ОТВЕТЫ Силовая электроника 83б
Каких силовых МОП-транзисторов с изолированным затвором не существует
К основным статическим параметрам полевых транзисторов с изолированным затвором относятся:
К основным динамическим параметрам полевого транзистора с изолированном затвором относятся
При одинаковой технологии изготовления DМОП-транзисторы по сравнению с VМОП–транзисторами имеют
Качество МДП - структуры тем выше, чем
К силовым приборам на основе многослойных p-n-переходов с неполной управляемостью не относится
К силовым приборам на основе многослойных p-n-переходов с полной управляемостью относятся
На основе тиристоров с неполной управляемостью построены
Конструктивно симистор представляет собой
При подаче на управляющий электрод сигнала одной полярности симисторы включаются
Силовые комбинированные приборы могут коммутировать
Биполярный транзистор с изолированным затвором IGBT сочетает особенности
Эквивалентная крутизна передаточной характеристики БТИЗ
Для схемы с общим эмиттером IGBT транзистора выходной характеристикой называется зависимость тока коллектора от напряжения между
Блок, предназначенный для согласования уровней сигнала между выходом регулятора и непосредственными входами силовых устройств, это
При использовании частотно-импульсной модуляции временные параметры имеют вид
Не существует вида модуляции со следующими временными параметрами
Входной ток оптронов в импульсном режиме составляет
К вариантам выключения силового биполярного транзистора не относится
Наиболее оптимальным техническим решением выключения силового биполярного транзистора является использование схемы с
Что не относится к основным требованиям, предъявляемым к трансформаторным ФИУ
Частота импульсов с выхода задающего генератора (ЗГ) в схеме 3-х фазного мостового инвертора напряжения
Для уменьшения влияния паразитных индуктивностей не рекомендуют выполнять монтаж силовой схемы с помощью
Для уменьшения паразитной емкостной связи между проводниками не выполняют
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) не применяются в
Не характерно для силовых полевых и биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
В мостовых схемах, построенных на быстрых МДП - транзисторах, могут возникнуть следующие отказы
Эффективным техническим решением является использование в выпрямительных схемах ключевых транзисторов с
При подаче обратного напряжения смещения сопротивление идеального диода
В режиме лавинного пробоя силового диода
