являются
Основными видами перегрузок по напряжению не являются
Для защиты от перегрузок по напряжению под воздействием питающей сети используют
Для защиты от перегрузок по напряжению под воздействием питающей сети используют
Для защиты от перегрузок по напряжению под воздействием питающей сети используют
Для защиты от перегрузок по напряжению под воздействием питающей сети используют
Перегрузки по напряжению от коммутационных процессов не связаны с эффектами
Перегрузки по напряжению от коммутационных процессов не связаны с эффектами
Перегрузки по напряжению от коммутационных процессов не связаны с эффектами
Перегрузки по напряжению от коммутационных процессов не связаны с эффектами
Перегрузки по напряжению от характера подключенной нагрузки, как правило, определяются действием нагрузок
Перегрузки по напряжению от характера подключенной нагрузки, как правило, определяются действием нагрузок
Перегрузки по напряжению от характера подключенной нагрузки, как правило, определяются действием нагрузок
Перегрузки по напряжению от характера подключенной нагрузки, как правило, определяются действием нагрузок
Для защиты от перегрузок по напряжению, связанных с коммутационными процессами, используют
Для защиты от перегрузок по напряжению, связанных с коммутационными процессами, используют
Для защиты от перегрузок по напряжению, связанных с коммутационными процессами, используют
Для защиты от перегрузок по напряжению, связанных с коммутационными процессами, используют
Для защиты от перегрузок по напряжению, связанных с характером подключенной нагрузки, используют
Для защиты от перегрузок по напряжению, связанных с характером подключенной нагрузки, используют
Для защиты от перегрузок по напряжению, связанных с характером подключенной нагрузки, используют
Для защиты от перегрузок по напряжению, связанных с характером подключенной нагрузки, используют
К основным причинам, вызывающим появление аварийных токовых перегрузок силовых ключей, не относится
К основным причинам, вызывающим появление аварийных токовых перегрузок силовых ключей, не относится
К основным причинам, вызывающим появление аварийных токовых перегрузок силовых ключей, не относится
К основным причинам, вызывающим появление аварийных токовых перегрузок силовых ключей, не относится
Наиболее важными методами защиты от токовой перегрузки не являются
Наиболее важными методами защиты от токовой перегрузки не являются
Наиболее важными методами защиты от токовой перегрузки не являются
Наиболее важными методами защиты от токовой перегрузки не являются
Для выключения определенных типов GTO в режиме перегрузки по току не используют
Для выключения определенных типов GTO в режиме перегрузки по току не используют
Для выключения определенных типов GTO в режиме перегрузки по току не используют
Для выключения определенных типов GTO в режиме перегрузки по току не используют
Для уменьшения влияния паразитных индуктивностей не рекомендуют выполнять монтаж силовой схемы с помощью
Для уменьшения влияния паразитных индуктивностей не рекомендуют выполнять монтаж силовой схемы с помощью
Для уменьшения влияния паразитных индуктивностей не рекомендуют выполнять монтаж силовой схемы с помощью
Для уменьшения влияния паразитных индуктивностей не рекомендуют выполнять монтаж силовой схемы с помощью
Для снижения влияния помех на информационные каналы сигналов силовых ключей выполняют
Для снижения влияния помех на информационные каналы сигналов силовых ключей выполняют
Для снижения влияния помех на информационные каналы сигналов силовых ключей выполняют
Для снижения влияния помех на информационные каналы сигналов силовых ключей выполняют
В трехфазной мостовой схеме, включающей непосредственную гальваническую связь между шиной драйверов и общей шиной силовой схемы, для устранения паразитной связи не используют
В трехфазной мостовой схеме, включающей непосредственную гальваническую связь между шиной драйверов и общей шиной силовой схемы, для устранения паразитной связи не используют
В трехфазной мостовой схеме, включающей непосредственную гальваническую связь между шиной драйверов и общей шиной силовой схемы, для устранения паразитной связи не используют
В трехфазной мостовой схеме, включающей непосредственную гальваническую связь между шиной драйверов и общей шиной силовой схемы, для устранения паразитной связи не используют
Для уменьшения паразитной емкостной связи между проводниками не выполняют
Для уменьшения паразитной емкостной связи между проводниками не выполняют
Для уменьшения паразитной емкостной связи между проводниками не выполняют
Для уменьшения паразитной емкостной связи между проводниками не выполняют
С целью исключения бросков напряжения на силовом ключе, вызванных аккумулированной на индуктивности энергией, в цепь нагрузки не вводят дополнительный
