Ответы на тест 1 Основы электроники сибгиу (ЗЭу-19). Заочное. Бакалавриат
во вложении вопросы и ответы, верных 17 из 20 85%
тест сдан 30/12/2019года
ниже вопросы, ответы на которые найдете в файле
во вложении вопросы и ответы, верных 17 из 20 85%
тест сдан 30/12/2019года
ниже вопросы, ответы на которые найдете в файле
Смещение p-n-перехода в прямом направлении. Как изменится ток диффузии?
a. не изменится
b. уменьшится
c. увеличится
d. стремится к 0
e. стремится к бесконечности
Как называется процесс исчезновения двух носителей заряда – электрона и дырки?
a. рекомбинация
b. легирование
c. генерация
Чему равна суммарная плотность тока при несимметричном p-n-переходе?
a. больше 0
b. меньше или равна 0
c. меньше 0
d. больше или равна 0
e. равна 0
Как называется процесс "откачки" неосновных носителей заряда при обратном включении напряжения?
a. экстракция
b. инжекция
c. концентрация
d. дрейф
e. диффузия
Какая емкость отражает перераспределение зарядов в р-n-переходе?
a. нет правильного ответа
b. дрейфовая
c. барьерная
d. диффузионная 0 баллов тут ошибка
e. компенсационная
У каких полупроводниковых приборов чаще всего бывает туннельный пробой?
a. Имеющих узкий переход, большое значение удельного сопротивления, при этом напряженность электрического поля должна быть достаточно высокой.
b. Имеющих широкий переход, большое значение удельного сопротивления, при этом напряженность электрического поля должна быть достаточно высокой.
c. Имеющих узкий переход, малое значение удельного сопротивления, при этом напряженность электрического поля должна быть достаточно высокой.
d. Имеющих широкий переход, малое значение удельного сопротивления, при этом напряженность электрического поля должна быть достаточно высокой.
e. Нет правильного ответа
Какая емкость сильно зависит от величины диффузионного тока, увеличивается с его ростом при прямом смещении?
a. компенсационная
b. барьерная
c. диффузионная
d. дрейфовая
e. нет правильного ответа
Чему численно равен уровень Ферми?
a. минимальной энергии электрона
b. максимальной энергии электрона при температуре -273? С
c. минимальной энергии электрона при температуре 0? С
d. максимальной энергии электрона при температуре 0?С
e. максимальной энергии электрона
f. минимальной энергии электрона при температуре -273? С
Может ли электропроводность твердых тел быть обусловленной ионами?
a. да
b. нет
Какой вид пробоя возникает в результате разогрева р-n-перехода?
a. лавинный
b. температурный
c. тепловой
d. туннельный
e. нет правильного ответа
Смещение p-n-перехода в прямом направлении. Как называется ток IТ в уравнении идеализированного p-n-перехода?
a. тепловым тут ошибка 0 баллов
b. дрейфовым
c. прямым
d. диффузионным
e. обратным током насыщения
f. тепловым или обратным током насыщения
Что такое пробой p-n-перехода?
a. Значительное уменьшение обратного сопротивления, сопровождающиеся возрастанием обратного тока при увеличении приложенного напряжения.
b. Значительное увеличение обратного сопротивления, сопровождающиеся уменьшением прямого тока при увеличении приложенного напряжения.
c. нет правильного ответа
d. Значительное увеличение обратного сопротивления, сопровождающиеся уменьшениемм обратного тока при увеличении приложенного напряжения.
e. Значительное уменьшение обратного сопротивления, сопровождающиеся возрастанием прямого тока при увеличении приложенного напряжения.
