Цель работы : рассчитать основные параметры ge мдп-транзистора c ...

Цель работы :
Рассчитать основные параметры Ge МДП-транзистора c индуцированным p-каналом и предложить топологию прибора.
I. Рассчитать длину и ширину канала под затвором транзистора
2.Обосновать выбор диэлектрика под затвором с высокой диэлектрической проницаемостью и определить толщину диэлектрика под затвором
3. Выбор удельного сопротивления подложки:
а)рассчитать толщину p-n-переходов истока и стока и условия ионного легирования примесью p-типа
б) рассчитать напряжение смыкания стокового и истокового переходов
в) рассчитать пробивное напряжение стокового p-n-перехода
4. Расчет порогового напряжения
5. Расчет выходных статических характеристик МДП-транзистора
6. Расчет крутизны характеристики передачи
7.Предложить и обосновать топологию Ge МДП-транзистора с индуцированным p-кана
Объем работы в пределах 40 страниц. Необходима возможность корректировки формул, графиков, жесткие требования к плагиату не требуются.