С целью исключения бросков напряжения на силовом ключе, вызванных аккумулированной на индуктивности энергией, в цепь нагрузки не вводят дополнительный
С целью исключения бросков напряжения на силовом ключе, вызванных аккумулированной на индуктивности энергией, в цепь нагрузки не вводят дополнительный
С целью исключения бросков напряжения на силовом ключе, вызванных аккумулированной на индуктивности энергией, в цепь нагрузки не вводят дополнительный
Управляющий параметр N, влияющий на изменение траектории движения рабочей точки транзистора, не зависит от
Управляющий параметр N, влияющий на изменение траектории движения рабочей точки транзистора, не зависит от
Управляющий параметр N, влияющий на изменение траектории движения рабочей точки транзистора, не зависит от
Управляющий параметр N, влияющий на изменение траектории движения рабочей точки транзистора, не зависит от
Управляющий параметр M, влияющий на изменение траектории движения рабочей точки транзистора, не зависит от
Управляющий параметр M, влияющий на изменение траектории движения рабочей точки транзистора, не зависит от
Управляющий параметр M, влияющий на изменение траектории движения рабочей точки транзистора, не зависит от
Управляющий параметр M, влияющий на изменение траектории движения рабочей точки транзистора, не зависит от
С точки зрения обеспечения безопасной работы транзистора необходимо
С точки зрения обеспечения безопасной работы транзистора необходимо
С точки зрения обеспечения безопасной работы транзистора необходимо
С точки зрения обеспечения безопасной работы транзистора необходимо
При расчете защитных цепей тиристорных ключей по сравнению с транзисторными ключами не учитывают следующие особенности
При расчете защитных цепей тиристорных ключей по сравнению с транзисторными ключами не учитывают следующие особенности
При расчете защитных цепей тиристорных ключей по сравнению с транзисторными ключами не учитывают следующие особенности
При расчете защитных цепей тиристорных ключей по сравнению с транзисторными ключами не учитывают следующие особенности
Если при работе запираемых тиристоров скорость нарастания тока di/dt превышает предельно установленный уровень, то
Если при работе запираемых тиристоров скорость нарастания тока di/dt превышает предельно установленный уровень, то
Если при работе запираемых тиристоров скорость нарастания тока di/dt превышает предельно установленный уровень, то
Если при работе запираемых тиристоров скорость нарастания тока di/dt превышает предельно установленный уровень, то
Начальный прирост тока в схеме тиристорного ключа с насыщающимся дросселем
Начальный прирост тока в схеме тиристорного ключа с насыщающимся дросселем
Начальный прирост тока в схеме тиристорного ключа с насыщающимся дросселем
Начальный прирост тока в схеме тиристорного ключа с насыщающимся дросселем
Для исключения выхода из строя тиристорного ключа к запираемому тиристору GTO
Для исключения выхода из строя тиристорного ключа к запираемому тиристору GTO
Для исключения выхода из строя тиристорного ключа к запираемому тиристору GTO
Для исключения выхода из строя тиристорного ключа к запираемому тиристору GTO
Для мостовых схем используют защитные RCD-цепи, в которых резисторы подключаются
Для мостовых схем используют защитные RCD-цепи, в которых резисторы подключаются
Для мостовых схем используют защитные RCD-цепи, в которых резисторы подключаются
Для мостовых схем используют защитные RCD-цепи, в которых резисторы подключаются
В структурной схеме контроля режима токовой перегрузки по выходному напряжению ключа к функциям триггера не относится
В структурной схеме контроля режима токовой перегрузки по выходному напряжению ключа к функциям триггера не относится
В структурной схеме контроля режима токовой перегрузки по выходному напряжению ключа к функциям триггера не относится
В структурной схеме контроля режима токовой перегрузки по выходному напряжению ключа к функциям триггера не относится
Какие силовые приборы не относятся к основным группам «разумных» преобразовательных приборов
Какие силовые приборы не относятся к основным группам «разумных» преобразовательных приборов
Какие силовые приборы не относятся к основным группам «разумных» преобразовательных приборов
Какие силовые приборы не относятся к основным группам «разумных» преобразовательных приборов
Главным достижением развития современных силовых ключей является
Главным достижением развития современных силовых ключей является
Главным достижением развития современных силовых ключей является
Главным достижением развития современных силовых ключей является
Какие ключевые приборы используются в диапазоне рабочих частот от 50 до 100 Гц