Что произойдет с потенциальным барьером при включении p-n-перехода в прямом направлении при |Uк|>|Uвн|?
a. Уменьшится и станет 0
b. Уменьшится и станет равным U пр = Uвн – Uк
c. Увеличится и станет равным Uпр = Uк + Uвн
d. Не изменится
e. Уменьшится и станет равным Uпр = Uк – Uвн
Носителем, какого заряда является электрон?
a. отрицательного
b. положительного
Что будет происходить после контакта образцов , вследствие значительного различия в концентрациях подвижных носителей?
a. диффузия дырок из n-области в р-область и электронов из p-области в n-область
b. диффузия электронов из n-области в р-область и дырок из p-области в n-область
c. дрейф дырок из n-области в р- область и электронов из p-области в n-область
d. дрейф электронов из n-области в р-область и дырок из p-области в n-область
Как называется электропроводность полупроводника с примесями?
a. Примесная или легированная
b. Примесная
c. Легированная
Что является носителем заряда в полупроводнике с акцепторной примесью?
a. Электроны
b. Дырки
При смещении p-n-перехода в прямом направлении сопротивление, какой области выше?
a. n-области
b. р-области ошибка тут 0 баллов
c. n-области, около p-n-перехода
d. р-области, около p-n-перехода
e. p-n-перехода
Чем обусловлены емкостные свойства р-n-перехода?
a. Наличием по обе стороны от границы электрических зарядов, которые созданы ионами примесей, а также подвижными носителями заряда, находящимися вблизи границы р-n-перехода.
b. Наличием по обе стороны от границы электрических зарядов, которые созданы подвижными носителями заряда.
c. Нет правильного ответа
d. Наличием по обе стороны от границы электрических зарядов, которые созданы ионами основного, и ионами примеси.
e. Наличием по обе стороны от границы электрических зарядов, которые созданы подвижными носителями заряда, находящимися вблизи границы р-n-перехода.
Каким образом осуществляется смещение p-n-перехода в обратном направлении?
a. Р-n-переход смещен в обратном направлении без приложения внешнего напряжения
b. Приложением напряжения U плюсом к n-области, а минусом к p-области
c. Р-n-переход смещен в обратном направлении при любом варианте приложения внешнего напряжения.
d. Приложением напряжения U плюсом к p-области, а минусом к n-области
e. Смещение р-n-перехода в не зависит от приложенного напряжения
во вложении вопросы и ответы, верных 17 из 20 85%
тест сдан 30/12/2019года
ниже вопросы, ответы на которые найдете в файле
Смещение p-n-перехода в прямом направлении. Как изменится ток диффузии?
a. не изменится
b. уменьшится
c. увеличится
d. стремится к 0
e. стремится к бесконечности
Как называется процесс исчезновения двух носителей заряда – электрона и дырки?
a. рекомбинация
b. легирование
c. генерация
Чему равна суммарная плотность тока при несимметричном p-n-переходе?
a. больше 0
b. меньше или равна 0
c. меньше 0
d. больше или равна 0
e. равна 0
Как называется процесс "откачки" неосновных носителей заряда при обратном включении напряжения?
a. экстракция
b. инжекция
c. концентрация
d. дрейф
e. диффузия
Какая емкость отражает перераспределение зарядов в р-n-переходе?
a. нет правильного ответа
b. дрейфовая
c. барьерная
d. диффузионная 0 баллов тут ошибка
e. компенсационная
У каких полупроводниковых приборов чаще всего бывает туннельный пробой?
a. Имеющих узкий переход, большое значение удельного сопротивления, при этом напряженность электрического поля должна быть достаточно высокой.
b. Имеющих широкий переход, большое значение удельного сопротивления, при этом напряженность электрического поля должна быть достаточно высокой.
c. Имеющих узкий переход, малое значение удельного сопротивления, при этом напряженность электрического поля должна быть достаточно высокой.
d. Имеющих широкий переход, малое значение удельного сопротивления, при этом напряженность электрического поля должна быть достаточно высокой.
e. Нет правильного ответа
Какая емкость сильно зависит от величины диффузионного тока, увеличивается с его ростом при прямом смещении?
