Произведение концентраций свободных носителей заряда в собственном полупроводнике при температурах Т1=270 К и Т2=330 К равно квадрату концентрации свободных носителей при температуре T3, т.е. n1 n2 = n32. Найти температуру Т3.

Раздел
Естественные дисциплины
Предмет
Просмотров
5
Покупок
0
Антиплагиат
Не указан
Размещена
22 Авг в 15:57
ВУЗ
Не указан
Курс
Не указан
Стоимость
90 ₽
Файлы работы   
1
Каждая работа проверяется на плагиат, на момент публикации уникальность составляет не менее 40% по системе проверки eTXT.
docx
Произведение концентраций свободных носителей заряда в собственном полупроводнике при температурах Т1=270 К и Т2=330 К равно квадрату концентрации свободных носителей при температуре T3, т.е
35 Кбайт 90 ₽
Описание

Произведение концентраций свободных носителей заряда в собственном полупроводнике при температурах Т1=270 К и Т2=330 К равно квадрату концентрации свободных носителей при температуре T3, т.е. n1 n2 = n32. Найти температуру Т3.

Вам подходит эта работа?
Похожие работы
Другие работы автора
Электроника
Тест Тест
19 Сен в 15:58
14 +1
0 покупок
Темы журнала
Показать ещё
Прямой эфир