задания по твердотельной электронике тусур

Вот задача:

 Диод изготовлен диффузией мышьяка в эпитаксиальную пленку дырочного германия толщиной d=50 мкм, нанесенную на низкоомный германий p-типа. Глубина залегания перехода X от j = 20мкм. Удельная проводимость базы σ=0, 6(0m*см)^-1. Подвижность дырок μ от p = I600 (см^2)/в*с . Концентрация примеси в n-области N от D = 8 I0^I9 см:(-3). Время жизни неосновных носителей в базе τ от n = 50мкс. Площадь p-n перехода S= I0^-2 см^2

Нужно:

 1 - Определить параметры эпитаксиальной пленки(концентрации, подвижность и коэффициент диффузии неосновных носителей, удельное сопротивление ),

2 - Определить предельные значения прямого тока и боратного напряжения.

3 - Рассчитать зависимость добротности диода от частоты.