Контрольная работа №2 "Твердотельная электроника" [ТУСУР]

Расчёт полевого транзистора с изолированным затвором

Расчетные данные:

полупроводник – антимонид индия;

материал затвора – золото;

канал индуцированный n-типа электропроводности;

толщина подзатворного диэлектрика  d = 0.12 мкм,

ширина канала Z = 300 мкм, длина канала L = 12 мкм;

концентрация акцепторной примеси Na = 8*10 16 см (-3);

плотность поверхностных зарядов Nпов = 5*10 10 см-2,

подвижность электронов в канале mn = 1600 см2/В*с, контактная разность потенциалов МДП-структуры Фмдп = 0,95 В, относительная электрическая проницаемость нитрида кремния

eд = 0,95 В;

рабочая температура Т = 300 К.