Построение графиков по исследованию характеристик полупроводниковых диодов

По полученным данным построить графики IПР (UПР) и IОБ (UОБ). Построить касательную к графику прямой ветви ВАХ при IПР = 4 мА и оценить диффе­ренциальное сопротивление диода по наклону касательной. Проделать ту же процедуру для IПР = 0.4 мА и IПР = 0.2 мА. Оценить дифференциальное сопротивление диода при обратном напряжении 5 В. Вычислить сопротивление диода на постоянном токе IПР = 4 мА по формуле RСТ = Uд / Iд. Определить напряжение изгиба. Результаты занесите в отчет. Напряжение изгиба определяется из вольтамперной характеристики диода, смещенно­го в прямом направлении, для точки, где характеристика претерпевает резкий излом.