Фотоника кремния
направление в мире радиофизики и оптоэлектроники, представляет собой революционный подход к использованию кремния не только как основного материала для производства полупроводниковых устройств, но и как основы для
(ТулГУ) Марка легированной конструкционной особовысококачественной стали состава 0,3 % углерода, 1,2% хрома, 0,9% марганца,0,8% кремния
конструкционной особовысококачественной стали состава 0,3 % углерода, 1,2% хрома, 0,9% марганца,0,8% кремния
Образец кремния находится при температуре Т= 300 K, подвижность электронов при этой температуре _n =0,13 м^2 Вс, подвижность дырок _p =0,05 ^2 Вс, ширина запрещённой зоны W = 1,1 эВ,12.
Образец кремния находится при температуре Т= 300 K, подвижность электронов при этой температуре _n =0,13 м^2 Вс, подвижность дырок _p =0,05 ^2 Вс, ширина запрещённой зоны W = 1,1 эВ,12.