I. В лабораторной работе N1 исследуется прохождение синусоидальных и прямоугольных колебаний через RC-цепи. Исследуются как цепи с параллельным включением ёмкости — так и с последовательным. Проводится расчёт коэффициентов передачи — а затем сравнение их с полученными экспериментально. Кроме того, в соответствии с заданием, приведены скриншоты осциллограмм колебаний, проходящих через RC-цепь.
II. В лабораторной работе N2 исследование диодов и транзисторов проводится с использованием вольтметров и амперметров — а также осциллографа. Измеряется напряжение и сила тока на определённых ветвях схемы — после чего результаты измерений заносятся в таблицу, и используются для построений графиков.
В работе выполняются следующие задания:
1. Исследование диода в цепи с постоянным током. Результаты измерений занесены в таблицу, составлен график прямой и обратной вольт-амперной характеристикой.
2. Исследование диода в цепи с переменным током. Приводятся скриншоты осциллограмм.
3. Исследование транзистора в подключении с общей базой. Результаты измерений занесены в таблицу.
4. Исследование транзистора в подключении с общим эмиттером. Результаты измерений занесены в таблицу. Построен график вольт-амперной характеристики база-эмиттер перехода транзистора. Также построен график вольт-амперной характеристики в подключении с общим эмиттером.
5. Расчёт h-параметров транзистора. Выполняется на основании результатов экспериментов.
III. Лабораторная работа N3 посвящена исследованию ключевых схем — изучается прохождение прямоугольных колебаний через различные виды диодных и транзисторных ключей. Приводятся скриншоты с осциллограммами.
Файлы с электронными схемами, используемыми в работах, прилагаются. Кроме того, к работе N2 прилагается файл с электронными таблицами Excel, составленными на основе измерений — и созданными на основе этих таблиц графиками. Исследование полупроводниковых приборов в сети переменного тока осуществляется с помощью осциллографа — в работе приведены скриншоты с осциллограммами.