ИЗУЧЕНИЕ ТЕМПЕРАТУРНОЙ ЗАВИСИМОСТИ ВОЛЬТАМПЕРНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДИОДА

Цель работы

1. Изучение механизма униполярной проводимости полупроводникового диода, исследование зависимости силы тока от напряжения и направления электрического поля.

2. Снятие вольтамперной характеристики полупроводникового диода при различных температурах.

3. Исследование зависимости силы тока от природы полупроводников, из которых выполнен диод.

Приборы и принадлежности

1. Установка для снятия вольтамперных характеристик.

2. Полупроводниковые диоды.

3. Термостат.

4. Источник тока.

Описание установки и метода измерений

Электрическая схема установки приведена на рис.8.4. При снятии вольтамперной характеристики диода Д в прямом на­правлении он посредством ключей K1 — K5, замкнутых на контакты 1 , подключается через потенциометр к  микроамперметру, зашунтированному сопротивлением R1. Благодаря шунту расширяется диапазон измерения тока до миллиампер. Напряжение на диоде измеряется вольтметром . Для уменьшения напряжения, подаваемого на диод, к потенциометру П подклю­чается сопротивление R0.

При снятии вольтамперной характеристики в обратном на­правлении диод посредством ключей К1 — К5 замкнутых на контакты 2, подключается через потенциометр к микроам­перметру. Напряжение на диоде измеряется вольт­метром, к которому в данном случае подключается доба­вочное сопротивление R2 и предел измерения напряжения увеличивается.