Основы электроники

Задание 1
Начертить схему усилителя низкой частоты на транзисторе с входным трансформатором. Объяснить назначение элементов и принцип работы усилителя.
Решение: Выходная мощность усилителя может быть от 1 до 8 Вт — это зависит от сопротивления нагрузки (громкоговорителя) и напряжения источника питания (12...24 В).
Входной сигнал на усилитель подается через трансформатор Т1. Дело в том, что для получения достаточной выходной мощности амплитуда сигнала на входе этого усилителя мощности (т. е. на базах транзисторов V2 и V3) должна составлять не менее 60% напряжения источника питания.

Задание 2
Составить схему трехфазного выпрямителя на трех диодах, используя стандартные диоды, параметры которых приведены в справочной литературе. Мощность потребителя Р при напряжении питания U. Пояснить порядок составления схемы для диодов с данными параметрами.
Тип диода - Д214Б
Pd = 400ВТ
Ud = 40В
Задание 3
Составить структурную схему электронного осциллографа из элементов, указанных на рисунке 3. Объяснить назначение элементов схемы и ответить на вопрос своего варианта.
Пояснить, как при помощи генератора пилообразного напряжения осуществляется развертка электронного луча.
Решение: Генератор развертки вырабатывает пилообразное (линейно изменяющееся напряжение), которое предназначено для равномерного перемещения луча вдоль оси Х от левого до правого края экрана, а затем быстрого возвращения его в крайнее левое положение. Обратный ход луча на экране соответствует участкам быстрого изменения пилообразного напряжения.Чтобы получить неподвижное изображение, частота генератора развертки должна быть равна или в целое число раз меньше частоты исследуемого сигнала.
Задание 4
Нарисуйте схему устройства и условное обозначение кремниевого стабилизатора напряжения – стабилитрона. Опишите принцип действия, область практического применения и систему маркировки различных типов кремниевых стабилитронов.
Решение: В полупроводниковых стабилитронах используется свойство незначительного изменения обратного напряжения на р-n- переходе при электрическом (лавинном или туннельном) пробое. Это связано с тем, что небольшое увеличение напряжения на р-n- переходе в режиме электрического пробоя вызывает более интенсивную генерацию носителей заряда и значительное увеличение обратного тока.

Задание 1rnЗадание 2 rnЗадание 3 rnЗадание 4rnСписок использованной литературы

Жеребцов И.П. Основы электроники, Л., Энергоиздат, 1985.
Криштофович А.К Основы промышленной электроники, М., Высшая школа, 1985.
Горбачев Г.Н., Чаплыгин Е.Е. Промышленная электроника, М., Энерго-атомиздат, 1988.
Федосеева Е.О., Федосеева Г.П. Основы электроники и микро-электроники, М., Искусство, 1990.
Кучумов А.И. Электроника и схемотехника, М., ГЕЛИОС АРВ,2002.