Содержание

  1. 1. Точечные полупроводниковые триоды
  2. 2. Плоскостные полупроводниковые триоды
  3. 3. Тест по теме «Триоды»
Тест: 3 вопроса
1. Из чего состоит точечный полупроводниковый триод?
кристаллической пластинки германия типа n и трех электронов
кристаллической пластинки стронция типа n и трех электронов
кристаллической пластинки германия типа n и двух электронов
кристаллической пластинки стронция типа n и двух электронов
2. Для чего применяются плоскостные полупроводниковые триоды?
увеличения выходной мощности
уменьшения выходной мощности
поддержания постоянной мощности
чтобы мощность стремилась к нулю
3. Из чего состоит плоскностный полупроводниковый триод?
из трех частей n-германия, в которой имеется прослойка р-германия
из трех частей р-германия, в которой имеется прослойка n-германия
из двух частей n-германия, в которой имеется прослойка р-германия
из трех частей n-германия, в которой имеется прослойка р-германия и n-

Триоды (транзисторы) применяются для генерации и усиления радиосигналов. В современных транзисторах напряжение и мощность тока усиливаются более чем в 10 000 раз. Действие транзисторов напоминает действие вакуумных триэлектродных ламп в которых роль катода играет эмиттер, а анода – коллектор.

Точечные полупроводниковые триоды

Такой триод состоит из кристаллической пластинки германия (или кремния) типа n и трех электродов

триод.png

Нижние поверхности кристалла металлизированы и припаяны к основанию.
Верхняя поверхность пластин контактирует с двумя близко расположенными точечными электродами: эмиттером Е и коллектором К, изготовленными из тонкой металлической проволоки.
В кристалле Ge у контактов эмиттера и коллектора проявляются области проводимости p-типа. В таких приконтактных слоях возникает n переход с пропускным направлением тока от р к n-полупроводнику. На Е подается усиливаемое напряжение U1. В круг коллектора включают батарею Б2 и нагрузочный резистор сопротивлением R, с которого снимают усиленное переменное напряжение U2. ЭДС батареи Б1 подбирают такую, чтобы при произвольных значениях напряжение UE0 между Е и В было положительным. Поэтому электрический ток в кругу эмиттера проходит через кристалл от Е к В, то есть через р-n переход.

У точки Е находится сильное электрическое поле. Поэтому часть электронов переходит на высшие акцепторные энергетические уровни, в р-германии возникают положительные дырки. Под влиянием поля они инжектируются (впрыскиваются) в n-германий.

Однако здесь дыры – не основные носители тока: инжектированные дыры под воздействием сильного электрического поля отрицательно заряженного коллектора диффундируют в германий у точки К. Здесь положительные дырки являются основными носителями и меняют ток в коллекторе.

Изменение тока в цепи эмиттера приводит к изменению тока в цепи коллектора. То же будет для напряжений на эмиттере и коллекторе.

Поскольку эмиттер включен в схему в пропускном направлении, а коллектор – в запорном, транзистор характеризуется малым входным и большим выходным сопротивлениями. Напряжение U2 значительно больше, чем напряжение U1.

Плоскостные полупроводниковые триоды

Для увеличения выходной мощности применяют плоскостные полупроводниковые триоды, в которых между двумя частями n-германия образуется прослойка p-германия или наоборот. Поэтому различают два типа таких триодов – на основе p-полупроводника (типа n-р-n) и на основе n-полупроводника (типа р-n-р):

триод2.png

Толщина основания не превышает 0,025 мм. Принцип работы плоскостных триодов типа р-n-р аналогичен принципу действия точечных германиевых триодов.

Научная статья по физике на заказ от проверенных экспертов по низкой цене!

Тест по теме «Триоды»

Комментарии

Нет комментариев
Не можешь разобраться в этой теме?
Обратись за помощью к экспертам
Гарантированные бесплатные доработки
Быстрое выполнение от 2 часов
Проверка работы на плагиат
Прямой эфир