Каждая работа проверяется на плагиат, на момент публикации
уникальность составляет не менее 40% по системе проверки eTXT.
Реферат
239.2 Кбайт
1 050 ₽
Описание
Для исследования электронной структуры и дефектов применимы методы аннигиляции позитронов, обладающие высокой чувствительностью к изменениям электронной структуры и дефектам вакансионного типа. Поскольку электронная структура в дефекте отличается от электронной структуры в бездефектной области, характеристики процесса аннигиляции позитронов изменяются. т.е. изменяются характеристики временного и импульсного распределения аннгиляционных фотонов. по различию этих характеристик можно диагностировать изменения электронной структуры и дефектов структуры исследуемого материала
Оглавление
Введение 3 1. Историческая справка 4 1.1 Предсказание позитрона 4 1.2 Экспериментальное открытие позитрона 5 2. Экспериментальное оборудование, использующееся для открытия и детектирования позитрона 6 2.1 Камера Вильсона 6 2.2 Пузырьковая камера. 7
Список литературы
1. Арефьев К.П. Прогнозирование усталостных свойств материалов: Учебное пособие. Томск: Изд-во ТПИ им. С.М.Кирова, 1989. 2. Групен К. Детекторы элементарных частиц: Справочное издание. Пер. с англ. – Новосибирск: «Сибирский хронограф», 1999. 3. Черданцев Ю.П. Электрофизические установки: Учебное пособие. Томск: Изд-во ТПУ, 2002. 4. Методы позитронной диагностики и расшифровка спектров аннигиляции позитронов.// Под ред. Хабибулдаева, 1985.