Ответы на тест. Эдукон. Электроника и цифровая схемотехника. Набрано 88%. 849

ФАЙЛ С ПОЛНЫМ СПИСКОМ ОТВЕТОВ БУДЕТ ДОСТУПЕН СРАЗУ ПОСЛЕ ПОКУПКИ.

ФАЙЛ С ПОЛНЫМ СПИСКОМ ОТВЕТОВ БУДЕТ ДОСТУПЕН СРАЗУ ПОСЛЕ ПОКУПКИ.

1

Какая из кривых характеризует теоретическую ВАХ p-n -перехода ...

Выберите один ответ.

кривая 5

кривая 2

кривая 3

кривая 1

кривая 4

2

В биполярном p-n-p транзисторе, включенным по схеме с общим эмиттером коллекторный и базовый токи связаны следующим соотношением (выбрать):

Ответ:

3

Для какой схемы включения и типа транзистора приведены характеристики …

Выберите один ответ.

Схема с ОЭ;

БТ n-p-n типа

Схема с ОЭ;

БТ p –n- p типа

Схема с ОБ;

n-p-n типа

Схема с ОК;

БТ p –n- p типа

Схема с ОК;

БТ n-p-n типа

4

Прямая ветвь вольт-амперной характеристики выпрямительного диода характеризуется ...

Выберите один ответ.

большим током и большим напряжением

существенным током и малым напряжением

малым током и малым напряжением

малым током и большим напряжением

5

Какая область полупроводникового диода называется базой

Выберите один ответ.

Область связанного заряда

Область n - типа

Область p - типа

Область с низкой концентрацией носителей заряда

6

Теоретическая ВАХ выпрямительного диода определяется выражением (выбрать): 

* I = I0[exp(U /т ) -1]    (1)  

*I = I0[exp(т  / U) -1]    (2)

*I = I0[exp(U /т ) +1]    (3)

*I = I0[exp(т  / U) +1]    (4)

Ответ:

7

р – n – переход в полупроводниковом диоде формируется в контактном слое ...

Выберите один ответ.

чистого и примесного полупроводника

двух полупроводников с разным типом примесной проводимости

двух различных чистых полупроводников (Ge – Si)

материала примеси и чистого полупроводника

8

Коэффициент передачи тока базы при граничной частоте единичного усиления равен единице ...

Ответ:

9

Какая область полупроводникового диода называется эмиттером

Выберите один ответ.

Область с высокой концентрацией носителей заряда

Область p - типа

Область p – n – перехода

Область с низкой концентрацией носителей заряда

10

 Какую вольт-амперную характеристику имеет диод Шоттки (см. рис.)?

Выберите один ответ.

2

3

4

1

11

Используя информацию на рисунке, дайте название приведенной характеристике и укажите тип канала полевого транзистора (ПТ) …

Выберите один ответ.

Стоко-затворная характерристика;

n - канал

Стоковая характеристика;

n - канал

Стоковая характеристика;

р - канал

Стоко-затворная характерристика;

р - канал

12

Для усилительного каскада на БТ по схеме ОЭ (см рисунок) активный режим работы транзистора означает ...  

Выберите один ответ.

Uкэ < 0, Uэб < 0.

Uкэ < 0, Uэб > 0.

Uкэ > 0, Uэб > 0.

Uкэ > 0, Uэб < 0

13

Область полупроводникового диода, из которой инжектируются носители заряда, называется эмиттером

Ответ:

14

Как изменится характеристика диода, включенного в прямом направлении при понижении температуры (4 начальная температура)? 

Выберите один ответ.

1

2

4 ( не изменится)

3

15

Вольт-амперная характеристика диода определяет зависимость тока через диод от ...

Выберите один ответ.

температуры

величины сопротивления p – n - перехода

частоты приложенного напряжения

величины и знака приложенного напряжения

16

На рисунке изображена вольт-амперная характеристика ...  

Выберите один ответ.

туннельного диода

варикапа

выпрямительного диода

стабилитрона

17

Основными параметрами выпрямительного полупроводникового диода являются ...

Выберите несколько ответов.

максимальный прямой ток

максимальное прямое напряжение

материал, из которого сделан диод

максимальное обратное напряжени

рабочая температура диода

обратный ток

частотный диапазон

18

Сколько областей с разным типом проводимости используется в конструкции биполярного транзистора (ответ в цифрах) ...