Какие ключевые приборы используются в диапазоне рабочих частот от 50 до 100 Гц
Какие ключевые приборы используются в диапазоне рабочих частот от 50 до 100 Гц
Какие ключевые приборы используются в диапазоне рабочих частот от 50 до 100 Гц
Какие ключевые приборы используются в диапазоне рабочих частот от 50 до 800 кГц
Какие ключевые приборы используются в диапазоне рабочих частот от 50 до 800 кГц
Какие ключевые приборы используются в диапазоне рабочих частот от 50 до 800 кГц
Какие ключевые приборы используются в диапазоне рабочих частот от 50 до 800 кГц
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) не применяются в
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) не применяются в
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) не применяются в
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) не применяются в
Область применения биполярных и МОП-транзисторов
Область применения биполярных и МОП-транзисторов
Область применения биполярных и МОП-транзисторов
Область применения биполярных и МОП-транзисторов
Самую большую мощность рассеивания до 10 МВт имеют
Самую большую мощность рассеивания до 10 МВт имеют
Самую большую мощность рассеивания до 10 МВт имеют
Самую большую мощность рассеивания до 10 МВт имеют
Самую маленькую мощность рассеивания в диапазоне от 10 до 1000 Вт имеют
Самую маленькую мощность рассеивания в диапазоне от 10 до 1000 Вт имеют
Самую маленькую мощность рассеивания в диапазоне от 10 до 1000 Вт имеют
Самую маленькую мощность рассеивания в диапазоне от 10 до 1000 Вт имеют
Мощные полевые транзисторы (MOSFET) не применяются в
Мощные полевые транзисторы (MOSFET) не применяются в
Мощные полевые транзисторы (MOSFET) не применяются в
Мощные полевые транзисторы (MOSFET) не применяются в
Не характерно для силовых полевых и биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Не характерно для силовых полевых и биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Не характерно для силовых полевых и биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Не характерно для силовых полевых и биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Мощные МДП-транзисторы и высокочастотные биполярные транзисторы с изолированным затвором IGBT применяются в
Мощные МДП-транзисторы и высокочастотные биполярные транзисторы с изолированным затвором IGBT применяются в
Мощные МДП-транзисторы и высокочастотные биполярные транзисторы с изолированным затвором IGBT применяются в
Мощные МДП-транзисторы и высокочастотные биполярные транзисторы с изолированным затвором IGBT применяются в
В резонансных силовых преобразователях
В резонансных силовых преобразователях
В резонансных силовых преобразователях
В резонансных силовых преобразователях
Повышение рабочей частоты выше резонансной обеспечивает коммутацию ключей с LC-цепью
Повышение рабочей частоты выше резонансной обеспечивает коммутацию ключей с LC-цепью
Повышение рабочей частоты выше резонансной обеспечивает коммутацию ключей с LC-цепью
Повышение рабочей частоты выше резонансной обеспечивает коммутацию ключей с LC-цепью
В системах управления электродвигателями особенностью нагрузки не является
В системах управления электродвигателями особенностью нагрузки не является
В системах управления электродвигателями особенностью нагрузки не является
В системах управления электродвигателями особенностью нагрузки не является
Для систем питания двигателей постоянного тока от сети переменного тока эффективно используют
Для систем питания двигателей постоянного тока от сети переменного тока эффективно используют
Для систем питания двигателей постоянного тока от сети переменного тока эффективно используют
Для систем питания двигателей постоянного тока от сети переменного тока эффективно используют
К основным критериям, используемым при выборе типа силового ключа, не относится
К основным критериям, используемым при выборе типа силового ключа, не относится
К основным критериям, используемым при выборе типа силового ключа, не относится
К основным критериям, используемым при выборе типа силового ключа, не относится
К основным достоинствам однотактных схем импульсных преобразователей относятся
К основным достоинствам однотактных схем импульсных преобразователей относятся
К основным достоинствам однотактных схем импульсных преобразователей относятся
К основным достоинствам однотактных схем импульсных преобразователей относятся
Преобразователи, в которых передача аккумулированной энергии в нагрузку выполняется на этапе включения ключа (в импульсе), называются
Преобразователи, в которых передача аккумулированной энергии в нагрузку выполняется на этапе включения ключа (в импульсе), называются
Преобразователи, в которых передача аккумулированной энергии в нагрузку выполняется на этапе включения ключа (в импульсе), называются
