Задачи решить

Германиевый диод изготовлен на основе дырочного материала с концентрацией примеси NA = 5 10^14 см-3. Подвижность носителей = I800 см^2/B*c Толщина базы W = 80 мкм. При напряжении U = -50B барьерная емкость диода = 5 пф. Температура T = 300K. І. Определить допустимый прямой ток диода. 2. Рассчитать и построить зависимость диффузионной емкости диода от напряжения. При расчете определить граничное значение тока, при котором диод работает в условиях большого уровня инжекции и учесть эти условия.