Ответ:

19

Назовите схему включения ПТ (см. рисунок) и укажите полярность источника питания Ес …

Выберите один ответ.

Схема с ОИ;

На общей шине – минус Ес.

Схема с ОИ;

На общей шине – плюс Ес

Схема с ОС;

На общей шине – минус Ес

Схема с ОС;

На общей шине – плюс Ес.

20

Какие из ПТ могут работать как в режиме обогащения так и в режиме обеднения … 

Выберите один ответ.

МДП типа со встроенным каналом

с управляющим p-n- переходом

МДП типа с индуцированным каналом

МДП типа со встроенным каналом, так и

МДП типа с индуцированным каналом

с управляющим p-n- переходом, так и

МДП типа с индуцированным каналом

21

р – n – переход смещен в прямом направлении, если внешний источник постоянного напряжения ... 

Выберите один ответ.

подключен к переходу независимо от полярности

имеет выходное напряжение более 2-х вольт

подключен плюсом к n - области, минусом к p - области

подключен плюсом к р - области, минусом к n - области

22

Работа варикапа характеризуется …

Выберите один ответ.

динамической характеристикой

вебер-амперной характеристикой

вольт-амперной характеристикой

вольт-фарадной характеристикой

23

Область, в которую инжектируются носители заряда полупроводникового диода, называется базой ...

Ответ:

24

Обратное включение диода используется в работе ...

Выберите один ответ.

стабилитрона

туннельного диода

выпрямительного диода

стабистора

25

Линия нагрузки усилительного каскада с общим эмиттером (RЭ отсутствует в схеме) описывается уравнением:

Ответ:

26

Какой из режимов работы БТ и схему включения характеризуют временные диаграммы …

Выберите один ответ.

Активный режим, общая база (ОБ)

Активный режим, общий коллектор (ОК)

Инверсный режим, общая база (ОБ)

Активный режим, общий эмиттер (ОЭ)

Инверсный режим, общий эмиттер (ОЭ)

27

Дайте правильное название семейству характеристик …

Выберите один ответ.

Стоко-затворные характеристики МДП типа с индуцированным каналом

Стоко-затворные характеристики МДП типа со встроенным каналом

Стоковые характеристики ПТ МДП типа с индуцированным каналом

Стоковые характеристики ПТ МДП типа со встроенным каналом

Стоковые характеристики ПТ с управляющим p-n- переходом

28

При прямом смещении ток через p – n – переход определяется ... 

неосновными носителями р - и n - областей диода

типом проводимости области базы

только основными носителями  

основными и неосновными носителями

Выберите один ответ.

неосновными носителями р - и n - областей диода

основными и неосновными носителями

только основными носителями

типом проводимости области базы

29

Структура какого полевого транзистора приведена на рисунке…

Выберите один ответ.

с управляющим p-n- переходом

и n- каналом

МДП типа со встроенным каналом

n- типа

МДП типа с индуцированным каналом

n- типа

МДП типа с индуцированным каналом р- типа

МДП типа со встроенным каналом

р- типа

30

  Работа стабилитрона основана на использовании …

Выберите один ответ.

электромагнитного эффекта

лавинного пробоя

теплового пробоя

туннельного пробоя

31

Дайте правильное назване приведенной на рисунке -  fβ частоты ...

Выберите один ответ.

средняя частота усиления по току

предельная частота усиления по току

Нижняя граничная частота усиления по току

верхняя граничная частота усиления по току

32

По семейству характеристик определить схему включения и тип транзистора

Выберите один ответ.

Схема включения- ОЭ, БТ n-p-n типа

Схема включения- ОБ, БТ n-p-n типа

Схема включения- ОЭ,БТ р-n-p типа

Схема включения- ОБ, БТ р-n-p типа

33

Работа фотодиода основана на процессе появления дополнительных носителей заряда при облучении устройства за счет ...

Выберите один ответ.

термогенерации носителей в примесном полупроводнике

внешнего фотоэффекта

электромагнитного эффекта

внутреннего фотоэффекта

34

Что происходит с областью объемного заряда, если к p - n – переходу приложено внешнее напряжение плюсом к полупроводнику р – типа, минусом к полупроводнику n - типа

Выберите один ответ.

Объем уменьшается

Объем области не меняется

Объем области связанного заряда увеличивается

Смещается в область полупроводника р- типа

35

Какими электрическими параметрами определяется значение RБ в схеме?

Выберите один ответ.

