Произведение концентраций свободных носителей заряда в собственном полупроводнике при температурах Т1=270 К и Т2=330 К равно квадрату концентрации свободных носителей при температуре T3, т.е. n1 n2 = n32. Найти температуру Т3.
Произведение концентраций свободных носителей заряда в собственном полупроводнике при температурах Т1=270 К и Т2=330 К равно квадрату концентрации свободных носителей при температуре T3, т.е. n1 n2 = n32. Найти температуру Т3.
Каждая работа проверяется на плагиат, на момент публикации
уникальность составляет не менее 40% по системе проверки eTXT.
Произведение концентраций свободных носителей заряда в собственном полупроводнике при температурах Т1=270 К и Т2=330 К равно квадрату концентрации свободных носителей при температуре T3, т.е
35 Кбайт
90 ₽
Описание
Произведение концентраций свободных носителей заряда в собственном полупроводнике при температурах Т1=270 К и Т2=330 К равно квадрату концентрации свободных носителей при температуре T3, т.е. n1 n2 = n32. Найти температуру Т3.