Расчет полевого транзистора с управляющим p-n-переходом

Цель работы: исследовать физические процессы, лежащие в основе работы полевого транзистора. Изучить передаточные и выходные характеристики полевого транзистора.

Область исследования – полупроводниковые полевые транзисторы с затвором на основе p-n перехода.

Предмет исследования – полевой транзистор с каналом на основе арсенида индия InAs.

Арсенид индия InAs применяется в магниторезисторах, в качестве материала для преобразователей Холла [3, стр. 243].

 В работе проведены расчеты характеристик транзистора на основе арсенида индия InAs: сопротивления открытого канала Rси0, напряжения отсечки Uзи.отс, емкости затвора Cзи, максимальной рабочей частоты fmax, начального тока стока Iс.нач, напряжения насыщения Uси.нас, крутизны передаточной характеристики S. Построены статические характеристики заданного полевого транзистора с помощью расчётных формул. 

Контрольная работа выполнена в соответствии с заданием.

Введение…………………………………………………………..……..………..4

1 РАСЧЕТ ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА С УПРАВЛЯЮЩИМ P-N ПЕРЕХОДОМ ……………………………………………………………………5

Заключение……..…………………………………………………………….....10

Список использованных источников………………….…………………….11

1.    Легостаев Н. С. Твердотельная электроника: методические указания по изучению дисциплины/Н.С. Легостаев, К. В. Четвергов. -Томск: Эль Контент, 2012. - 52 с.

2.    Легостаев Н. С. Твердотельная электроника: учебное пособие/     Н.С. Легостаев, К.В. Четвергов. -Томск: Эль Контент, 2011. -244 с.

3.    Батенков В. А. Электрохимия полупроводников. Учеб. пособие. Изд. 2-е, допол. Барнаул: Изд-во Алт. ун-та, 2002. – 162 с.: