Энергия образования пары электрон-дырка в некотором полупроводнике соответствует фотонам с частотой 2,5 1014 Гц. Определите (в эВ) ширину Eg запрещенной зоны этого полупроводника.
Файлы работы
1
Каждая работа проверяется на плагиат, на момент публикации
уникальность составляет не менее 40% по системе проверки eTXT.
Энергия образования пары электрон-дырка в некотором полупроводнике соответствует фотонам с частотой 2,5∙1014 Гц. Определите (в эВ) ширину Eg запрещенной зоны этого полупроводника.
Описание
Энергия образования пары электрон-дырка в некотором полупроводнике соответствует фотонам с частотой 2,5 1014 Гц. Определите (в эВ) ширину Eg запрещенной зоны этого полупроводника.
Вам подходит эта работа?
Похожие работы
Другие работы автора
700 ₽
400 ₽
Предыдущая работа