Контрольная работа "Расчет полевого транзистора с изолированным затвором"(м/у Легостаев) Т
Антиплагиат
Не указан
Размещена
9 Окт 2012
в 06:15
ВУЗ
ТУСУР
Курс
Не указан
Стоимость
400 ₽
Демо-файлы
1
демо твердотельная электроника
Файлы работы
1
Каждая работа проверяется на плагиат, на момент публикации
уникальность составляет не менее 40% по системе проверки eTXT.
контрольная текстовая.doc
Описание
Расчет полевого транзистора с изолированным затвором
Технические требования: полупроводник- кремний; материал затвора- алюминий; подзатворный диэлектрик-диоксид кремния; канал индуцированный p-типа электропроводности; толщина подзатворного диэлектрика d=0,1 мкм; ширина канала Z= 100 мкм; длина канала L=10 мкм; концентрация акцепторной примеси ; концентрация донорной примеси ;плотность поверхностных зарядов ; подвижность электронов в канале ;контактная разность потенциалов МДП-структуры относительная диэлектрическая проницаемость диоксида кремния ; рабочая температура Т=300К.
Технические требования: полупроводник- кремний; материал затвора- алюминий; подзатворный диэлектрик-диоксид кремния; канал индуцированный p-типа электропроводности; толщина подзатворного диэлектрика d=0,1 мкм; ширина канала Z= 100 мкм; длина канала L=10 мкм; концентрация акцепторной примеси ; концентрация донорной примеси ;плотность поверхностных зарядов ; подвижность электронов в канале ;контактная разность потенциалов МДП-структуры относительная диэлектрическая проницаемость диоксида кремния ; рабочая температура Т=300К.
Вам подходит эта работа?
Похожие работы
Другие работы автора
Предыдущая работа
Следующая работа