ТИУ Физические основы электроники Лабораторная работа № 3,4

Раздел
Технические дисциплины
Просмотров
478
Покупок
6
Антиплагиат
Не указан
Размещена
15 Июл 2016 в 07:52
ВУЗ
ТюмГНГУ
Курс
3 курс
Стоимость
550 ₽
Демо-файлы   
5
zip
2.png 2.png
21.5 Кбайт 21.5 Кбайт
zip
1.png 1.png
26.9 Кбайт 26.9 Кбайт
zip
5.png 5.png
21.4 Кбайт 21.4 Кбайт
zip
4.png 4.png
20 Кбайт 20 Кбайт
zip
3.png 3.png
60 Кбайт 60 Кбайт
Файлы работы   
1
Каждая работа проверяется на плагиат, на момент публикации уникальность составляет не менее 40% по системе проверки eTXT.
docx
Лабораторная работа № 3,4
4.1 Мбайт 550 ₽
Отзывы о работе
Описание
Лабораторная работа № 3, 4
Исследование характеристик биполярного транзистора
1. Цель работы
Изучение принципа функционирования и основных характеристик биполярного транзистора в схемах с общей базой (ОБ) и общим змиттером (ОЭ), а также овладение методикой определения малосигнальных параметров транзистора, как чотырехполюсника.
3. Задания и порядок выполнения лабораторной работы
3.1. Исследовать характеристики и параметры БТ по схеме с ОЭ
3.1.1. Исследовать семейство статических ВАХ БТ по схеме ОЭ.
Схема для исследования ВАХ транзистора показана на рис. 3.11.
Семейство входных ВАХ IБ = f (UБЭ) снимать при фиксированных значениях UКЭ путем изменения тока IБ и измерением UБЭ.
Семейство выходных ВАХ IК = f(UКЭ) снимать при фиксированных значениях IБ путем изменения напряжения UКЭ и измерением IК.

Рис. 3.11. Схема исследования ВАХ БТ по схеме ОЭ
Задавая значения тока базы (с помощью источника І1) в пределах от 1 ... 200 мкА, а также значения напряжения на коллекторе ( с помощью источника V1 от 0 до 12 В) и измеряя напряжение на базе UБЭ и ток коллектора IК, можно построить все необходимые ВАХ. Результаты измерений занести в соответствующие таблицы (табл. 3.3, 3.4) и построить графики входных и выходных ВАХ транзистора.
Оглавление
3.1.2. Определить h – параметры транзистора в схеме ОЭ.
Определять h – параметры транзистора необходимо по характеристикам в окрестности выбранной рабочей точки:
٠ h11Э = UБЭ / IБ при заданном напряжении коллектора UКЭ;
٠ h12Э = UБЭ / UКЭ при заданном токе базы IБ;
٠ h21Э = IК / IБ при заданном напряжении коллектора UКЭ;
٠ h22Э = IК / UКЭ при заданном токе базы IБ .
3.1.3. Оценить расчетный коэффициент усиления по напряжению.
На выходных ВАХ БТ построить линию нагрузки, задав и в пределах , и рассчитать коэффициент усиления по напряжению:
, где .
3.2. Исследовать характеристики и параметры БТ по схеме ОБ
3.2.1. Исследовать семейство статических ВАХ БТ по схеме ОБ.
Схема для исследования ВАХ транзистора показана на рис. 3.12.
Семейство входных ВАХ БТ по схеме ОБ IЭ = f (UЭБ) снимать при фиксированных значениях UКБ путем изменения тока IЭ и измерением UЭБ.
Семейство выходных ВАХ IК = f(UКБ) снимать при фиксированных значениях IЭ путем изменения напряжения UКБ и измерением IК.
Список литературы
Сватов В.Ф., Электроника [Текст] : Методические указания по выполнению лабораторных работ / сост. В.Ф. Сватов. – Тюмень: ТюмГНГУ 2015.– 48 с.
Вам подходит эта работа?
Похожие работы
Электроника
РГР РГР
29 Ноя в 07:38
25
0 покупок
Электроника
Лабораторная работа Лабораторная
28 Ноя в 19:38
27
0 покупок
Электроника
Контрольная работа Контрольная
27 Ноя в 18:57
28
0 покупок
Другие работы автора
Государственное управление
Тест Тест
3 Сен в 07:46
285 +1
0 покупок
Темы журнала
Показать ещё
Прямой эфир