Все выполнено по ГОСТу (автособираемое содержание; 14 шрифт; 1,5 интервал, 1,25 абзацный отступ; разрывы страниц после окончания глав; сноски на литературу). 2026 год. 13 страниц.
Отрывок работы:
После попадания света на фоточувствительный элемент фотодиода, происходит возбуждение электронов в объеме кристалла фотодиода. Если энергия света больше, чем энергия запрещенной зоны Eg, то электроны втягиваются в зону проводимости, оставляя дырки в валентной зоне (рисунок 2). Такие пары электрон-дырка генерируются в объеме слоев p- и n- типа, а также в обедненной области, в которой электрическое поле ускоряет движение электронов к n-слою, а дырок к p-слою. Электроны из электронно-дырочных пар, генерированные в n-области, вместе с электронами, которые генерированы в p-слое, остаются в n-слое зоны проводимости. В то же время дырки диффундируют, из n-слоя к обедненной области, в которой они ускоряются электрическим полем, и собираются в p-слое валентной зоны.
СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ 3
1 Фотодиоды 4
1.1 История создания 4
1.2 Конструкция 6
1.3 Принцип действия 6
1.4 Основные характеристики 8
1.5 Основные параметры 9
1.6 Сферы использования 9
ЗАКЛЮЧЕНИЕ 11
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ 12
1. Войцеховский А.В., Ижнин И.И., Савчин В.П., Вакив Н.М. Физические основы полупроводниковой фотоэлектроники : учебное пособие. – Томск : Издательский Дом Томского государственного университета, 2013. – 560 c.
2. Кузебных Н.И., Славникова М.М. Исследование параметров и характеристик фотодиодов. Руководство к лабораторной работе для студентов специальности 211000 "Конструирование и технология электронных средств, ТУСУР", 2014. 24 с.
...
9. RHYTHM Optoelectronics. [Электронный ресурс]. URL : https://www.anion.ru/assets/files/pdf/ritm(ckb)_2002.pdf. Дата обращения (27.05.2026 г.).