полупроводники

Рассчитать для вашего условия значения ряда параметров при трех температурах Т=50 К, 300 К,
700 К:
- ширину запрещенной зоны. [эВ]
- концентрацию основных носителей заряда, [см ^(-3)]
- подвижность носителей заряда [см2/(В•с)]
- удельную электропроводность материала [(Ом см)^-1]
Дано: основной элемент – Si, Eg0=1,17 эВ, а=0,543 нм, me*=0,916me, mn*=0,537me
легирующая добавка:
1) B(A) – Ei=0,045 эВ, Ni=1•10^17 ат/см^3.