ТИУ Физические основы электроники Лабораторная работа № 2

Раздел
Технические дисциплины
Просмотров
1 017
Покупок
4
Антиплагиат
Не указан
Размещена
15 Июл 2016 в 07:24
ВУЗ
Тюменский индустриальный университет
Курс
3 курс
Стоимость
450 ₽
Демо-файлы   
4
zip
4.png 4.png
25.8 Кбайт 25.8 Кбайт
zip
3.png 3.png
88.8 Кбайт 88.8 Кбайт
zip
2.png 2.png
38.9 Кбайт 38.9 Кбайт
zip
1.png 1.png
17.3 Кбайт 17.3 Кбайт
Файлы работы   
1
Каждая работа проверяется на плагиат, на момент публикации уникальность составляет не менее 40% по системе проверки eTXT.
docx
Лабораторная работа № 2
1.5 Мбайт 450 ₽
Описание
Лабораторная работа по дисциплине: «Физические основы электроники
Исследование полупроводникового стабилитрон
3.1. Исследовать обратную ветвь ВАХ полупроводникового стабилитрона
Схема исследования обратной ветви ВАХ стабилитрона с помощью ЕWB приведена на рис.2.4.

Рис. 2.4. Схема исследования обратной ветви ВАХ стабилитрон
Воспроизвести принципиальную электрическую схему (рис. 2.4) в компьютерной среде EWB, установить тип стабилитрона BZV37. Потенциометром R1 изменять обратное напряжение на стабилитроне в пределах, указанных в табл. 2.1. При появлении явления пробоя можно увеличить число фиксируемых точек характеристики. Для каждого значения напряжения измерять ток и заносить в табл. 2.1.
Таблица 2.
Uобр 0 1 2 3 4 5 5,5 6 6,
Іобр=Іст
3.2. Построить график обратной ветви ВАХ стабилитрона
Изобразить ВАХ стабилитрона с обозначениями и размерностями осей










Рис. 2.5. Обратная ветвь ВАХ стабилитрон
3.3. Определить параметры стабилитрона.
По ВАХ или таблице напряжение стабилизации стабилитрона Uст определять в точке, соответствующей значению среднего тока стабилизации

где Іст.min - определяет точку ВАХ, где пробой приобретает устойчивый характер (обычно единицы mA); Іст.max - зависит от толщины p-n-перехода (для маломощных стабилитронов – десятки mA).
Сравнить полученные результаты по справочным данным стабилитрона
Дифференциальное сопротивление определяется отношением приращения напряжения к вызвавшему его приращению тока на рабочем участке (рис. 2.1,а.): . Качество стабилитрона тем выше, чем меньше его дифференциальное сопротивление. Для различных стабилитронов rст лежит в пределах от десятых долей Ома (низковольтные) до десятков – сотен Ом
3.4. Проанализировать результаты экспериментов и сделать выводы
Снять ВАХ стабилитрона можно в автоматическом режима. Для этого необходимо
٠ воспроизвести принципиальную электрическую схему (рис. 2.6,а), обозначить номера узлов схемы (Circuit \ Schematic Options, закладка Show / Hide, поле Display, отметить Show nodes, OK)
٠ в режиме вариации параметров источника питания (Analysis \ DC Sweep), в диалоговом окне DC Sweep сделайте установки (рис. 2.7, б), соответствующие изменению напряжения на стабилитроне от 1 В до – 7 В с шагом 0,01 В, нажать на клавишу – моделирование (Simulate).
Оглавление
1. Цель работ
Изучение конструкции, принципа функционирования, основных свойств и параметров стабилитронов по их вольт-амперным характеристикам
3. Задания и порядок выполнения лабораторной работ
3.1. Исследовать обратную ветвь ВАХ полупроводникового стабилитрона.
Список литературы
Сватов В.Ф., Электроника [Текст] : Методические указания по выполнению лабораторных работ / сост. В.Ф. Сватов. – Тюмень: ТюмГНГУ 2015.– 48 с.
Вам подходит эта работа?
Похожие работы
Другие работы автора
Государственное управление
Тест Тест
3 Сен в 07:46
151
0 покупок
Темы журнала
Показать ещё
Прямой эфир