304. Два одинаково заряженных шарика подвешены в одной точке на нитях одинаковой длины. При этом нити разошлись на угол α. Шарики погружают в масло. Какова плотность ρ масла, если угол расхождения нитей при погружении в масло остается неизменным? Плотность материала шариков ρ0=1,5*103 кг/м3, диэлектрическая проницаемость масла ε=2,2.
314. Треть тонкого кольца радиуса R=10 см несет распределенный заряд Q=50 нКл. Определить напряженность Е электрического поля, создаваемого распределенным зарядом в точке О, совпадающей с центром кольца.
324. На двух концентрических сферах радиусом R и 2R равномерно распределены заряды с поверхностными плотностями σ1 и σ2 (рис. 24). Требуется: 1) используя теорему Остроградского—Гаусса, найти: зависимость E(r) напряженности электрического поля от расстояния для трех областей: I, II и III. Принять σ1 = -2σ, σ2=σ; 2) вычислить напряженность Е в точке, удаленной от центра на расстояние r, и указать направление вектора Е. Принять g=0,1 мКл/м2, r =3R; 3) построить график E(r).
334. Две параллельные заряженные плоскости, поверхностные плотности заряда которых σ1=2 мкКл/м2 и σ2=-0,8 мкКл/м2, находятся на расстоянии d=0,6 см друг от друга. Определить разность потенциалов U между плоскостями.
344. Электрон с энергией T=400 эВ (в бесконечности) движется вдоль силовой линии по направлению к поверхности металлической заряженной сферы радиусом R=10 см. Определить минимальное расстояние, на которое приблизится электрон к поверхности сферы, если заряд ее q=-10 нКл.
354. Два конденсатора емкостями С1=2 мкФ и С2=5 мкФ заряжены до напряжений U1=100 В и U2=150 В соответственно. Определить напряжение на обкладках конденсаторов после их соединения обкладками, имеющими разноименные заряды.
364. При внешнем сопротивлении R1=8 Ом сила тока в цепи I1=0,8 А, при сопротивлении R2=15 Ом сила тока I2=0,5 А. Определить силу тока Iк.з короткого замыкания источника ЭДС.
374. В проводнике за время t1=10 с при равномерном возрастании силы тока от I1=1 А до I2=2 А выделилось количество теплоты Q=5 кДж. Найти сопротивление R проводника.