Решить 2 задачи

1 задача. Дано:
Концентрации атомов донорной и акцепторной
примесей в областях полупроводника, образующих резкий p-n-переход, равны NД=10^16 см^-3 и
NA=10^15 см^-3, T=300 K
Материал полупроводника - Si
Диффузионная длина электронов Ln, см: 0,015
Диффузионная длина дырок Lp, см: 0,01
Площадь перехода S, см^2: 0,004
Определить:
Контактную разность потенциалов ?ко и ширину
перехода ?0 в равновесном состоянии (u=0), а также
отношение ширины участков перехода, лежащих в n- и
р-областях ?n/?p
2 задача. Дано:
Полевой транзистор с каналом n-типа,
включенный по схеме ОИ, имеет параметры: удельная крутизна b, пороговое напряжение Uпор. Заданы напряжение
питания Eс и нагрузочное сопротивление Rс.
Удельная крутизна b, мА/В^2: 3,0
Пороговое напряжение Uпор, В: -3,0
Питающее напряжение Eс, В: 7,0
Нагрузочное сопротивление Rс, кОм: 8,0
Определить:
Рассчитать и построить на графике передаточную характеристику транзистора
Uси = f (Uзи ). Расчеты выполнить в диапазоне изменения напряжения Uзи = Uпор … 0.
В рабочей точке, соответствующей
Uси = EС / 2, рассчитать коэффициент усиления по напряжению KU.
Решение задач должно сопровождаться подробными комментариями. Все
результаты расчетов должны округляться до третьей значащей цифры. Графики рассчитанных зависимостей следует выполнять на миллиметровке с
указанием единиц измерения отложенных по осям величин.