Мощный двусторонний ключ на базе mosfet.

Мощный двусторонний ключ на базе MOSFET.
Разработать двусторонний управляемый ключ на базе MOSFET. Коммутируемое
напряжение – 5…15В. Максимальный ток нагрузки 11А. Ключ управляется
маломощным логическим сигналом 0-3В с нагрузочной способностью до 5мА, через
промежуточный транзистор. Максимальный ток утечки в открытом состоянии ключа
через резисторы затвора – не более 500 мкА (см. рисунок). Резисторы выбрать так,
чтобы время включения и отключения нагрузки ключом в обоих направления
протекания тока составляло не более 300мкс, а пиковая выделяемая на каждом
транзисторе мощность – не больше предельной допустимой для выбранного типа
транзистора. Необходимо подтвердить работу схемы при протекании тока в обоих
направлениях.