Напряжениями Ек и Uбэ

Величинами Ек и Iбо

Величинами Ек, Uбэ и Iбо

Только током Iбо

Только напряжением Uбэ

36

Величина обратного тока диода увеличивается с ростом температуры за счет ...

Выберите один ответ.

роста скорости движения неосновных носителей заряда

роста энергии основных носителей заряда

увеличения частоты колебаний атомов полупроводника в узлах кристаллической решетки

появления дополнительных носителей, связанного с термораспадом ковалентных связей

37

На рисунке приведены статические характеристики БТ для схемы включения ….

Выберите один ответ.

Общий эмиттер

Общий коллектор

Общая база

38

Для какого типа транзистора приведены статические характеристики ...

Выберите один ответ.

полевой транзистор с управляющим p-n переходом

биполярный транзистор n-p-n типа

полевой транзистор МДП - типа

биполярный транзистор p-n-p типа

39

Работа диода в прямом и обратном включении сопровождается изменением

Выберите один ответ.

структуры полупроводника  

площади p – n - перехода

диффузионной и барьерной емкостей

электромагнитного излучения

Выберите один ответ.

диффузионной и барьерной емкостей

площади p – n - перехода

электромагнитного излучения

структуры полупроводника

40

Назовите схему включения БТ (см. рисунок) и укажите полярность источника питания …

Выберите один ответ.

Схема с ОЭ;

На общей шине – минус Ек.

Схема с ОК;

На общей шине – минус Ек

Схема с ОК;

На общей шине – плюс Ек

Схема с ОЭ;

На общей шине – плюс Ек

41

Дайте название приведенной характеристике и укажите тип канала ПТ … 

Выберите один ответ.

Стоко-затворная характеристика,

канал р- типа

Стоковая характеристика,

канал n- типа

Стоко-затворная характеристика,

канал n- типа

Стоковая характеристика,

канал р- типа

42

На рисунке приведена структура и схема включения полевого транзистора (ПТ) …

Выберите один ответ.

с управляющим p-n- переходом

и р- каналом

МДП типа со встроенным каналом

n- типа

МДП типа со встроенным каналом

р - типа

МДП типа с индуцированным каналом

n- типа

МДП типа с индуцированным каналом

р- типа

с управляющим p-n- переходом

и n- каналом

43

Что происходит с p – n – переходом при его обратном смещении ...  

Выберите один ответ.

Переход выходит из строя

Ничего не изменяется

Переход расширяется

Переход сужается

44

ВАХ какого диода изображена на рисунке …

Выберите один ответ.

Выпрямительного диода

Варикапа

Тиристора

Стабилитрона

45

Включение RЭ и СЭ в усилительный каскад с ОЭ обеспечивает…

Выберите несколько ответов.

Повышение выходной мощности

Эмиттерную стабилизацию точки покоя

Снижение нелинейных искажений

Уменьшение коэффициента усиления

46

Укажите схему включения БТ и способ задания рабочей точки на статических характеристиках …

Выберите один ответ.

Схема включения – ОБ;

Фиксированным напряжением

Схема включения – ОБ;

Фиксированным током базы

Схема включения – ОЭ;

Фиксированным током базы

Схема включения – ОЭ;

Фиксированным напряжением

47

Структура и ВАХ какого полупроводникового прибора приведены на рисунке …

Выберите один ответ.

тринистора с управлением по катоду

симистора

динистора

тринистора с управлением по аноду

48

Сопротивление в цепи коллектора RК усилительного каскада на биполярном транзисторе, включенном по схеме с ОЭ ...

Выберите несколько ответов.

выбирается из стандартного ряда

задается разработчиком аппаратуры

определяется в расчете по постоянному току

определяется в расчете по переменному току

рассчитывается с учетом напряжения источника питания усилительного каскада и параметров выбранного транзистора

49

При прямом смещении ток через p – n – переход определяется типом проводимости области базы

Ответ:

50

Структура какого полупроводникового прибора приведена на рисунке ...

Выберите один ответ.

Тиристорный оптрон

Диодный оптрон

Светодиод

Фотодиод

ФАЙЛ С ПОЛНЫМ СПИСКОМ ОТВЕТОВ БУДЕТ ДОСТУПЕН СРАЗУ ПОСЛЕ ПОКУПКИ.

ФАЙЛ С ПОЛНЫМ СПИСКОМ ОТВЕТОВ БУДЕТ ДОСТУПЕН СРАЗУ ПОСЛЕ ПОКУПКИ.