Моделирование вольт-амперных характеристик диода Шоттки

Создание диода Шоттки на основе халькогенидов свинца переменного состава позволяет переменной фазе регулировать ширину запрещенной зоны соответственно выходным параметрам за счет управления механизмов токопрохождения через  потенциальный барьер.

1)          Абрикосов Н.Х., Банкина В.Ф., Порецкая Л.В., Скуднова Е.В., Шелимова Л.Е. Полупроводниковые материалы на основе соединений. А4В6.// Наука. – М. – 1975. – С.194 – 195.

2)          Ахмедов О.Р. Оптические свойства тонких пленок PbS / Ахмедов О.Р. Гусейналиев М.Г., Абдуллаев Н.А., Абдуллаев Н.М., Бабаев С.С., Касумов Н.А. // Физика и техника полупроводников. – 2016. – №50. – С. 51 – 54.

3)          Довженко Д.С., Мартынов И.Л., Еремин И.C., Чистяков А.А. Исследование фотолюминесценции квантовых точек CdSe ZnS, внедренных в микрорезонатор из пористого кремния.// III Всероссийская конференция по фотонике и информационной оптике: сборник научных трудов. –  М. –  2015. –  С. 98 – 100.

4)          Дроздов А.В., Данилов Д.С., Юнусов И.В., Гошин Г.Г. Моделирование диодов с барьером Шоттки для применения в монолитных интегральных схемах СВЧ.// Электроника измерительная техника и радиосвязь. –  М. – 2018. – С. 28 – 31.

5)          Зи С. Физика полупроводниковых приборов.// Энергия. – М. –  1979. –  С. 430 – 450.

6)          Зимин С.П., Горлачев Е.С.  Наноструктурированные халькогениды свинца.//ЯрГУ. – Яр.– 2011. –  С.220 – 222.

7)          Марков В. Ф., Маскаева Л. Н., Китаев Г. А Кинетика химического осаждения PbS в присутствии галогенидов аммония, микроструктура и электрофизические свойства пленок // Журнал прикладной химии. – 2000. – № 8. – С. 52 – 56.

8)          Морозова Н.К. Изоэлектронные центры кислорода и проводимость кристаллов CdS в сравнении с PbS / Морозова Н.К. Мирошников Б.Н. // Физика и техника полупроводников. – 2018. – Т 52. – С. 295 – 298.