Преобразователи, в которых передача аккумулированной энергии в нагрузку выполняется на этапе включения ключа (в импульсе), называются
Преобразователи, в которых передача аккумулированной энергии в нагрузку выполняется на этапе выключения ключа (в паузе), называются
Преобразователи, в которых передача аккумулированной энергии в нагрузку выполняется на этапе выключения ключа (в паузе), называются
Преобразователи, в которых передача аккумулированной энергии в нагрузку выполняется на этапе выключения ключа (в паузе), называются
Преобразователи, в которых передача аккумулированной энергии в нагрузку выполняется на этапе выключения ключа (в паузе), называются
В мостовых схемах, построенных на быстрых МДП - транзисторах, могут возникнуть следующие отказы
В мостовых схемах, построенных на быстрых МДП - транзисторах, могут возникнуть следующие отказы
В мостовых схемах, построенных на быстрых МДП - транзисторах, могут возникнуть следующие отказы
В мостовых схемах, построенных на быстрых МДП - транзисторах, могут возникнуть следующие отказы
Эффективным техническим решением является использование в выпрямительных схемах ключевых транзисторов с
Эффективным техническим решением является использование в выпрямительных схемах ключевых транзисторов с
Эффективным техническим решением является использование в выпрямительных схемах ключевых транзисторов с
Эффективным техническим решением является использование в выпрямительных схемах ключевых транзисторов с
Ограничением применения биполярных транзисторов в синхронных выпрямителях является условие: максимально допустимое обратное напряжение эмиттерного перехода должно быть
Ограничением применения биполярных транзисторов в синхронных выпрямителях является условие: максимально допустимое обратное напряжение эмиттерного перехода должно быть
Ограничением применения биполярных транзисторов в синхронных выпрямителях является условие: максимально допустимое обратное напряжение эмиттерного перехода должно быть
Ограничением применения биполярных транзисторов в синхронных выпрямителях является условие: максимально допустимое обратное напряжение эмиттерного перехода должно быть
Схема автономного инвертора напряжения со звеном постоянного тока (VWF-инвертор) не содержит
Схема автономного инвертора напряжения со звеном постоянного тока (VWF-инвертор) не содержит
Схема автономного инвертора напряжения со звеном постоянного тока (VWF-инвертор) не содержит
Схема автономного инвертора напряжения со звеном постоянного тока (VWF-инвертор) не содержит
Для построения систем управления двигателями переменного тока наиболее перспективными являются
Для построения систем управления двигателями переменного тока наиболее перспективными являются
Для построения систем управления двигателями переменного тока наиболее перспективными являются
Для построения систем управления двигателями переменного тока наиболее перспективными являются
В силовых инверторах с GTO ключами и двигательной нагрузкой энергия, запасаемая в паразитных и ограничивающих анодных индуктивностях,
В силовых инверторах с GTO ключами и двигательной нагрузкой энергия, запасаемая в паразитных и ограничивающих анодных индуктивностях,
В силовых инверторах с GTO ключами и двигательной нагрузкой энергия, запасаемая в паразитных и ограничивающих анодных индуктивностях,
В силовых инверторах с GTO ключами и двигательной нагрузкой энергия, запасаемая в паразитных и ограничивающих анодных индуктивностях,
Величина паразитной индуктивности в мостовой схеме на базе МСТ тиристоров
Величина паразитной индуктивности в мостовой схеме на базе МСТ тиристоров
Величина паразитной индуктивности в мостовой схеме на базе МСТ тиристоров
Величина паразитной индуктивности в мостовой схеме на базе МСТ тиристоров
Использование МСТ тиристоров требует специальных мер по
Использование МСТ тиристоров требует специальных мер по
Использование МСТ тиристоров требует специальных мер по
Использование МСТ тиристоров требует специальных мер по
Силовым диодом называется
Силовым диодом называется
Силовым диодом называется
Силовым диодом называется
Силовой диод содержит
Силовой диод содержит
Силовой диод содержит
Силовой диод содержит
Основная функция силового диода
Основная функция силового диода
Основная функция силового диода
Основная функция силового диода
Идеальный диод переходит в замкнутое состояние, если
Идеальный диод переходит в замкнутое состояние, если
Идеальный диод переходит в замкнутое состояние, если
Идеальный диод переходит в замкнутое состояние, если
При подаче обратного напряжения смещения сопротивление идеального диода
При подаче обратного напряжения смещения сопротивление идеального диода
При подаче обратного напряжения смещения сопротивление идеального диода
