ФДО ТУСУР тест по Твердотельная электроника:Длина свободного пробега носителей заряда - это...

  1. Главная
  2. Магазин
  3. Тест
  4. Электроника
  5. ФДО ТУСУР тест по Твердотельная электроника:Длина свободного пробега носителей заряда - это...
Раздел
Технические дисциплины
Предмет
Электроника
Тип
Тест
Просмотров
282
Покупок
0
Антиплагиат
Не указан
Размещена
15 Фев 2021 в 18:20
ВУЗ
ТУСУР
Курс
Не указан
Стоимость
50 ₽
Демо-файлы   
1
docx
ДЕМО ДЕМО
11.9 Кбайт 11.9 Кбайт
Файлы работы   
1
Каждая работа проверяется на плагиат, на момент публикации уникальность составляет не менее 40% по системе проверки eTXT.
docx
Ответ
12 Кбайт 50 ₽
Описание

Question

Длина свободного пробега носителей заряда - это:

 

*расстояние, на котором при одномерной диффузии в полупроводнике без электрического поля в нем избыточная концентрация носителей заряда уменьшается вследствие рекомбинации в 2.72 раза         


*расстояние, на которое носители заряда диффундируют за время жизни            


*среднее расстояние, проходимое носителями заряда между двумя последовательными актами рассеяния           


*величина, связанная с временем жизни неравновесных носителей заряда соотношением 

Вам подходит эта работа?
Похожие работы
Электроника
Электроника лабораторные
5 500 ₽
Лабораторная работа Лабораторная
22 Янв в 04:19
15 +15
0 покупок
Электроника
Электроника и электротехника.ти (сборник ответов на тест "Синергия" | МОИ | МТИ | МОСАП )
140 ₽
Тест Тест
19 Янв в 10:50
29 +13
0 покупок
Электроника
Разработка электронного устройства с фильтром Чебышева
1 000 ₽
Курсовая работа Курсовая
16 Янв в 09:45
16
0 покупок
Электроника
Росдистант Электроника и Электротехника Лабораторные работы 1 и 2, Практическая работа Вариант - Кл
900 ₽
Контрольная работа Контрольная
15 Янв в 15:11
27 +1
0 покупок
Электроника
Теоретические основы электротехники тест ответы МТИ
250 ₽
Тест Тест
11 Янв в 17:16
24 +2
0 покупок
Другие работы автора
Электроника
ФДО ТУСУР тест по Твердотельная электроника: Определить удельную проводимость образца кремния при температуре T=300 K, если концентрация акцепторов в полупроводнике 2.3*1013 см-3 и концентрация доноров 2.2*1013 см-3....
50 ₽
Тест Тест
25 Янв 2024 в 00:00
97 +1
0 покупок
Электроника
ФДО ТУСУР тест по Твердотельная электроника: Образец собственного кремния при T=300 K имеет удельное сопротивление 2*105 Ом*см. Чему равно при этой температуре удельное сопротивление кремния n-типа с концентрацией доноров 1016 см-3, если
50 ₽
Тест Тест
24 Янв 2024 в 16:44
78 +1
0 покупок
Электроника
ФДО ТУСУР тест по Твердотельная электроника: На сколько процентов увеличится коэффициент диффузии невырожденного полупроводника, если при увеличении температуры на 10 % подвижность носителей изменилась на 1 %.
50 ₽
Тест Тест
24 Янв 2024 в 16:38
217 +2
0 покупок
Электроника
ФДО ТУСУР тест по Твердотельная электроника: Определить отношение электронного дрейфового тока к дырочному дрейфовому току при T=300 K для кремния n-типа с удельным сопротивлением 5 Ом*см.
50 ₽
Тест Тест
24 Янв 2024 в 16:29
74 +1
1 покупка
Электроника
ФДО ТУСУР тест по Твердотельная электроника: Дрейфовый ток с плотностью 0.1 A/см2 течёт через кристалл кремния n-типа с удельным сопротивлением 5 Ом*см. Определить время, за которое электроны пройдут расстояние 5 мкм
50 ₽
Тест Тест
24 Янв 2024 в 16:12
74 +1
0 покупок
Электроника
ФДО ТУСУР тест по Твердотельная электроника:Дрейфовый ток плотностью 10 мА/см2 протекает через кристалл кремния p-типа с удельным сопротивлением 5 Ом⋅см. Определить среднюю скорость дрейфа дырок.
50 ₽
Тест Тест
18 Фев 2021 в 18:25
348 +1
6 покупок
Электроника
ФДО ТУСУР тест по Твердотельная электроника: Подвижность электронов в монокристалле кремния при температуре T=300 K равна 1400 см2/(В⋅c). Определить коэффициент диффузии электронов.
50 ₽
Тест Тест
18 Фев 2021 в 18:20
257 +1
0 покупок
Электроника
ФДО ТУСУР тест по Твердотельная электроника: Подвижность дырок в монокристалле кремния при температуре T=300 K равна 500 см2/(В·c). Определить коэффициент диффузии дырок.
50 ₽
Тест Тест
18 Фев 2021 в 18:17
301 +1
0 покупок
Электроника
ФДО ТУСУР тест по Твердотельная электроника: Определить концентрацию неосновных носителей заряда в кремниевом полупроводнике p-типа, если концентрация акцепторной примеси...
50 ₽
Тест Тест
18 Фев 2021 в 18:14
312 +1
0 покупок
Электроника
ФДО ТУСУР тест по Твердотельная электроника: Определить ''расстояние'' между уровнем Ферми и серединой запрещенной зоны в собственном полупроводнике при температуре T=300 K,...
50 ₽
Тест Тест
18 Фев 2021 в 18:10
293 +1
1 покупка
Электроника
ФДО ТУСУР тест по Твердотельная электроника:Кристалл кремния содержит 1017 атомов бора в 1 см3. Определить ''расстояние'' между уровнем Ферми и серединой запрещенной зоны при температуре T=300 K.
50 ₽
Тест Тест
16 Фев 2021 в 17:25
292 +1
0 покупок
Электроника
ФДО ТУСУР тест по Твердотельная электроника:Образец из полупроводника прямоугольной формы размером 0.25×0.25×0.05 см3 содержит 1015 носителей заряда в 1 см3.
50 ₽
Тест Тест
16 Фев 2021 в 17:14
380 +1
7 покупок
Электроника
ФДО ТУСУР тест по Твердотельная электроника: Определить среднюю скорость дрейфа электронов в кремнии при T=300 K, если к образцу приложено внешнее электрическое поле с напряженностью E=100 B/см.
50 ₽
Тест Тест
16 Фев 2021 в 17:07
315 +1
3 покупки
Электроника
ФДО ТУСУР тест по Твердотельная электроника: Определить концентрацию электронов при T=300 K в кристалле кремния...
50 ₽
Тест Тест
15 Фев 2021 в 18:31
371 +2
3 покупки
Электроника
ФДО ТУСУР тест по Твердотельная электроника : Направленное движение носителей заряда из-за неравномерного распределения концентрации носителей заряда в объеме полупроводника в отсутствие градиента температуры называют
50 ₽
Тест Тест
15 Фев 2021 в 17:58
258
0 покупок
Предыдущая работа
ФДО ТУСУР тест по Твердотельная электроника : Направленное движение носителей заряда из-за неравномерного распределения концентрации носителей заряда в объеме полупроводника в отсутствие градиента температуры называют
Следующая работа
Английский язык Синергия. (Тест с ответами) Ликвидация А3 - 4 семестр
Темы журнала
Показать ещё
Статьи справочника
Прямой эфир