ОТВЕТЫ Силовая электроника 83б

Каких силовых МОП-транзисторов с изолированным затвором не существует

К основным статическим параметрам полевых транзисторов с изолированным затвором относятся:

К основным динамическим параметрам полевого транзистора с изолированном затвором относятся

При одинаковой технологии изготовления DМОП-транзисторы по сравнению с VМОП–транзисторами имеют

Качество МДП - структуры тем выше, чем

К силовым приборам на основе многослойных p-n-переходов с неполной управляемостью не относится

К силовым приборам на основе многослойных p-n-переходов с полной управляемостью относятся

На основе тиристоров с неполной управляемостью построены

Конструктивно симистор представляет собой

При подаче на управляющий электрод сигнала одной полярности симисторы включаются

Силовые комбинированные приборы могут коммутировать

Биполярный транзистор с изолированным затвором IGBT сочетает особенности

Эквивалентная крутизна передаточной характеристики БТИЗ

Для схемы с общим эмиттером IGBT транзистора выходной характеристикой называется зависимость тока коллектора от напряжения между

Блок, предназначенный для согласования уровней сигнала между выходом регулятора и непосредственными входами силовых устройств, это

При использовании частотно-импульсной модуляции временные параметры имеют вид

Не существует вида модуляции со следующими временными параметрами

Входной ток оптронов в импульсном режиме составляет

К вариантам выключения силового биполярного транзистора не относится

Наиболее оптимальным техническим решением выключения силового биполярного транзистора является использование схемы с

Что не относится к основным требованиям, предъявляемым к трансформаторным ФИУ

Частота импульсов с выхода задающего генератора (ЗГ) в схеме 3-х фазного мостового инвертора напряжения

Для уменьшения влияния паразитных индуктивностей не рекомендуют выполнять монтаж силовой схемы с помощью

Для уменьшения паразитной емкостной связи между проводниками не выполняют

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) не применяются в

Не характерно для силовых полевых и биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

В мостовых схемах, построенных на быстрых МДП - транзисторах, могут возникнуть следующие отказы

Эффективным техническим решением является использование в выпрямительных схемах ключевых транзисторов с

При подаче обратного напряжения смещения сопротивление идеального диода

В режиме лавинного пробоя силового диода