Решить 5 заданий/ вариант 15

1) Для собственного полупроводника, имеющего определенную температуру определить ширину запрещенной зоны; концентрацию носителей заряда; эффективные плотности состояний; положение уровня Ферми; подвижности носителей заряда; удельное электрическое сопротивление; отношение полного тока, протекающего через полупроводник к дырочному току.
2) Для полупроводника р-типа с концентрацией акцепторных примесей Na определить концентрацию основных и неосновных носителей заряда; положение уровня Ферми; удельное электрическое сопротивление: отношение полного тока, протекающего через полупроводник к дырочному току.
.3) Для полупроводника n-типа с концентрацией донорных примссей Nd, определить концентрацию основных и неосновных носителей заряда; положение уровня Ферми; удельное электрическое сопротивление; отношение полного тока, протекающего через полупроводник к дырочному току.
4) Считая, что из полупроводников р- и n-типа изготовлен р-n-переход, определить контактную разность потенциалов; ширину обедненных областей и ширину области пространственного заряда; величину заряда на единицу площади; величину барьерной емкости без внешнего напряжения и при об-ратном напряжении U обр =-5 В: коэффициенты диффузии и диффузионную длину носителей заряда; ток насыщения (обратный ток).
5) Графическая часть. Построить график распределения напряженности электрического поля в области пространственного заряда. Построить вольт-фарадную характеристику перехода. Построить вольт-амперную характери-стику перехода. Построить энергетическую диаграмму р-n-перехода с указанием энергетических уровней, контактной разности потенциалов, области пространственного заряда