Для предотвращения снижения высокой оригинальности введение приведено не полностью, а в списке лит-ры отражено только кол-во источников
Цена указана со статусом работы "без претензий", поскольку в 5-6 раз дешевле, если заказывать новую работу.
Цель. Описать сверхнизковую пороговую генерацию поляритонов при комнатной температуре, используя полностью диэлектрическую микрополость на основе мембраны GaN со спонтанно сформированной нульмерной ловушкой.
Задачи.
1. Охарактеризовать работу резонатора GAN/ALGAN с несколькими квантовыми ямами GAN QWS.
2. Рассмотреть объемную микрополость GaN 3/2 с 35-периодной решеткой-согласованным Al0.85In0.15N / Al0.2Ga0.8N нижним распределенным брэгговским отражателем DBR и 10-периодным SiO2 / Si3N 4 верхним DBR.
3. Исследовать поляритонную релаксацию при импульсной нерезонансной оптической накачки в квазиклассическом приближении Больцмана.
Методология. Использованием инновационного метода для изготовления микрополости, который включает фотоэлектрохимическое травление жертвенного слоя InGaN и позволяет включать оптимально выращенные активные квантовые ямы GaN внутри полости с атомно-гладкими поверхностями.
НИР Поляритонные лазеры на основе GAN
Введение
1. Материалы и методы.
2. Результаты и их обсуждение.
Список литературы
13 источников