a. компенсационная
b. барьерная
c. диффузионная
d. дрейфовая
e. нет правильного ответа
Чему численно равен уровень Ферми?
a. минимальной энергии электрона
b. максимальной энергии электрона при температуре -273? С
c. минимальной энергии электрона при температуре 0? С
d. максимальной энергии электрона при температуре 0?С
e. максимальной энергии электрона
f. минимальной энергии электрона при температуре -273? С
Может ли электропроводность твердых тел быть обусловленной ионами?
a. да
b. нет
Какой вид пробоя возникает в результате разогрева р-n-перехода?
a. лавинный
b. температурный
c. тепловой
d. туннельный
e. нет правильного ответа
Смещение p-n-перехода в прямом направлении. Как называется ток IТ в уравнении идеализированного p-n-перехода?
a. тепловым тут ошибка 0 баллов
b. дрейфовым
c. прямым
d. диффузионным
e. обратным током насыщения
f. тепловым или обратным током насыщения
Что такое пробой p-n-перехода?
a. Значительное уменьшение обратного сопротивления, сопровождающиеся возрастанием обратного тока при увеличении приложенного напряжения.
b. Значительное увеличение обратного сопротивления, сопровождающиеся уменьшением прямого тока при увеличении приложенного напряжения.
c. нет правильного ответа
d. Значительное увеличение обратного сопротивления, сопровождающиеся уменьшениемм обратного тока при увеличении приложенного напряжения.
e. Значительное уменьшение обратного сопротивления, сопровождающиеся возрастанием прямого тока при увеличении приложенного напряжения.
Что произойдет с потенциальным барьером при включении p-n-перехода в прямом направлении при |Uк|>|Uвн|?
a. Уменьшится и станет 0
b. Уменьшится и станет равным U пр = Uвн – Uк
c. Увеличится и станет равным Uпр = Uк + Uвн
d. Не изменится
e. Уменьшится и станет равным Uпр = Uк – Uвн
Носителем, какого заряда является электрон?
a. отрицательного
b. положительного
Что будет происходить после контакта образцов , вследствие значительного различия в концентрациях подвижных носителей?
a. диффузия дырок из n-области в р-область и электронов из p-области в n-область
b. диффузия электронов из n-области в р-область и дырок из p-области в n-область
c. дрейф дырок из n-области в р- область и электронов из p-области в n-область
d. дрейф электронов из n-области в р-область и дырок из p-области в n-область
Как называется электропроводность полупроводника с примесями?
a. Примесная или легированная
b. Примесная
c. Легированная
Что является носителем заряда в полупроводнике с акцепторной примесью?
a. Электроны
b. Дырки
При смещении p-n-перехода в прямом направлении сопротивление, какой области выше?
a. n-области
b. р-области ошибка тут 0 баллов
c. n-области, около p-n-перехода
d. р-области, около p-n-перехода
e. p-n-перехода
Чем обусловлены емкостные свойства р-n-перехода?
a. Наличием по обе стороны от границы электрических зарядов, которые созданы ионами примесей, а также подвижными носителями заряда, находящимися вблизи границы р-n-перехода.
b. Наличием по обе стороны от границы электрических зарядов, которые созданы подвижными носителями заряда.
c. Нет правильного ответа
d. Наличием по обе стороны от границы электрических зарядов, которые созданы ионами основного, и ионами примеси.
e. Наличием по обе стороны от границы электрических зарядов, которые созданы подвижными носителями заряда, находящимися вблизи границы р-n-перехода.
Каким образом осуществляется смещение p-n-перехода в обратном направлении?
a. Р-n-переход смещен в обратном направлении без приложения внешнего напряжения
b. Приложением напряжения U плюсом к n-области, а минусом к p-области
c. Р-n-переход смещен в обратном направлении при любом варианте приложения внешнего напряжения.
d. Приложением напряжения U плюсом к p-области, а минусом к n-области
e. Смещение р-n-перехода в не зависит от приложенного напряжения
