Практическая работа 1-3 «Преобразовательные установки систем электроснабжения» Вариант 4 - Г, П, Ю РОСДИСТАНТ
«Преобразовательные установки систем электроснабжения»
Задание на практическую 1
Необходимо собрать и систематизировать справочную информацию по элементной базе полупроводниковых приборов.
Вариант 4 - Г, П, Ю - ДЛ161-250
Расшифруйте буквенно-цифровое обозначение заданного типа полупроводникового диода и выберите одно из его наименований по справочным данным.
Дайте краткую аннотацию технических характеристик полупроводникового диода (структуру, область применения, техническое исполнение и модификации).
Выпишите основные электрические параметры полупроводникового диода (средние и предельно допустимые электрические величины).
Найдите (в справочнике) эскиз полупроводникового диода в масштабе с указанием размеров.
Зарисуйте схему включения полупроводникового диода и кратко опишите принцип его работы. Укажите основные преимущества и недостатки применяемого полупроводникового диода.
Задание на практическую 2
Необходимо собрать и систематизировать справочную информацию по элементной базе полупроводниковых приборов.
Вариант 4 - Г, П, Ю - КН102
1. Расшифруйте буквенно-цифровое обозначение заданного типа полупроводникового тиристора (ГОСТ 10862-72 или ГОСТ 20859.1-89) и выберите одно из его наименований по справочным данным.
2. Дайте краткую аннотацию технических характеристик полупроводникового тиристора (структуру, область применения, техническое исполнение и модификации).
3. Выпишите основные электрические параметры полупроводникового тиристора (средние и предельно допустимые электрические величины).
4. Найдите (в справочнике) эскиз полупроводникового тиристора в масштабе с указанием размеров.
5. Зарисуйте схему включения полупроводникового тиристора и кратко опишите принцип его работы;
6. Укажите основные преимущества и недостатки применяемого полупроводникового тиристора.
Задание на практическую 3
Необходимо собрать и систематизировать справочную информацию по элементной базе полупроводниковых приборов.
Вариант - 4 Г, П, Ю МТТ4-100
1. Расшифруйте буквенно-цифровое обозначение заданного типа полупроводниковой модульной сборки и выберите один из его наименований по справочным данным.
2. Дайте краткую аннотацию технических характеристик модульной сборки (структуру, область применения, техническое исполнение и модификации).
3. Выпишите основные электрические параметры модульной сборки (средние и предельно допустимые электрические величины).
4. Найдите (в справочнике) эскиз модульной сборки в масштабе с указанием размеров.
5. Зарисуйте внутреннюю схему модульной сборки и кратко опишите функциональные возможности силового модуля.
