ФДО ТУСУР тест по Твердотельная электроника: На сколько процентов увеличится коэффициент диффузии невырожденного полупроводника, если при увеличении температуры на 10 % подвижность носителей изменилась
ФДО ТУСУР тест по Твердотельная электроника: Определить отношение электронного дрейфового тока к дырочному дрейфовому току при T=300 K для кремния n-типа с удельным сопротивлением 5 Ом*см.
ФДО ТУСУР тест по Твердотельная электроника: Определить удельную проводимость образца кремния при температуре T=300 K, если концентрация акцепторов в полупроводнике 2.3*1013 см-3 и концентрация доноров
ФДО ТУСУР тест по Твердотельная электроника: Дрейфовый ток с плотностью 0.1 A/см2 течёт через кристалл кремния n-типа с удельным сопротивлением 5 Ом*см. Определить время, за которое электроны пройдут расстояние
ФДО ТУСУР тест по Твердотельная электроника: Образец собственного кремния при T=300 K имеет удельное сопротивление 2*105 Ом*см. Чему равно при этой температуре удельное сопротивление кремния n-типа с концентрацией
Н. С. Твердотельная электроника: методические указания по изучению дисциплины/Н.С. Легостаев, К. В. Четвергов. -Томск: Эль Контент, 2012. - 52 с. 2. Легостаев Н. С. Твердотельная электроника: учебное
и параметрам полупроводниковых выпрямительных диодов по конспекту лекций по дисциплине "Твердотельная электроника" и литературе [1 - 4]. 2.3 Подготовить формуляр отчета по лабораторной работе. 2.4 Ознакомиться
ФДО ТУСУР тест по Твердотельная электроника: Определить концентрацию неосновных носителей заряда в кремниевом полупроводнике p-типа, если концентрация акцепторной примеси...
ФДО ТУСУР тест по Твердотельная электроника: Определить ''расстояние'' между уровнем Ферми и серединой запрещенной зоны в собственном полупроводнике при температуре T=300 K,...
ФДО ТУСУР тест по Твердотельная электроника : Направленное движение носителей заряда из-за неравномерного распределения концентрации носителей заряда в объеме полупроводника в отсутствие градиента температуры
ФДО ТУСУР тест по Твердотельная электроника: Подвижность электронов в монокристалле кремния при температуре T=300 K равна 1400 см2/(В⋅c). Определить коэффициент диффузии электронов.
ФДО ТУСУР тест по Твердотельная электроника: Подвижность дырок в монокристалле кремния при температуре T=300 K равна 500 см2/(В·c). Определить коэффициент диффузии дырок.
ФДО ТУСУР тест по Твердотельная электроника: Определить среднюю скорость дрейфа электронов в кремнии при T=300 K, если к образцу приложено внешнее электрическое поле с напряженностью E=100 B/см.
датчиком для измерения характеристик вращения каких-либо объектов называют: Возникновением в твердотельном проводнике с током, помещенном в магнитное поле, электрического поля в направлении, перпендикулярном
датчиком для измерения характеристик вращения каких-либо объектов называют... Возникновением в твердотельном проводнике с током, помещенном в магнитное поле, электрического поля в направлении, перпендикулярном
нас мире Сетка, прикрепленная к тонкой несущей подложке, используется Выберите один ответ: в твердотельных датчиках давления в пьезоэлектрических датчиках давления в тензорезисторах в дифференциальных
построены в рамках четвертого поколения? Выберите один или несколько ответов: «Эльбрус-2» «Электроника» ЕС-1841 ИЛЛИАК-4 Вопрос 2 В зависимости от выполняемой операции и методов, используемых
потенциал в юном возрасте, например, незадолго до защиты диплома. Вдруг осеняет мысль, что твердотельная электроника или бухучет — это не то, хочется чего-то особого. Многие хотя бы раз хотели стать известными