Задание №5
1.Провести расчет основных параметров полевого транзистора: UОТС , R0 , IСmax , S(UЗ = 0).
2. Рассчитать выходные ВАХ при UЗ = 0 и UЗ = 0,5UОТС и передаточную ВАХ для области насыщения.
Данные к расчету:
Материал – кремний, тип ПТУП − n-канальный
Концентрация атомов примеси в подзатворной области Na = 1018 см-3
Концентрация атомов примеси в канале Nd = 3∙1016 см-3
Толщина канала d0 = 1мкм
Длина канала L = 20 мкм
Ширина канала W = 500 мкм
Подвижность электронов в канале μn = 1200 см2 /Вс
Задание №6
1.Провести расчет основных параметров МДП транзистора: UПОР , СД , b.
2. Рассчитать выходные ВАХ при UЗ = UПОР и UЗ = 2UПОР и передаточную ВАХ для области насыщения.
Данные к расчету:
Материал – кремний, тип МДП-транзистор − p-канальный
Концентрация атомов примеси в подложке Nd = 3∙1015 см-3
Длина канала L = 10 мкм
Ширина канала W = 100 мкм
Толщина подзатворного диэлектрика tд = 0,2 мкм
Подвижность дырок в канале μp = 200 см2 /Вс
Удельный поверхностный заряд Qпов = 2∙10-8 Кл/см2