При подаче обратного напряжения смещения сопротивление идеального диода
При подаче прямого напряжения смещения сопротивление идеального диода
При подаче прямого напряжения смещения сопротивление идеального диода
При подаче прямого напряжения смещения сопротивление идеального диода
При подаче прямого напряжения смещения сопротивление идеального диода
Электрический пробой силового диода возникает, когда
Электрический пробой силового диода возникает, когда
Электрический пробой силового диода возникает, когда
Электрический пробой силового диода возникает, когда
В режиме лавинного пробоя силового диода
В режиме лавинного пробоя силового диода
В режиме лавинного пробоя силового диода
В режиме лавинного пробоя силового диода
Схема замещения реального силового диода при низкой частоте не содержит
Схема замещения реального силового диода при низкой частоте не содержит
Схема замещения реального силового диода при низкой частоте не содержит
Схема замещения реального силового диода при низкой частоте не содержит
При переходе в закрытое состояние мощность потерь в силовом диоде
При переходе в закрытое состояние мощность потерь в силовом диоде
При переходе в закрытое состояние мощность потерь в силовом диоде
При переходе в закрытое состояние мощность потерь в силовом диоде
Мощность потерь обратного восстановления силового диода равна
Мощность потерь обратного восстановления силового диода равна
Мощность потерь обратного восстановления силового диода равна
Мощность потерь обратного восстановления силового диода равна
Величина заряда обратного восстановления силового диода
Величина заряда обратного восстановления силового диода
Величина заряда обратного восстановления силового диода
Величина заряда обратного восстановления силового диода
К параметрам силовых диодов не относятся
К параметрам силовых диодов не относятся
К параметрам силовых диодов не относятся
К параметрам силовых диодов не относятся
К статическим параметрам силового диода не относится
К статическим параметрам силового диода не относится
К статическим параметрам силового диода не относится
К статическим параметрам силового диода не относится
К предельно допустимым параметрам силового диода относится
К предельно допустимым параметрам силового диода относится
К предельно допустимым параметрам силового диода относится
К предельно допустимым параметрам силового диода относится
Динамическими параметрами силового диода являются
Динамическими параметрами силового диода являются
Динамическими параметрами силового диода являются
Динамическими параметрами силового диода являются
Какое импульсное обратное напряжение имеет силовой диод 6-го класса
Какое импульсное обратное напряжение имеет силовой диод 6-го класса
Какое импульсное обратное напряжение имеет силовой диод 6-го класса
Какое импульсное обратное напряжение имеет силовой диод 6-го класса
Диоды общего назначения на основе p-n-перехода характеризуются
Диоды общего назначения на основе p-n-перехода характеризуются
Диоды общего назначения на основе p-n-перехода характеризуются
Диоды общего назначения на основе p-n-перехода характеризуются
Быстровосстанавливающиеся диоды характеризуются следующими параметрами
Быстровосстанавливающиеся диоды характеризуются следующими параметрами
Быстровосстанавливающиеся диоды характеризуются следующими параметрами
Быстровосстанавливающиеся диоды характеризуются следующими параметрами
Какой полупроводник используется при изготовлении диода Шоттки
Какой полупроводник используется при изготовлении диода Шоттки
Какой полупроводник используется при изготовлении диода Шоттки
Какой полупроводник используется при изготовлении диода Шоттки
Отсутствие неосновных носителей в диоде Шоттки не обеспечивает
Отсутствие неосновных носителей в диоде Шоттки не обеспечивает
Отсутствие неосновных носителей в диоде Шоттки не обеспечивает
Отсутствие неосновных носителей в диоде Шоттки не обеспечивает
Плоскостные диоды
Плоскостные диоды
Плоскостные диоды
Плоскостные диоды
Точечные диоды
Точечные диоды
Точечные диоды
Точечные диоды
Время восстановления обратного сопротивления для быстровосстанавливающихся диодов достигает:
Время восстановления обратного сопротивления для быстровосстанавливающихся диодов достигает:
Время восстановления обратного сопротивления для быстровосстанавливающихся диодов достигает:
Время восстановления обратного сопротивления для быстровосстанавливающихся диодов достигает:
Время восстановления обратного сопротивления для диодов общего назначения достигает:
Время восстановления обратного сопротивления для диодов общего назначения достигает:
Время восстановления обратного сопротивления для диодов общего назначения достигает:
Время восстановления обратного сопротивления для диодов общего назначения достигает:
