Курсовая работа по дисциплине "Процессы планарной технологии" + расчётный документ
СОДЕРЖАНИЕ
Введение………………………………………………………………………..4
Исходные данные для технического проектирования.……………............5
Выбор и расчет режимов проведения технологической операции
Расчет режимов проведения технологической операции для метода двухстадийной диффузии (формирование областей биполярного транзистора)..…..................................................................................5
Формирование резистивного слоя:………………………………...10
Чертёж кристалла в поперечном сечении………………………………...11
Эскиз (перечень) основных этапов формирования фрагмента ИС……..13
График распределения концентрации примеси в структуре………….....14
Заключение……………………………………………………………….........15
Список использованной литературы…………………………………………16
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