1 вариант полупроводники

Задача 1.1. Определить ширину запрещенной зоны ΔW для заданного полупроводникового материала при температуре Т.
Дано:
материал Ge
T=300 K
β=0,782 эВ
α=3,9∙〖10〗^(-4) эВ/K
Найти: ∆W-?
Задача 2.1. Определить концентрацию основных nn и неосновных носителей pn при легировании полупроводникового кристалла с собственной концентрацией ni донорной примесью с концентрацией Nд.
Дано:
материал Ge
N_д=2∙〖10〗^20 м^(-3)
n_i=1,04∙〖10〗^19 м^(-3)
Найти: n_n-? p_n-?
Задача 3.1. Определить подвижность носителей заряда μn и μp при температуре Т.
Дано:
материал Ge
T=300 K
Найти: μ_n-? μ_p-?
Вариант 1. Сделаны все выводы и приведены подробные расчеты. При необходимости другого варианта обращайтесь по https://studwork.ru/?p=9991