Расчет температурных зависимостей электрофизических параметров полупроводников

Тема работы: Расчет температурных зависимостей электрофизических параметров полупроводников

1) Теоретическая часть

- классификация веществ по удельной электрической проводимости;

- модельные представления об электропроводности полупроводников. Электроны и дырки в полупроводниках;

- температурная зависимость концентрации носителей заряда и уровня Ферми в полупроводниках с одним типом примеси;

- зависимость подвижности носителей заряда от температуры;

- теплопроводность полупроводников. Механизмы теплопереноса;

- эффект Холла;

- магниторезистивный эффект.

2) Расчетная часть

Рассчитать температурную зависимость, построить таблицы и графики функций:

- ln n = f (1/T) или ln p = f (1/T);

- F = f (T);

- m = f (T);

- ln s = f(1/T).

Рассчитать численные значения параметров заданного полупроводника при T = 300 К:

- подвижность основных носителей заряда;

- удельная электропроводность;

- коэффициент Холла;

- удельная теплопроводность;

- дифференциальная термоэдс;

- вклад Эффекта Эттингсгаузена в холловские измерения.