Задание №1
1. Рассчитать и построить температурные зависимости концентрации и подвижности свободных носителей заряда.
2. Рассчитать и построить температурную зависимость электропроводности полупроводникового образца в диапазоне температур от 50 до 700 К.
Данные к расчету
Материал – кремний
Концентрация примеси Nd = 12* 1015 см -3.
Глубина залегания примесного уровня Ec-Ed = 0,1 эВ
Геометрические размеры L:h:d = 1 см :1 см :0,1 см.